陈伟中
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：重庆邮电大学光电工程学院更多>>
- 发文基金：重庆市教育科学“十二五”规划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- 《CMOS数字集成电路:分析与设计》课程教学探索被引量：3
- 2018年
- 数字集成电路是将元器件和连线集成在同一块半导体芯片上制成数字逻辑电路和系统,根据系统中的门电路以及元器件数量可以将其分为小规模、中规模、大规模、超大规模以及特大规模集成电路。数字电路设计以及制作工艺标志着一个国家硬件技术发展的水平,是现代科技发展的基础,只有掌握了核心设计理念和制作工艺才能振兴我国芯片事业蓬勃发展。基于此,本文对《CMOS数字集成电路:分析与设计》课程进行探索。
- 陈伟中贺利军黄义周前能杨虹
- 关键词：数字集成电路课程探索
- 高压SOI pLDMOS总剂量辐射致BV退化研究被引量：1
- 2022年
- 对高压SOI pLDMOS器件总剂量辐射效应进行了研究。分析了不同偏置条件下器件击穿电压的退化机理,并使用TCAD在不同氧化层界面引入固定陷阱电荷,仿真了电离辐射总剂量效应。结果表明,总剂量辐射在FOX和BOX引入辐射陷阱电荷Q_(BOX)和Q_(FOX)。Q_(FOX)增加了漏极附近横向电场,降低了埋氧层电场,使击穿位置由体内转到表面,导致击穿电压退化。Q_(BOX)降低了埋氧层电场,降低了埋氧层压降,导致击穿电压退化。
- 黄柯月吴中华周淼陈伟中王钊周锌
- 关键词：总剂量辐射击穿电压
- 基于“互联网+”时代《微电子器件》课程的改革与实践被引量：1
- 2018年
- 本文在"互联网+"时代下将课堂教学、网络教学和实践教学相结合展开研究,创建以学生为中心,教师为主导,师生积极参与互动的新型教学模式,更新课程教学内容,改革课程教学的方式与方法,利用并完善已有的《微电子器件》课程网络教学资源库,为授课教师提供便利的教学条件,为选课学生提供自由轻松便利的学习环境,提高课程教学效率。以培养能力、提高素质为核心,提高学生在信息社会环境下的自主学习能力和可持续发展能力。
- 陈伟中贺利军黄义周前能杨虹
- 关键词：微电子器件课程改革与实践
