姜艳
- 作品数：17 被引量：18H指数：3
- 供职机构：北京工业职业技术学院更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 剪切形变对硼氮掺杂碳纳米管超晶格电子结构和光学性能的影响被引量：4
- 2015年
- 碳纳米管作为最先进的纳米材料之一,在电子和光学器件领域有潜在的应用前景,因此引起了广泛关注.掺杂、变形及形成超晶格为调制纳米管电子、光学性质提供了有效途径.为了理解相关机理,利用第一性原理方法研究了不同剪切形变下扶手椅型硼氮交替环状掺杂碳纳米管超晶格的空间结构、电子结构和光学性质.研究发现,剪切形变会改变碳纳米管的几何结构,当剪切形变大于12%后,其几何结构有较大畸变.结合能计算表明,剪切形变改变了掺杂碳纳米管超晶格的稳定性,剪切形变越大,稳定性越低.电荷布居分析表明,硼氮掺杂碳纳米管超晶格中离子键和共价键共存.能带和态密度分析发现硼氮交替环状掺杂使碳纳米管超晶格从金属转变为半导体.随着剪切形变加剧,纳米管超晶格能隙逐渐减小,当剪切形变大于12%后,碳纳米管又从半导体变为金属.在光学性能中,剪切形变的硼氮掺杂碳纳米管超晶格的光吸收系数及反射率峰值较未受剪切形变的均减小,且均出现了红移.
- 姜艳刘贵立
- 关键词：电子结构光学性能
- 碳纳米管增强镁基复合材料应力场有限元分析
- 镁基复合材料是近年来发展较快的新型高强轻质复合材料。具有高导电和导热率,高比模量、优良的阻尼减震性能及力学性能,硬度高,耐磨性良好。不仅是航空航天等广泛应用的结构材料,还可作为飞机部件,船体外壳,承力结构,支撑缓冲的基础...
- 姜艳
- 关键词：镁基复合材料碳纳米管长径比
- 文献传递
- 拉伸形变对碳纳米管电子结构的影响被引量：1
- 2018年
- 运用第一性原理研究碳纳米管受不同程度的拉伸形变后,对其电子结构及光学性能的影响。结果发现:拉伸后碳纳米管仍是类似管状结构;对碳纳米管不同程度的拉伸,会使碳纳米管表现出不同的导电性能。拉伸长度为49. 2%时,最小禁带宽度变为0,即碳纳米管由直接带隙半导体变为金属性导体;拉伸后碳纳米管在费米能级处的态密度数值均增大,其物理化学活性增强。
- 姜艳周爽范达志王佼沈杰陈晋
- 关键词：碳纳米管电子结构
- 金属纳米线填充氮硼碳纳米管电子结构与光学性质的研究被引量：4
- 2015年
- 基于第一性原理、密度泛函理论,通过CASTEP模块对填充金,银,铜纳米线的氮硼碳纳米管进行计算,研究其电子结构及光学性质。发现填充不同金属,稳定性由高到低分别为铜填充氮硼纳米管,银填充氮硼纳米管,金填充氮硼纳米管;体系能带图中带隙为零,即金属填充的氮硼纳米管使得本征(8,0)碳纳米管由半导体性转变为金属性;态密度分布中,价带处态密度主要由金属元素的d轨道和氮硼纳米管的s,p轨道贡献,导带处的态密度主要为氮硼纳米管的p轨道贡献;通过差分电荷密度图得知,填充金属的氮硼纳米管中共价键,离子键,金属键共存,光学性能中吸收系数峰值均增大,反射系数均出现红移。
- 姜艳刘贵立宋媛媛周爽王天爽
- 关键词：金属纳米线电子结构
- 建筑墙体支撑辅助装置
- 1.本外观设计产品的名称：建筑墙体支撑辅助装置。;2.本外观设计产品的用途：用于建筑施工辅助工具。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。;4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。;5.请求保护的外观设计包含色彩。
- 姜艳王天爽
- 一种氢氧化镁微粉的分级筛选装置
- 本实用新型公开了一种氢氧化镁微粉的分级筛选装置，包括筛选装置、动力装置、固定板和底座，所述动力装置设置于所述固定板一侧，所述底座设置于所述固定板另一侧，所述筛选装置设置于所述底座的上方；所述筛选装置采用圆柱形结构，所述筛...
- 王佼任凤国沈杰李宁缪茜任立伟姜艳刘丹
- 文献传递
- 拉压变形对B(N)掺杂碳纳米管Al吸附性能的影响被引量：3
- 2016年
- 为了研究(5,5)碳纳米管的B(N)环状掺杂效应,以及拉压变形对B(N)环状掺杂碳纳米管Al吸附性能的影响,采用基于密度泛函理论的平面波赝势和广义梯度近似方法,对B(N)环状掺杂碳纳米管Al吸附模型进行了几何优化,计算了B(N)环状掺杂碳纳米管的形成能,并确定了Al原子的最稳定吸附位置.结果表明,B(N)环状掺杂(5,5)碳纳米管的结构较为稳定.B(N)环状掺杂可以增加碳纳米管与Al之间的吸附能;一定范围内的拉伸和压缩变形则会降低碳纳米管与Al之间的大部分吸附能.
- 刘贵立宋媛媛姜艳周爽王天爽
- 关键词：碳纳米管第一性原理吸附能密度泛函理论
- 一种纳米氢氧化镁制备用反应罐
- 本发明公开了一种纳米氢氧化镁制备用反应罐，包括可溶性镁盐溶液罐、第一进料管、第一恒流泵、安装座、反应罐主体、控制面板，所述反应罐主体一侧设置有所述第一进料管，所述第一进料管上设置有所述第一恒流泵，所述第一进料管上端设置有...
- 王佼任凤国沈杰李宁缪茜任立伟姜艳刘丹
- 文献传递
- 剪切形变下掺杂及缺陷对MoS_(2)电子结构的影响
- 2021年
- 本文利用密度泛函理论,研究剪切形变下掺杂改性及不同类型缺陷对MoS_(2)电子结构的影响.发现:剪切形变下,MoS_(2)+P体系为相对最稳定的结构,掺杂改性相较于缺陷对模型稳定性影响更小;模型MoS_(2)+P+Se中P-Mo键易形成共价键,而其中的Se-Mo键和MoS_(2)+P-Mo-S模型中的P-Mo键,易形成离子键;掺杂使MoS_(2)模型能隙变大,而缺陷使能隙减小,且S和Mo原子共缺陷的模型带隙为0;缺陷相较于掺杂改性模型,更能使Mo原子周围增加电荷聚集度,带隙值更低,更能影响或调控模型的电子结构.
- 姜艳刘贵立秦汉起韩瑞麒王佼沈杰
- 关键词：剪切掺杂电子结构
- 掺杂对MoS_(2)吸附H_(2)的电子结构影响
- 2022年
- 本文应用Materials Studio软件对MoS_(2)分别进行了Si、O、N原子的替换掺杂,以探究掺杂和吸附对MoS_(2)材料的电子结构的影响。研究发现:稳定性由强到弱依次为:O-MoS_(2)-H_(2)、MoS_(2)-H_(2)、N-MoS_(2)-H_(2)、Si-MoS_(2)-H_(2),即O-MoS_(2)-H_(2)的形成能最低,为相对最稳定的结构;掺杂后体系的成键形式更有可能为离子键;吸附和掺杂均能影响MoS_(2)电子结构,MoS_(2)-H_(2)、O-MoS_(2)-H_(2)、Si-MoS_(2)-H_(2)能隙值处于0~2.0eV之间,体系表现为半导体性,N-MoS_(2)-H_(2)能隙值为0eV,体系表现为金属性;掺杂体系中总态密度主要是S、Mo态电子贡献,掺杂原子相比S、Mo态电子贡献很少,且O、N、Si态电子贡献程度依次降低。
- 姜艳刘贵立王天爽韩晶晶王佼沈杰
- 关键词：掺杂电子结构
