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林佳利

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：中山大学更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 5篇图形化
  • 3篇发光
  • 3篇成核
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化物
  • 2篇有源层
  • 2篇外延片
  • 2篇量子效率
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇金字
  • 2篇金字塔
  • 2篇化物
  • 2篇碱性溶液
  • 2篇发光器件
  • 2篇GAN纳米线
  • 1篇电极
  • 1篇电器件
  • 1篇多量子阱
  • 1篇量子

机构

  • 7篇中山大学

作者

  • 7篇张佰君
  • 7篇陈伟杰
  • 7篇林佳利
  • 2篇向鹏
  • 2篇廖强
  • 2篇罗慧
  • 2篇杨亿斌
  • 1篇刘扬
  • 1篇任远

传媒

  • 1篇半导体光电
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 2篇2017
  • 4篇2015
  • 1篇2014
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种GaN纳米线及其制备方法
本发明公开了一种GaN纳米线及其制备方法，GaN纳米线制备方法步骤包括：通过MOCVD在衬底上外延生长三族氮化物薄膜，并在此外延片上制备图形化掩蔽膜，基于MOCVD选择性区域生长方法在该图形化的外延片上生长GaN六角金字...
张佰君陈伟杰林佳利
一种GaN纳米线及其制备方法
本发明公开了一种GaN纳米线及其制备方法，GaN纳米线制备方法步骤包括：通过MOCVD在衬底上外延生长三族氮化物薄膜，并在此外延片上制备图形化掩蔽膜，基于MOCVD选择性区域生长方法在该图形化的外延片上生长GaN六角金字...
张佰君陈伟杰林佳利
文献传递
内嵌有源层的三族氮化物微纳发光器件及制备方法
本发明公开一种内嵌有源层的三族氮化物微纳发光器件及制备方法，发光器件包括初始发光器件、透明导电层、p型电极和n型电极；初始发光器件自下而上依次有衬底、三族氮化物成核层和缓冲层、n型三族氮化物层、图形化5掩蔽膜、选择性外延...
张佰君陈伟杰林佳利胡国亨
高反射率电极及n-GaN表面粗化的InGaN/GaN多量子阱LED的研制被引量：1
2015年
采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au作为LED的p-GaN和n-GaN金属电极,替代低反射率的Cr/Pd/Au电极,减小了金属电极对光的吸收,使入射到高反射率金属电极的光经过反射后增加了出射概率,提高了光萃取效率。通过进一步粗化n-GaN表面,抑制了n-GaN/空气界面的光全反射,提高了光萃取效率。实验结果表明,在350mA电流下,采用高反射率的Cr/Al/Pd/Au电极的LED相比传统电极LED光输出增加了14.3%;结合n-GaN表面粗化,LED的光输出则增加了35.3%。
林秀其柳铭岗杨亿斌任远陈扬翔向鹏陈伟杰韩小标藏文杰林佳利罗慧廖强张佰君
关键词：表面粗化
Si衬底GaN材料外延生长中的应力调控及发光器件研究
张佰君陈扬翔江健良林秀其藏文杰林佳利罗慧廖强刘扬向鹏柳铭岗杨亿斌陈伟杰韩小标胡钢伟林艳胡国亨
一种带有漏电限制层的光电器件及制备方法
本发明公开一种带有漏电限制层的光电器件及制备方法，其中带有漏电限制层的三维微纳发光器件包括初始发光器件、漏电限制层、透明导电层、p型电极和n型电极；初始发光器件自下而上依次有衬底、三族氮化物成核层和缓冲层、n型三族氮化物...
张佰君林佳利陈伟杰
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内嵌有源层的三族氮化物微纳发光器件及制备方法
本发明公开一种内嵌有源层的三族氮化物微纳发光器件及制备方法，发光器件包括初始发光器件、透明导电层、p型电极和n型电极；初始发光器件自下而上依次有衬底、三族氮化物成核层和缓冲层、n型三族氮化物层、图形化5 掩蔽膜、选择性外...
张佰君陈伟杰林佳利胡国亨
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