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李曦
作品数:
12
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供职机构:
上海集成电路研发中心
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相关领域:
文化科学
自动化与计算机技术
电子电信
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合作作者
石艳玲
华东师范大学
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机构
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12篇
中文专利
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电子电信
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自动化与计算...
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文化科学
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电路
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电路版图
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绝缘
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集成电路版图
2篇
寄生参数
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函数
机构
12篇
华东师范大学
12篇
上海集成电路...
作者
12篇
石艳玲
12篇
李曦
年份
1篇
2015
3篇
2013
3篇
2012
4篇
2011
1篇
2008
共
12
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基于SOI衬底的共平面波导及其制作方法
本发明提供了一种基于SOI衬底的共平面波导及其制作方法。所述共平面波导包括SOI衬底,形成在SOI衬底上的二氧化硅层,以及形成在二氧化硅层上且间隔排列的地线和信号线,其中,相邻地线和信号线之间的间隔带上开设有沿地线和信号...
石艳玲
李曦
温秀芝
陈寿面
王勇
文献传递
一种互连延迟寄生参数的分析方法
本发明公开了一种互连延迟寄生参数的分析方法,包括以下步骤:辨认电路的关键路径;提取关键路径的寄生参数;分析工艺波动对寄生参数和电路性能的影响。本发明旨在提出一种准确、消耗资源少、速度快的互连延迟寄生参数的分析方法,适用于...
石艳玲
李曦
汪明娟
张孟迪
任铮
胡少坚
陈寿面
文献传递
应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力模型
本发明提供一种应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力模型,在标准BSIM4模型的基础上,引入了产生应力的版图参量作为实体参数,所述版图参量的值为设计的版图尺寸,包括相邻PC的间距、dummyPC个数、STI与PC间距...
石艳玲
李曦
汪明娟
任铮
胡少坚
陈寿面
彭兴伟
唐逸
平面螺旋电感
本发明公开了一种平面螺旋电感,所述平面螺旋电感包括:半导体衬底;介质层,形成于所述半导体衬底上;平面螺旋电感主体,形成于所述介质层上;绝缘隔离结构,形成于所述半导体衬底中并与所述平面螺旋电感主体相对应。本发明提供的平面螺...
石艳玲
李曦
张建军
赵宇航
王勇
文献传递
应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力的建模方法
本发明提供一种应用于MOSFET电学仿真的BSIM4应力模型,在标准BSIM4模型的基础上,引入了产生应力的版图参量作为实体参数,所述版图参量的值为设计的版图尺寸,包括相邻PC的间距、dummyPC个数、STI与PC间距...
石艳玲
李曦
汪明娟
任铮
胡少坚
陈寿面
彭兴伟
唐逸
文献传递
片上电感集总模型
本发明公开了一种新型片上电感集总模型,所述片上电感集总模型在传统单π电感模型的电感部分接入了并联的R<Sub>0</Sub>和L<Sub>0</Sub>,表征趋肤效应和邻近效应;在衬底部分接入了并联的R<Sub>sub<...
石艳玲
李曦
蔡静
任铮
胡少坚
陈寿面
文献传递
基于版图变化改变互连延迟参数的集成电路分析方法
本发明公开了一种基于版图变化改变互连延迟参数的集成电路分析方法,将同一个集成电路分别设计成多个不同布局的版图文件,根据集成电路的制造工艺文件提取集成电路的工艺层文件,配合提取得到的多个不同布局的版图文件的信息文件,分别进...
石艳玲
李曦
周卉
张孟迪
任铮
胡少坚
陈寿面
文献传递
基于Weibull分布的MOS晶体管可靠性统计模型的建模方法
本发明公开了一种基于Weibull分布的MOS晶体管可靠性统计模型的建模方法,测试MOS晶体管的失效时间数据,经统计分析获得累积分布函数估计值和概率密度函数估计值,绘制累积分布函数曲线和概率密度函数曲线,以其为拟合标准,...
石艳玲
李曦
周卉
任铮
胡少坚
陈寿面
文献传递
基于版图变化改变互连延迟参数的集成电路分析方法
本发明公开了一种基于版图变化改变互连延迟参数的集成电路分析方法,将同一个集成电路分别设计成多个不同布局的版图文件,根据集成电路的制造工艺文件提取集成电路的工艺层文件,配合提取得到的多个不同布局的版图文件的信息文件,分别进...
石艳玲
李曦
周卉
张孟迪
任铮
胡少坚
陈寿面
基于Weibull分布的MOS晶体管可靠性统计模型的建模方法
本发明公开了一种基于Weibull分布的MOS晶体管可靠性统计模型的建模方法,测试MOS晶体管的失效时间数据,经统计分析获得累积分布函数估计值和概率密度函数估计值,绘制累积分布函数曲线和概率密度函数曲线,以其为拟合标准,...
石艳玲
李曦
周卉
任铮
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