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朱峰

作品数：2 被引量：4H指数：1
供职机构：华南理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氧化铟
  • 1篇氧化铪
  • 1篇退火
  • 1篇介质层
  • 1篇晶体管
  • 1篇非晶
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管
  • 1篇铜
  • 1篇锌
  • 1篇钼
  • 1篇镓
  • 1篇HFO
  • 1篇高性能

机构

  • 2篇华南理工大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇徐苗
  • 2篇彭俊彪
  • 2篇兰林锋
  • 2篇宁洪龙
  • 2篇王磊
  • 2篇姚日晖
  • 2篇朱峰
  • 1篇陶洪
  • 1篇邹建华
  • 1篇徐华
  • 1篇曾勇
  • 1篇蔡炜
  • 1篇郑泽科
  • 1篇陈建秋

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
薄膜晶体管中高性能HfO_2的低温制备研究被引量：1
2016年
采用电子束蒸镀在ITO上沉积Hf O2,研究了不同退火工艺对其电学性能的影响。当450℃时O2退火,Hf O2的漏电迅速增加,通过X射线衍射发现Hf O2有单斜相等结晶生成。450℃下N2退火,Hf O2结构则没有明显晶体和晶界结构,且N2气氛退火的Hf O2漏电约为O2气氛退火的1/10。
陶瑞强姚日晖朱峰胡诗犇刘贤哲曾勇陈建秋郑泽科蔡炜宁洪龙徐苗兰林锋王磊彭俊彪
关键词：氧化铪退火薄膜晶体管
铜-钼源漏电极对非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管性能的改善被引量：3
2015年
在铜(Cu)和非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)之间插入30 nm厚的钼(Mo)接触层,制备了具有Cu-Mo源漏电极的a-IGZO薄膜晶体管(TFT).Mo接触层不仅能够抑制Cu与a-IGZO有源层之间的扩散,而且提高了Cu电极与玻璃基底以及栅极绝缘层的结合强度.制备的Cu-Mo结构TFT与纯Cu结构TFT相比,具有较高的迁移率(～9.26 cm2·V-1·s-1)、更短的电流传输长度(～0.2μm)、更低的接触电阻(～1072Ω)和有效接触电阻率(～1×10-4Ω·cm2),能够满足TFT阵列高导互联的要求.
宁洪龙胡诗犇朱峰姚日晖徐苗邹建华陶洪徐瑞霞徐华王磊兰林锋彭俊彪
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