李祯
- 作品数：24 被引量：34H指数：4
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- 相关领域：化学工程一般工业技术电子电信理学更多>>
- 高性能透明镁铝尖晶石陶瓷的制备及应用
- 雷牧云宋庆海李祯黄存新沈德忠杨永良石景富葛世艳娄载亮赵艳民
- 高性能透明镁铝尖晶石陶瓷(以下简称TMAC)材料属于无机非金属材料领域中高技术陶瓷范畴。TMAC在紫外、可见光、红外波段具有优良的透过性能，主要应用在光电材料领域，作为窗口材料、透明防护材料和基片材料等。该项目从制备高纯...
- 关键词：
- 关键词：无机非金属材料
- 透明尖晶石陶瓷的高温性能和应用研究被引量：4
- 2009年
- 以高纯、超细的镁铝尖晶石粉末作为起始原料,采用真空热压烧结与热等静压法相结合制备透明尖晶石陶瓷材料(TMAC)。测试了TMAC材料的高温性能,并探讨其可能的应用。从室温到250℃,材料的抗弯强度没有发生明显的变化;从室温到900℃的热膨胀系数和电阻率测试结果表明该材料有良好的稳定性和电绝缘性能;经过从室温到1100℃的退火,TMAC的红外透过率和面形均未发生明显变化,表明材料有比较好的耐高温性能。
- 雷牧云李法荟闻芳汪志华李祯宋庆海
- 关键词：透明陶瓷尖晶石高温性能
- 透明MgO·nAl_(2)O_(3)尖晶石陶瓷雾度分析被引量：1
- 2021年
- 以高纯超细粉体为原料,采用热压(HP)结合热等静压(HIP)法制备了透明MgO·nAl_(2)O_(3)(n=0.98、1、1.1、1.2、1.3)尖晶石陶瓷。雾在透明陶瓷中十分常见,严重云雾的存在大幅降低透光率,影响陶瓷的力学性能。为了获得光学质量优异、力学性能适宜的MgO·nAl_(2)O_(3)尖晶石,对尖晶石中的雾度进行了测量,并对雾的形成进行了分析。通过扫描电镜(SEM)发现,在雾较重的富镁半透明样品中,晶界处有许多圆形晶粒。用能谱仪(EDS)测定了圆形晶粒的组成为n=0.41。第二相MgO由于镁过量而易析出,严重降低了晶界强度,影响陶瓷的力学性能。MgO相与尖晶石相具有不同的折射率,会引起严重的光散射,降低样品的透过率。在另一试样中,测得晶界处颗粒组成为n=1.33,测得该富铝试样的抗弯强度远远高于n=1试样和富镁试样。
- 庞珍丽李祯王立弟田庭燕
- 关键词：尖晶石雾度透明陶瓷热等静压
- MgAl2O4荧光透明陶瓷的制备及性能研究
- 本文采用制备透明陶瓷用的高纯铝酸镁粉体,掺杂市售的黄色荧光粉作为原料,经过热压或热压与热等静压结合的烧结工艺制备出荧光透明陶瓷。将两种工艺所制备的荧光透明陶瓷加工后与蓝光芯片封装,均得到部分透过陶瓷的蓝光与芯片激发荧光陶...
- 雷牧云李祯贺龙飞范广涵娄载亮
- 关键词：陶瓷封装MGAL2O4LED
- 非化学计量比镁铝尖晶石透明陶瓷的制备及性能被引量：6
- 2011年
- 制备了一系列非化学计量比镁铝尖晶石粉体及透明陶瓷(MgO.nAl2O3,n=1,1.5,2,4),研究了n值对粉体物相的影响以及n值与陶瓷中波红外透过率、抗弯强度的关系。n值为1.5、2、4时,MgO.nAl2O3粉体仍可保持纯尖晶石相。MgO.1.5Al2O3透明陶瓷在具备与计量比镁铝尖晶石透明陶瓷(MgAl2O4,即MgO.Al2O3)相当的优良中波红外透过率的同时,抗弯强度从152 MPa提高至215 MPa,提高幅度达41%。力学性能的提升有利于镁铝尖晶石透明陶瓷的应用。
- 李祯雷牧云娄载亮赵艳民葛世艳李法荟
- 关键词：镁铝尖晶石透明陶瓷中波红外抗弯强度
- 透明尖晶石陶瓷的高温性能和应用研究
- 本文采用高纯、超细的尖晶石粉末作为起始原料,分别用真空热压烧结和真空烧结结合热等静压法制备各种形状的TMAC;测试了TMAC材料的高温性能。测试了TMAC从室温到250℃的抗弯强度,在此温度范
- 雷牧云闻芳宋庆海李祯汪志华
- 关键词：真空热压烧结真空烧结高温性能
- 文献传递
- 氧化钇透明陶瓷的烧结工艺研究
- 自制高性能氧化钇粉体，分别添加0.5％～3％(质量分数。下同)氟化锂，0.5％～3％无水氯化钙与氟化锂作为助烧剂，采用钢模压制成型，然后进行真空热压烧结，真空热压温度1300～1550℃。保温时间2h，然后再进行热等静压...
- 赵艳民雷牧云李祯娄载亮王立弟闻芳
- 关键词：红外材料透明陶瓷真空热压烧结
- 一种惰性气氛烧结镁铝尖晶石透明陶瓷的方法
- 本发明公开了一种惰性气氛烧结镁铝尖晶石透明陶瓷的方法,包括以下步骤：将镁铝尖晶石粉体加入LiF，常温常压下球磨，造粒，得到镁铝尖晶石球状粉体；将镁铝尖晶石球状粉体装入石墨模具，放入真空热压烧结炉中进行真空烧结，然后卸压降...
- 庞珍丽尹利君李祯雷牧云王立弟
- 文献传递
- 一种利用透明陶瓷制备LED的方法
- 本发明公开了一种利用透明陶瓷制备LED的方法，具体为：将设定量的荧光粉加入到透明陶瓷粉体中，荧光粉的掺入比例为0.01到100wt.％；将原料充分混合后，采用陶瓷制备工艺制备出荧光透明陶瓷；将制备出的荧光透明陶瓷和半导体...
- 雷牧云李祯赵艳民娄载亮杨永良宋庆海
- 文献传递
- K4体系KTP晶体的制备及其性能研究被引量：1
- 2011年
- 本文选用K4P2O7助溶剂体系生长KTP晶体,所生长的晶体具有低吸收率和蓝、绿光波段抗灰迹性能,确定其最佳生长配比为KTP/K4=0.8 mol/mol,测定其饱和点为850℃左右,从饱和点缓慢降温到820℃所生长晶体质量最佳,并对其进行了PCI抗灰迹吸收测试、倍频效率测试、电导率测试。结果表明:在同样原料纯度的情况下,吸收系数只有普通K6体系KTP晶体的十几分之一;1064 nm调Q到绿光的转化效率为61.8%(普通KTP转化效率为50%);在1 kV直流长时间加压条件下,Z向电导率达到10-10 S/cm量级,较普通K6体系生长的KTP晶体低2～3个数量级。
- 葛世艳师瑞泽肖亚波李祯张杰姜秀丽王立弟
