孙东明
- 作品数：35 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院金属研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院重点部署项目中国科学院“百人计划”国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种基于碳纳米管插入层减弱金属/锗费米能级钉扎效应的异质结及其制作方法
- 本发明涉及新型半导体器件的研发与应用领域，具体为一种基于碳纳米管插入层减弱金属/锗费米能级钉扎效应的异质结及其制作方法。该异质结是由顶部金属电极、碳纳米管薄膜插入层、锗衬底组成，锗衬底的顶部依次设置碳纳米管薄膜插入层和顶...
- 刘驰魏玉宁孙东明成会明
- 一种基于氧化钼／二硫化钼／氧化钼异质结构的光电晶体管及其制作方法
- 本发明涉及新型纳米半导体材料光电晶体管的研发与应用领域，具体为一种基于氧化钼/二硫化钼/氧化钼异质结构的光电晶体管及其制作方法。二硫化钼(MoS<Sub>2</Sub>)因具有优异的光吸收效率和高稳定性而被认为是实现光电...
- 刘驰冯顺孙东明成会明
- 基于石墨烯插入层降低暗电流的高性能Au／Gr／Ge光电探测器及构筑方法
- 本发明涉及光电探测器的研发与应用领域，具体为一种基于石墨烯插入层降低暗电流的高性能Au/Gr/Ge光电探测器及构筑方法。该光电探测器包括顶部金属电极、晶圆级石墨烯插入层、Ge衬底，Ge衬底的顶部依次设置晶圆级石墨烯插入层...
- 刘驰蒋海燕李波孙东明成会明
- 低功耗热发射极晶体管
- 2024年
- 集成电路是现代信息技术的基石,而晶体管则是集成电路的基本单元。沿着摩尔定律[1]发展,现代集成电路的集成度不断提升,目前单个芯片上已经可以集成数百亿个晶体管[2]。然而,晶体管的功耗问题成为了限制集成电路进一步发展的主要瓶颈[3]。从电子器件的角度出发,克服该难题的关键方法之一是降低晶体管的亚阈值摆幅(subthreshold swing,SS),即减少使晶体管电流变化一个数量级所需要的栅极电压变化。然而,传统金属—半导体场效应管(MOSFET)的亚阈值摆幅受限于载流子的玻尔兹曼分布,无法低于60 mV/dec[4],因此探索具有新工作原理的器件已成为晶体管研究中最重要的方向之一[5]。
- 刘驰王鑫哲孙东明
- 关键词：场效应管玻尔兹曼分布栅极电压电流变化现代信息技术
- 一体化工作芯片／热电制冷芯片散热温控结构和集成方法
- 本发明涉及芯片封装及热管理领域，具体涉及一种一体化工作芯片/热电制冷芯片散热温控结构和集成方法。该结构包括：工作芯片、第一电极层、热电颗粒层、第二电极层、微流控芯片层或散热器层。集成方法包括：电极直接生长技术、热电颗粒切...
- 邰凯平孙东明喻海龙赵洋
- 基于铝纳米晶浮栅的柔性碳纳米管光电记忆存储器
- 本发明涉及柔性碳纳米管光电记忆存储器的研发与应用领域，具体为一种采用铝纳米晶作为浮栅层、氧化生成的氧化铝作为隧穿层的柔性碳纳米管光电记忆存储器及其制作和作为光电传感及记忆存储器件的应用。采用高纯度半导体性碳纳米管薄膜作为...
- 孙陨曲庭玉孙东明朱钱兵成会明
- 微型热电器件
- 本实用新型涉及半导体器件领域，具体为一种微型热电器件。该热电器件包括底部基板、顶部基板和热电单元，底部基板的上方相对设置顶部基板，每个热电单元与底部基板、顶部基板对应的两端分别设置过渡层，底部基板通过其上的功能层与热电单...
- 邰凯平赵洋乔吉祥孙东明
- 文献传递
- 基于液相MXene材料的薄膜均匀沉积、高精度图案化的光电器件规模化制备方法
- 本发明涉及MXene基光电探测器的研发与应用领域，具体为一种基于液相MXene材料的薄膜均匀沉积、高精度图案化的光电器件规模化制备方法。本发明通过匀胶机旋涂MXene材料悬浮液，在硅片上制备均匀的MXene材料薄膜；采用...
- 孙东明李波朱钱兵崔聪王晓辉
- 碳纳米管和石墨烯在柔性电子器件中的应用被引量：2
- 2013年
- 碳纳米管和石墨烯等新型碳纳米材料具有优异的电学、光学和力学特性,在柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。从碳纳米材料的制备和器件的构建角度出发,本文介绍了基于碳纳米管和石墨烯的薄膜晶体管器件的最新研究进展。我们将已有碳基薄膜晶体管器件的构建方法分为固相法、液相法和气相法三类,重点讨论和比较了不同方法的技术特点和发展潜力,指出了碳纳米管和石墨烯材料在柔性电子器件领域中可能的实际应用前景和趋势展望。
- 汪炳伟孙东明
- 关键词：碳纳米管石墨烯
- 一种基于感光干膜工艺的碳纳米管薄膜晶体管及制作方法
- 本发明涉及新型碳纳米管薄膜晶体管的研发与应用领域，具体为一种基于感光干膜工艺的碳纳米管薄膜晶体管及制作方法。碳纳米管薄膜晶体管包括衬底以及衬底之上的源极、漏极、半导体沟道、栅绝缘层和栅极，源极、漏极、栅极和半导体沟道由碳...
- 孙东明陈永洋闫欣孙陨刘畅成会明
- 文献传递
