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高瑛

作品数：30 被引量：33H指数：4
供职机构：中国科学院长春物理所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 23篇电子电信
  • 9篇理学

主题

  • 16篇发光
  • 11篇光致
  • 10篇深能级
  • 10篇能级
  • 10篇光致发光
  • 7篇光学
  • 6篇光学性
  • 6篇光学性质
  • 6篇半导体
  • 6篇超微粒
  • 6篇超微粒子
  • 5篇砷化镓
  • 5篇红外
  • 4篇外延层
  • 4篇二极管
  • 4篇发光二极管
  • 4篇GAP
  • 4篇衬底
  • 3篇氮化镓
  • 3篇修饰

机构

  • 19篇中国科学院长...
  • 8篇中国科学院长...
  • 6篇吉林大学
  • 4篇中国民用航空...
  • 3篇中国科学院
  • 2篇河北半导体研...
  • 2篇浙江大学
  • 1篇东北师范大学
  • 1篇天津理工学院
  • 1篇中国科学院长...
  • 1篇机电部

作者

  • 30篇高瑛
  • 23篇赵家龙
  • 9篇黄世华
  • 8篇刘学彦
  • 8篇虞家琪
  • 7篇梁家昌
  • 7篇苏锡安
  • 7篇刘学彦
  • 6篇靳春明
  • 5篇邹炳锁
  • 4篇高鸿楷
  • 3篇李守田
  • 3篇龚平
  • 3篇窦恺
  • 2篇丁祖昌
  • 2篇关兴国
  • 2篇张岩
  • 2篇胡恺生
  • 2篇章其麟
  • 2篇刘益春

传媒

  • 7篇发光学报
  • 4篇Journa...
  • 3篇光学学报
  • 3篇光电子技术
  • 2篇光子学报
  • 1篇河北大学学报...
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇吉林大学自然...
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  • 1篇稀有金属
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇中国民航学院...
  • 1篇第五届全国基...
  • 1篇第四届全国发...

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 4篇1996
  • 7篇1995
  • 3篇1994
  • 5篇1993
  • 6篇1992
  • 2篇1990
  • 1篇1986
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
深能级及其在发光研究中的应用
1995年
本文介绍了三种测量深能级的基本方法──深能级瞬态能谱（ＤＬＴＳ）、光致发光（ＰＬ）、光电容（ＰＣ）及用它们研究不同发光材料和器件的结果．其中包括发光二极管的效率和退化过程、ＧａＮ材料中蓝色发光深中心、ＺｎＳ场致发光薄膜的初始载流子源以及用ＭＯＣＶＤ法生长Ⅲ－Ⅴ族单晶薄膜的缺陷分析，它是将半导体深能级的基础知识运甲于发光机理和光电特性研究，在不同的领域中所取得的进展。
高瑛赵家龙刘学彦苏锡安粱家昌胡恺生
关键词：深能级场致发光
Si衬底上生长的GaAs薄膜中深中心发光的温度效应
1995年
测量了Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱，研究了０．７８ｅＶ、０．８４ｅＶ和０．９３ｅＶ发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系，发现它们的发光强度随温度的变化服从描述非晶半导体中局域态发光的公式。最后讨论了这些发光带的来源。
赵家龙高瑛刘学彦窦恺黄世华虞家琪梁家昌高鸿楷
关键词：光致发光深中心砷化镓半导体薄膜
APMOCVD生长条件对GaN晶体和光学性质的影响
1998年
报道了用国产ＡＰＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＮ材料。研究了ＧａＮ过渡层生长温度、氮化时间、Ⅴ／Ⅲ比对ＧａＮ外延层晶体质量、光学性质的影响。发现低温生长ＧａＮ过渡层和氮化处理有利于提高ＧａＮ外延层晶体质量，高Ⅴ／Ⅲ比可以抑制ＧａＮ外延层中５５０ｎｍ左右的发光。
缪国庆朱景义高瑛李玉琴元金山
关键词：氮化镓
老化产生的深能级对GaP纯绿发光二极管发光效率的影响
1996年
测量了ＧａＰ纯绿发光二极管老化前后的可见和近红外发光光谱，研究了老化产生的深能级的来源及其对二极管发光效率的影响．在老化后的发光光谱中观测到６５０ｎｍ和１２６０ｎｍ发光带，发现１２６０ｎｍ发光带的发光强度随老化时间的增加而增强。实验结果表明老化产生的与磷相关的深能级严重地影响了ＧａＰ纯绿ＬＥＤ的发光效率。
苏锡安高瑛赵家龙刘学参
关键词：深能级发光二极管电致发光
InP中和C带有关深能级的近红外光致发光被引量：1
1990年
本文用红外光致发光方法研究了InP中与C带有关的深能级的性质和起源。峰值位于价带上0.34eV(77K)附近的宽谱带普遍存在于不同方式生长的InP外延层和掺Sn与不掺杂的衬底中,且与P空位引起的复合缺陷有关。 通过红外光致发光强度对温度的依赖关系得到C带的热激活能为0.17eV。这刚好与采用σ函数来描述深能级的Locovsky模型相吻合,光谱线型与温度猝灭的量子力学位形坐标模型拟合,得到与C带有关的深能级hv=0.02eV,S=8。
高瑛刘学彦刘益春阎大卫
关键词：INPC带能级光致红外
GaP纯绿发光二极管的近红外发光研究被引量：1
1993年
本文测量了GaP纯绿发光二极管在室温和液氮温度下的近红外发光光谱,观测到许多重叠的宽带发光.按高斯线型对光谱进行拟合,将其分解为6个发光谱峰,讨论了这些深能级发光的来源和它们对GaP发光二极管的发光强度的影响.
赵家龙高瑛刘学彦苏锡安丁祖昌毋必先张松斌
关键词：近红外发光发光二极管磷化镓
In_（0．6）Ga_（0．4）As／InP应变量子阱的光致发光
1995年
本文研究了不同阱宽的Ｉｎ０．６Ｇａ０．４Ａｓ／ＩｎＰ应变量子阱的光致发光，通过量子尺寸效应和压缩应变引起的峰值能量位移判断了不同谱峰的跃迁．在一定的温度范围内，相应量子阱的发光强度随着温度的升高而增加，当温度高出此范围，其光强随温度的升高而减小，此温区不仅与阱宽有关。且随激发光强而变化．我们用量子阱的限制效应和激子的转换机理，初步探讨了此温度范围的形成和消失．
高瑛刘学彦赵家龙苏锡安秦福文杨树人刘宝林陈佰军刘式墉
关键词：INGAAS磷化铟光致发光
GaP：N发光二极管深能级对发光特性的影响
1996年
测量了ＧａＰ：Ｎ绿色发光二极管老化前后的可见和近红外发光光谱．从谱中可见，老化后的５９０ｕｍ和１２６０ｕｍ发光带的发光强度较老化前明显增强，６５０ｕｍ有新的发光带．研究了老化产生的深能级的来源及对ＬＥＤ发光特性的影响．
苏锡安高瑛赵家龙刘学彦
关键词：发光二极管深能级电致发光磷化镓
金属有机化学气相沉积GaAs／Si外延层中的深能级发光对温度的依赖关系
1995年
本文测量了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的深能级发光光谱对温度的依赖关系，系统地研究了１．１３和１．０４ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随着温度的变化关系，获得了它们的热激活能，Ｈｕａｎｇ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移，并讨论其来源．
赵家龙高瑛刘学彦苏锡安梁家昌高鸿楷龚平王海滨
关键词：砷化镓外延层MOCVD温度
多层场致发光薄膜的初始载流子源
1995年
热电子的碰撞引起发光中心的激发，碰撞离化截面与热电子的能量紧密相关，因此，了解初始电子的来源非常重要。本文提出了分层优化多层场致发光薄膜的等效电路，并比较了多层和三层薄膜的电荷－电压特性。通过多层和单层结构光电容的变化，测量了它们的深能级参数，其深度和浓度分别为1．51eV、1．88eV、2．14eV、2．58eV、2．95eV及4．2×1013cm－3、6．4×1014cm－3、1．4×1015cm－3，1．0×1013cm－3。并由深能级的空间分布，研究了多层场致发光薄膜的初始载流子来源。除2．14eV能级来源于ZnS发光层体内，其余的能级产生均与绝缘层及其界面有关。
高瑛邓振波徐叙瑢
关键词：深能级
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