王同祥
- 作品数：15 被引量：23H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金国防科技重点实验室基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- SiC芯片在片测试分析
- 本文对利用电子束、离子束技术研制的SiC芯片进行了S参数在片测试方法研究,利用ADS2003软件,编写优化方程进行仿真,准确计算出SiC器件的单向功率增益Gu、共源电路短路下的电流增益H21,介绍了两种方法计算得出SiC...
- 王同祥王生国李亮潘宏菽
- 关键词：电子束S参数仿真碳化硅
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- GaAs MESFET开关的设计和建模被引量：1
- 2003年
- 简要分析了MESFET开关的等效电路模型和MESFET开关器件的设计考虑,以及材料参数和器件结构对开关性能的影响,并设计制作了6组不同栅宽的MESFET开关.应用Modeling建模软件,分别对6组不同栅宽的MESFET开关进行建模,提取出开关的等效电路模型参数;从参数分析中找到了其随栅宽的线性变化规律,根据此变化规律,可以实现对任意栅宽MESFET开关的定标.
- 申华军杨瑞霞高学邦王同祥
- 关键词：栅宽定标
- 使用SEM分析GaAs MMIC制作中的通孔工艺问题
- 背面通孔是GaAs MMIC制造工艺中的一个重要步骤.通路孔在接地灵活性和减少接地电感方面比其它接地方法更具优越性.背面通孔的形貌和大小将会对后面的工艺产生很大的影响.因此,使用SEM对背面通孔工艺进行研究变得尤为重要.
- 刘立浩杨瑞霞王同祥张雄文周瑞
- 关键词：半导体集成电路砷化镓电镜观察扫描电镜
- 文献传递
- 半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法
- 本发明公开了一种半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法,它用普通工艺设备,采用双层光刻胶,利用两种介质腐蚀速率差异大的特性,反应离子刻蚀后,去除腐蚀速率快的介质,由腐蚀速率慢的介质和光刻胶构成栅窗口。一次光刻,不用套...
- 丁奎章宋力波王同祥冯震
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- 瓦级输出功率的4H-SiC MESFET研制
- 本文采用国产4H-SiC外延片,在2GHz下研制出输出功率1.3W、功率增益6.5dB的功率SiC MESFET,并对芯片加工工艺和器件的测试技术进行了分析,给出了相应的工艺和测试结果.
- 潘宏菽李亮王同祥
- 关键词：碳化硅微波功率晶体管
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- 宽带GaAs MMIC功率放大器的设计被引量：1
- 2005年
- 概述了GaAs MMIC放大器的技术发展,探讨了功率单片的设计技术.介绍了一种S/C波段宽带GaAs MMIC功率放大器的设计与工艺制作情况.该芯片采用有耗匹配电路结构,利用HFET工艺制作,在3～6GHz频段内饱和输出功率达到3W,功率增益大于23dB,输入、输出驻波比均小于2.5:1,效率为18～25%.
- 张务永王翠卿王生国王同祥张慕义
- 关键词：宽带MMIC功率HFET
- SIC MESFET微波功率测试技术
- 本文对SICMESFET的微波测试技术进行了分析,针对这一采用第三代半导体材料研制的器件,结合硅微波双极功率晶体管和GAASMESFET的测试技术,建立了SICMESFET的微波测试系统,完成了2GHZ工作频率下瓦级功率...
- 王同祥潘宏菽李亮
- 关键词：微波功率输出功率
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- X波段GaAs单片五位数字移相器被引量：6
- 2003年
- 设计并制作了X波段五位GaAs MMIC(微波单片集成电路)数字移相器,采用MESFET作为开关元件,五个移相位线性级联布置。在9～10GHz的频率范围内,用HP-8510网络分析仪测试得到的微波性能表明:移相器的插入损耗为(7.2±1)dB,RMS(均方根)相位误差小于5°,回波损耗优于-13dB。
- 申华军杨瑞霞王同祥吴阿惠谢媛媛邱旭
- 关键词：X波段MMIC移相器
- 使用SEM分析GaAs MMIC制作中的通孔工艺问题
- 2002年
- 刘立浩杨瑞霞王同祥张雄文周瑞
- 关键词：SEMGAASMMIC扫描电镜砷化镓微波功率场效应晶体管
- 半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法
- 本发明公开了一种半导体器件栅帽与栅足自对准的T形栅加工方法，它用普通工艺设备，采用双层光刻胶，利用两种介质腐蚀速率差异大的特性，反应离子刻蚀后，去除腐蚀速率快的介质，由腐蚀速率慢的介质和光刻胶构成栅窗口。一次光刻，不用套...
- 丁奎章宋力波王同祥冯震
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