公共文化服务平台

共 1 条记录，以下是 1-1

全选清除导出

排序方式：

As^+沟道注入硅(100)的损伤、二次缺陷及载流子分布特征: 1991年; 本文利用沟道背散射分析技术、剖面透射电子显微镜(XTEM)等对150keV As^+沿〈100〉沟道方向注入硅的基本特征和临界条件进行了分析测试.剂量达到1×10^(14)/cm^2时,浅注入区(0-0.2μm)晶格损伤严重,导致沟道注入效应基本消失.沟道深注入区(0.2-0.6μm)形成均匀的轻度损伤.常规退火后,沟道深注入区内的载流子浓度一般不超过2×10^(17)/cm^3,本文称之为沟道注入饱和浓度.还发现沟道注入造成的非晶层比相同剂量下随机注入造成的非晶层略厚一些.退火后残留的二次缺陷仍在原重损伤层与衬底之间的过渡区.; 张伯旭罗晏王忠烈; 关键词：硅载流子分布

全选清除导出

共1页<1>

张伯旭