陈齐松
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：桂林电子科技大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西信息材料重点实验室主任基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术理学电气工程更多>>
- Ag/La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3/p^+-Si三明治结构器件的电致阻变性能研究
- 2015年
- 采用溶胶-凝胶工艺在p+-Si基片上制备了La0.67Ca0.33Mn O3薄膜,构建了Ag/La0.67Ca0.33Mn O3/p+-Si三明治结构的阻变器件,研究了器件的电致阻变性能。结果表明:Ag/La0.67Ca0.33Mn O3/p+-Si器件具有明显的双极性阻变特性,其高阻态(HRS)与低阻态(LRS)比(HRS/LRS)高于104,器件在高阻态和低阻态的电荷传导机制分别遵循Schottky势垒导电机制与空间电荷限制电流机制(SCLC)。器件在2×103次可逆循环测试下,高、低阻态比无明显变化,表现出良好的抗疲劳特性。根据器件的高、低阻态阻抗谱,可以得到阻变效应是由器件界面的肖特基势垒的改变与器件内部缺陷填充共同作用的。
- 韦长成王华许积文张小文杨玲陈齐松
- 预热处理温度对低温制备Mn掺杂ZnO薄膜结构和阻变性能的影响
- 2015年
- 以水合乙酸锌、水合乙酸锰为前驱体,利用溶胶-凝胶旋涂法在p＋-Si衬底上制备Mn掺杂的ZnO阻变薄膜（MZO）。研究工艺中预热处理温度对薄膜的微观结构、阻变特性的影响,分析了薄膜高阻态和低阻态的导电机理。结果表明：经250、300℃预热处理的MZO薄膜孔洞较多,而经350℃预热处理的MZO薄膜致密,无孔洞且呈c轴择优取向生长;经不同温度预热处理所制备的Ag/MZO/p＋-Si器件均呈双极性的阻变特性,但经350℃预热处理的器件样品具有更显著的阻变行为和更高的高、低电阻比RHRS/RLRS（104~106）;器件在高阻态的低压区为欧姆导电,高阻态高压区为肖特基发射电流传导,在低阻态为空间电荷限制电流（SCLC）传导。
- 陈齐松王华许积文韦长成张玉佩
- 关键词：溶胶凝胶
- 高性能Ag/La_(0.7)Mg_(0.3)MnO_3/p^+-Si阻变器件的研究被引量：1
- 2015年
- 采用溶胶-凝胶工艺在p型单晶硅衬底上制备了La_(0.7)Mg_(0.3)MnO_3薄膜,对薄膜的微观结构及Ag/La_(0.7)Mg_(0.3)MnO_3/p+-Si器件的电致阻变性能进行了研究。结果表明:La_(0.7)Mg_(0.3)MnO_3薄膜在经过700℃退火2 h后为单一的钙钛矿结构,沿(112)晶向择优生长,薄膜致密平整;Ag/La_(0.7)Mg_(0.3)MnO_3/p+-Si阻变器件具有典型的双极型阻变特性,具有非常高的电阻开关比,其高阻态(HRS)与低阻态(LRS)的比值高于105,以及较佳的耐疲劳性能,器件在1000次循环后高、低阻态比值没有明显变化;器件在高阻态(HRS)时的导电机制为Schotty势垒发射效应,低阻态(LRS)导电机制为导电细丝机制。
- 闫帅帅王华许积文杨玲陈齐松
- 关键词：溶胶-凝胶异质结
