陈晓宇
- 作品数：14 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种基于ISSG工艺的EEPROM存储器及制备方法
- 本发明涉及硅微电子技术领域，具体为一种基于ISSG工艺的EEPROM存储器及制备方法，该存储器以ISSG SiO<Sub>2</Sub>层作为内核器件和输入/输出器件的栅介质层，且存储管浮栅极与控制栅极之间的ONO介质层...
- 陈宝忠陈晓宇刘存生薛东风
- 一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种低导通电阻、高放大倍数NPN晶体管及其制备方法，提供P型衬底，通过N型离子注入，在P型衬底上形成BNW区；在BNW区的底部形成一定厚度的DNW区；在BNW区上端面的边缘和内部分别形成一个闭环的场区隔离；在...
- 陈晓宇赵杰孙有民薛智民
- 文献传递
- 一种焊盘下器件的双顶层金属CMOS工艺
- 本发明一种焊盘下器件的双顶层金属CMOS工艺，在硅衬底上形成有源区，之后在NMOS的有源区上形成P阱，在PMOS的有源区上形成N阱，然后形成场氧化层和进行阈值注入，形成栅氧层和多晶栅，接下来按照0.13～0.8μm硅栅C...
- 陈晓宇曹磊赵杰孙有民
- 文献传递
- 一种提高栅氧可靠性和抗辐射特性的HTO/SiO<Sub>2</Sub>复合栅CMOS器件及工艺
- 本发明一种提高栅氧可靠性和抗辐射特性的HTO/SiO<Sub>2</Sub>复合栅CMOS器件及工艺，所述工艺先分别按照铝栅工艺和硅栅工艺在在硅衬底上完成阈值注入，然后按改进的工艺依次生长SiO<Sub>2</Sub>栅...
- 陈晓宇赵桂茹葛洪磊孙有民薛智民
- 文献传递
- 高可靠抗辐射CMOS复合栅工艺被引量：1
- 2020年
- 针对CMOS器件栅氧化层的早期失效问题,研究了化学气相沉积(CVD)氧化层/热氧化层的双层复合栅结构。对高温氧化(HTO)层、等离子体增强正硅酸乙酯(PETEOS)和低压正硅酸乙酯(LPTEOS)三种CVD氧化层进行了对比,从中优选HTO层作为复合栅的CVD氧化层,制备了一款专用集成电路(ASIC),并使用60Co源γ射线对其进行3×103 Gy(Si)总剂量辐照试验。结果表明,HTO/SiO2复合栅能够满足电路的阈值电压、功耗、延时等参数要求,并具有较好的抗总剂量辐射性能。由于SiO2层和HTO层中缺陷线的错位排列,避免了复合栅从HTO上表面到SiO2下表面的漏电通路,明显减少了电路与栅氧化层相关的早期失效。HTO/SiO2复合栅结构对于小尺寸(亚微米)CMOS和特种工艺器件的栅氧化层可靠性和抗辐射性能的提升具有一定的借鉴价值。
- 陈晓宇葛洪磊赵桂茹孙有民薛智民
- 关键词：CMOS总剂量效应
- 一种带硅化物的场加固抗总剂量辐射CMOS器件及工艺
- 本发明一种带硅化物的场加固抗总剂量辐射CMOS器件及工艺，所述工艺先形成N阱和P阱，然后进行N场条注入，提高了最终形成的NMOS器件场区边缘处的开启阈值，接着多晶栅覆盖栅氧下方的硅衬底中形成器件沟道，N型和P型轻掺杂源漏...
- 陈晓宇曹磊宋坤赵杰孙有民薛智民
- 文献传递
- 一种PIP电容的制备方法
- 本发明涉及CMOS集成电路制造工艺领域，公开了一种PIP电容的制备方法，首先，通过注入减少PIP电容下极板WSi<Sub>x</Sub>薄膜应力，然后，通过干法刻蚀减少PIP电容下极板表面寄生的SiO<Sub>2</Su...
- 陈晓宇薛东风赵杰刘存生陈宝忠
- 一种带硅化物的场加固抗总剂量辐射CMOS器件及工艺
- 本发明一种带硅化物的场加固抗总剂量辐射CMOS器件及工艺，所述工艺先形成N阱和P阱，然后进行N场条注入，提高了最终形成的NMOS器件场区边缘处的开启阈值，接着多晶栅覆盖栅氧下方的硅衬底中形成器件沟道，N型和P型轻掺杂源漏...
- 陈晓宇曹磊宋坤赵杰孙有民薛智民
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- 一种提高栅氧可靠性和抗辐射特性的HTO/SiO<Sub>2</Sub>复合栅CMOS器件及工艺
- 本发明一种提高栅氧可靠性和抗辐射特性的HTO/SiO<Sub>2</Sub>复合栅CMOS器件及工艺，所述工艺先分别按照铝栅工艺和硅栅工艺在在硅衬底上完成阈值注入，然后按改进的工艺依次生长SiO<Sub>2</Sub>栅...
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- 激光退火工艺中表面图形/颗粒诱生的波纹研究
- 2014年
- 研究了激光退火工艺中由于硅片表面图形/颗粒诱生的波纹结构和形成波纹的临界能量,分析了波纹产生的机理,并提出了预防措施。使用原子力显微镜(AFM)观察波纹的形貌,通过俄歇电子能谱(AES)对形成波纹的纳米颗粒进行了分析,结果表明,在硅片表面颗粒周围形成水波状波纹,在氧化层图形边界随着氧化层窗口尺寸由小到大出现从水波状波纹到辐射状波纹的转变。波纹的形成是表面应力、表面散射波和边界效应综合作用的结果。表面图形/颗粒所诱生的源漏区表面波纹会引起器件性能的下降以及晶圆成品率的降低。激光退火前的晶圆制造工艺中应减少表面的颗粒或缺陷的产生,激光退火工艺中尽可能提高表面的光学一致性,避免将SiO2作为硬掩膜。
- 陈晓宇单光宝赵杰
- 关键词：激光退火
