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高赟

作品数:13 被引量:2H指数:1
供职机构:西安理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金陕西省科学技术研究发展计划项目国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信更多>>

文献类型

  • 10篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 7篇电致变色
  • 6篇电致变色薄膜
  • 6篇调制
  • 4篇凝胶膜
  • 3篇ITO
  • 2篇调制特性
  • 2篇阳光
  • 2篇氧化钨
  • 2篇溶剂混合
  • 2篇溶胶
  • 2篇双频
  • 2篇太阳
  • 2篇太阳光
  • 2篇透过率
  • 2篇透射
  • 2篇透射率
  • 2篇喷雾热解
  • 2篇雾化
  • 2篇洗剂
  • 2篇钠钙玻璃

机构

  • 13篇西安理工大学

作者

  • 13篇高赟
  • 12篇任洋
  • 12篇赵高扬
  • 2篇王秋红
  • 1篇段宗范

传媒

  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇西安理工大学...

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种高性能双频独立调制电致变色薄膜及其制备方法
本发明公开了一种高性能双频独立调制电致变色薄膜,以ITO玻璃为基板,在基板上依次制备有图形化的纳米ITO薄膜、WO<Sub>3</Sub>薄膜形成的ITO‑WO<Sub>3</Sub>复合薄膜。其制备方法为:步骤1:制备...
任洋高赟周晓歌赵高扬
文献传递
一种纳米晶增强氧化钨电致变色薄膜及其制备方法
本发明公开了一种纳米晶增强氧化钨电致变色薄膜,是以透明导电氧化物(TCO)纳米晶、非晶态的氧化钨为基质制备出的“TCO纳米晶-WO<Sub>3</Sub>非晶”双相复合薄膜;本发明还公开了该纳米晶增强氧化钨电致变色薄膜的...
任洋赵高扬王秋红高赟
文献传递
过渡层(SiO_2,TiO_2)对F掺杂SnO_2薄膜的光电性能影响研究被引量:2
2015年
采用喷雾热解法分别在普通钠钙玻璃、含Si O2过渡层与Ti O2过渡层的玻璃上制备了F掺杂Sn O2薄膜,比较了不同过渡层上生长的F掺杂Sn O2薄膜的表面形貌特点,分析了过渡层对F掺杂Sn O2膜层的光电性能的影响。结果表明,过渡层种类对F掺杂Sn O2薄膜各项性能影响很大,在Si O2薄膜过渡层上制备的F掺杂Sn O2薄膜晶粒最小且表面致密,在Ti O2过渡层制备的F掺杂Sn O2薄膜晶粒最大,在玻璃上生长的F掺杂Sn O2薄膜较为疏松,以Si O2为过渡层制备的F掺杂Sn O2薄膜光电性能最佳,其平均可见光透过率为82.9%,电阻率为5.33×10-4Ω·cm,适合喷雾热解法制备性能优良的玻璃基F掺杂Sn O2薄膜。
高赟赵高扬任洋
关键词:喷雾热解过渡层光电性能
一种有效调制太阳光透射率的电致变色薄膜及其制备方法
本发明公开了一种有效调制太阳光透射率的电致变色薄膜,该电致变色薄膜为含有Cs<Sub>x</Sub>WO<Sub>3</Sub>纳米点阵嵌入型的非晶氧化钨复合薄膜,其中,x为0.06~0.2,格点直径为80~300nm,...
任洋周晓歌赵高扬高赟赵沛淋
一种取向ITO薄膜的制备方法
本发明公开了一种取向ITO薄膜的制备方法,将InCl<Sub>3</Sub>·4.5H<Sub>2</Sub>O、SnCl<Sub>4</Sub>·5H<Sub>2</Sub>O、溶剂和去离子水混合,放入高压反应釜中反应...
赵高扬高赟任洋
以无机盐为出发原料的喷雾热解法制备ITO薄膜的研究
2014年
分别以In(NO3)3·4.5H2O与InCl3·4H2O为出发原料、SnCl4·5H2O为掺杂剂、乙酰丙酮(AcAcH)为螯合剂、甲醇为溶剂使用喷雾热解法在普通钠钙玻璃板上制备了ITO薄膜。以In(NO3)3·4.5H2O为出发原料沉积ITO薄膜速率慢,沉积出的薄膜无择优取向,其晶粒在100~150nm之间,品质因数为4.03×10-3Ω-1;而以InCl3·4H2O为出发原料沉积ITO薄膜速率快,沉积出的薄膜具有(400)择优取向,其晶粒尺寸在200~400nm之间,品质因数为5.85×10-3Ω-1。
高赟赵高扬段宗范任洋
关键词:喷雾热解沉积速率ITO薄膜
一种非晶氧化钨薄膜的制备方法
本发明公开了一种非晶氧化钨薄膜的制备方法,具体步骤如下:步骤1,将液态烷烃与溶剂混合,在一定温度范围内搅拌,获得溶液A;步骤2,再将WCl<Sub>6</Sub>与溶液A混合,搅拌,静置分层,获得分层溶胶B;步骤3,利用...
任洋高赟周晓歌赵高扬
一种高性能双频独立调制电致变色薄膜及其制备方法
本发明公开了一种高性能双频独立调制电致变色薄膜,以ITO玻璃为基板,在基板上依次制备有图形化的纳米ITO薄膜、WO<Sub>3</Sub>薄膜形成的ITO‑WO<Sub>3</Sub>复合薄膜。其制备方法为:步骤1:制备...
任洋高赟周晓歌赵高扬
文献传递
一种纳米晶增强氧化钨电致变色薄膜及其制备方法
本发明公开了一种纳米晶增强氧化钨电致变色薄膜,是以透明导电氧化物(TCO)纳米晶、非晶态的氧化钨为基质制备出的“TCO纳米晶‑WO<Sub>3</Sub>非晶”双相复合薄膜;本发明还公开了该纳米晶增强氧化钨电致变色薄膜的...
任洋赵高扬王秋红高赟
文献传递
一种有效调制太阳光透射率的电致变色薄膜及其制备方法
本发明公开了一种有效调制太阳光透射率的电致变色薄膜,该电致变色薄膜为含有Cs<Sub>x</Sub>WO<Sub>3</Sub>纳米点阵嵌入型的非晶氧化钨复合薄膜,其中,x为0.06~0.2,格点直径为80~300nm,...
任洋周晓歌赵高扬高赟赵沛淋
文献传递
共2页<12>
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