陈其凤
- 作品数：29 被引量：74H指数：5
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- 相关领域：理学文化科学一般工业技术自然科学总论更多>>
- 可见光照射进行光催化降解的二氧化钛基纳米复合光触媒及其应用
- 本发明公开了可见光照射进行光催化降解的二氧化钛基纳米复合光触媒及其应用。二氧化钛基纳米复合光触媒的制备方法为：将含钛前驱体溶解到溶剂中得到含钛溶液，再添加含硅化合物并搅拌均匀，最后添加稀土盐并溶解，得到混合液；混合液在密...
- 陈其凤郑鹏胡勋
- C掺杂锐钛矿TiO_2的第一性原理研究被引量：2
- 2011年
- 基于第一性原理的平面波超软赝势方法,本文研究了C分别代替Ti和O原子位置掺杂的锐钛矿TiO_2的晶体结构,电子结构以及光学性质。结果表明,C在掺杂体系中的存在状态与掺杂位置密切相关;掺杂后引起晶格参数,键长等变化,导致晶体中结构单元偶极矩增大,从而可以改善光催化性能。C掺入后由于C 2p态与O 2p和Ti 3d态发生杂化,引起态密度分布发生变化,禁带宽度减小,且代替TiO_2中O位置掺杂时,出现杂质能级。光学性质的计算结果与电子结构一致,2种掺杂模型的光吸收带边均发生红移。这些结果较好地解释了C掺杂TiO_2具有优良光催化活性的原因。此外,研究比较了C原子在不同掺杂位置对锐钛矿TiO_2电子结构和光催化活性影响的差别。
- 史卫梅陈其凤徐耀吴东霍春芳
- 关键词：第一性原理
- 一种水热法同时调控纳米二氧化锆晶粒尺寸与晶型的方法
- 本发明属于纳米材料领域，通过水热法同时调控纳米ZrO<Sub>2</Sub>晶粒尺寸与晶型的方法。步骤为：以锆盐、沉淀剂、表面活性剂为原料，通过调整溶剂中醇和水的比例，利用水热法制备不同晶粒尺寸与晶型的纳米二氧化锆。调整...
- 陈其凤王翠翠王慧海航任培安章敏帅栾庆瑞胡勋关瑞芳
- 文献传递
- 半导体纳米粒子‑碳化植物纤维复合材料的制备
- 本发明提供了一种以碳化植物纤维作为载体，用浸渍煅烧法将半导体纳米颗粒(如二氧化钛等)附着于碳化植物纤维表面，合成半导体纳米粒子‑碳化植物纤维复合光催化剂的制备方法。在本发明中提供了两种简单有效的浸渍煅烧法制备复合光催化剂...
- 王慧陈其凤任保胜
- 文献传递
- 小分子有机酸制备复相二氧化钛微球
- 本发明提供了一种用水热法制备不同晶型（锐钛矿和金红石）比例、形貌可控并且产品可回收重复使用的二氧化钛微球的方法。通过控制反应体系中的小分子有机酸/有机钛前驱体的用量比和温度，实现二氧化钛微球的生成控制和不同晶型之间的转变...
- 陈其凤王慧关瑞芳
- 文献传递
- 非模板水热法原位合成界面缺陷调控的自组装介晶ZnO
- 光催化剂的结构构筑和缺陷工程在光催化活性中起着至关重要的作用.[1] 我们利用非模板溶剂热法合成了光催化活性的绒球状ZnO(P-ZnO)介晶,并调控了界面缺陷.
- 王慧栾庆瑞陈其凤
- 一种氧空位和酸性位协同光催化碳碳键偶联制备安息香异丙醚的方法
- 本发明公开了一种氧空位和酸性位协同光催化碳‑碳键偶联制备安息香异丙醚的方法。具有氧空位的氮掺杂WO<Sub>3</Sub>基光催化剂的制备方法为：将柠檬酸和仲钨酸胺溶解到水中，水热反应得到WO<Sub>3</Sub>；将...
- 陈其凤高国明郑洁郑鹏胡勋
- 可见光响应的镍硅共掺杂二氧化钛及其光催化性能被引量：18
- 2010年
- 为了更好地利用太阳光和提高二氧化钛的光催化性能,以钛酸四正丁酯、正硅酸乙酯、六水合硝酸镍为原料,在高压釜中140℃非水溶剂热反应,所得材料经400℃焙烧制得镍硅共掺杂的二氧化钛光催化剂.所得材料用X射线衍射、氮吸附、透射电镜、X射线光电子能谱、傅里叶变换红外光谱、紫外漫反射等测试手段分析,结果显示所有样品均为锐钛矿型二氧化钛,Si和Ni均掺杂到TiO2体相中,样品具有较大的比表面积,其最大达303.3m2·g-1.在可见光照射下,以降解罗丹明-B为探针反应研究其可见光催化性能,与未掺杂和镍掺杂的二氧化钛相比较,共掺杂的二氧化钛具有更高的可见光催化性能,当Ni/Ti和Si/Ti的物质的量的比分别为0.01和0.20时,可见光催化性能最好.可见光催化性能的提高归因于镍和硅的协同作用.
- 陈其凤史卫梅姜东徐耀吴东孙予罕
- 关键词：共掺杂非水体系可见光催化
- 非模板法制备硫化锌微球
- 本发明提供了一种利用水热法制备不同晶型（闪锌矿和纤锌矿）硫化锌微球的方法。通过控制硫脲浓度、焙烧温度，实现硫化锌微球的生成控制和不同晶型之间的转变。具体是通过以下步骤实现的，以硫脲等含硫化合物（水解能产生硫离子的化合物）...
- 陈其凤栾庆瑞任保胜
- 文献传递
- Si掺杂锐钛矿TiO_2的第一性原理研究被引量：5
- 2011年
- 为了研究Si掺杂对锐钛矿TiO_2的电子结构和光催化性能的影响,利用基于第一性原理的密度泛函理论计算了纯TiO_2及Si掺杂TiO_2的杂质形成能、能带结构及态密度.研究结果表明,Si的掺杂位置与制备条件有关,富钛和富氧条件下,Si最容易代替TiO_2中Ti的位置.几何优化后Si掺杂TiO_2超晶胞的晶格参数和晶胞体积都发生一定程度的畸变,有利于电子一空穴分离,促进光催化反应进行.Si代替Ti的位置时,禁带宽度减小,发生红移现象;另外两种掺杂状态下,禁带宽度增大,发生蓝移.掺杂位置不同,Si 3p和3s态分布范围不同,是引起电子结构发生不同变化的主要原因.
- 史卫梅陈其凤徐耀吴东霍春芳
- 关键词：态密度第一性原理计算
