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郭宏伟

作品数:19 被引量:0H指数:0
供职机构:浙江大学更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 18篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 15篇石墨
  • 13篇石墨烯
  • 8篇雪崩
  • 8篇雪崩光电探测...
  • 8篇探测器
  • 8篇光电
  • 8篇光电探测
  • 8篇光电探测器
  • 7篇氟化石墨
  • 5篇氟化
  • 4篇增益
  • 4篇偏压
  • 4篇量产
  • 4篇开关比
  • 4篇混合结构
  • 4篇反向偏压
  • 4篇氟化剂
  • 4篇
  • 2篇氧化硅
  • 2篇氧化物

机构

  • 19篇浙江大学

作者

  • 19篇郭宏伟
  • 18篇徐杨
  • 17篇万霞
  • 14篇孟楠
  • 13篇王锋
  • 13篇王雪
  • 11篇陆薇
  • 11篇俞滨
  • 9篇李炜
  • 9篇刘威
  • 7篇刘雪梅
  • 7篇马玲玲
  • 7篇程呈
  • 2篇刘晨
  • 1篇骆季奎

年份

  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 8篇2015
  • 2篇2014
19 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种混合结构的石墨烯硅基雪崩光电探测器及制备方法
本发明公开了一种混合结构的石墨烯硅基雪崩光电探测器及制备方法,所述雪崩光电探测器包括n型硅衬底、二氧化硅隔离层、二氧化硅窗口、二氧化硅岛、二氧化硅绝缘层、顶电极、石墨烯薄膜和底电极。本发明以石墨烯作为有源层和透明电极,石...
徐杨郭宏伟万霞王锋施添锦孟楠王雪俞滨
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一种基于肖特基-MOS混合结构的光致负阻器件
本发明公开了一种基于肖特基‑MOS混合结构的光致负阻器件,包括半导体衬底,半导体衬底的上表面覆盖氧化物隔离层,氧化物隔离层的上表面覆盖环形顶电极;氧化物隔离层上开有圆形氧化层窗口;氧化层窗口的面积为顶电极所围面积的1/1...
徐杨李炜郭宏伟刘威万霞刘粒祥吕建杭李泠霏阿亚兹胡乐刘晨俞滨
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以氟化石墨烯为吸收层的紫外雪崩光电探测器及制备方法
本发明公开了一种以氟化石墨烯为吸收层的紫外雪崩光电探测器及制备方法,所述紫外雪崩光电探测器包括衬底、金属电极、石墨烯叉指电极和氟化石墨烯;氟化石墨烯是一种宽禁带的二维半导体材料,可探测波长小于415nm的光。本发明以氟化...
徐杨孟楠万霞陆薇王雪郭宏伟阿亚兹俞滨
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基于石墨烯/硅的接触势垒场效应管及其制备方法
本发明公开了一种基于石墨烯/硅的接触势垒场效应管,自下而上依次包括栅极、n型硅衬底和二氧化硅隔离层,所述的二氧化硅隔离层上开有窗口,窗口两侧的二氧化硅隔离层表面上分别具有源极和漏极,所述的接触势垒场效应管还包括石墨烯导电...
徐杨王雪郭宏伟陆薇马玲玲刘雪梅孟楠阿亚兹万霞程呈施添锦王锋李炜刘威
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基于石墨烯/硅/石墨烯的雪崩光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于石墨烯/硅/石墨烯的雪崩光电探测器及其制备方法,所述雪崩光电探测器包括n型硅衬底、二氧化硅隔离层、二氧化硅窗口、二氧化硅绝缘层、顶电极、石墨烯叉指电极薄膜和抗反射层。本发明以石墨烯作为透明叉指电极,与...
徐杨万霞王雪郭宏伟王锋施添锦孟楠俞滨
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氟化石墨烯泡沫的制备方法
本发明公开了一种氟化石墨烯泡沫的制备方法。主要采用深反应刻蚀的方法,以 SF<Sub>6</Sub>气体作为氟化剂制得氟化石墨烯。所制得氟化石墨烯泡沫为任意所需形状。本发明方法制备的氟化石墨烯泡末氟化程度高,氟化性质好。...
徐杨陆薇孟楠万霞程呈阿亚兹郭宏伟周翰铭王雪施添锦王锋马玲玲刘雪梅李炜刘威
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基于石墨烯/硅/石墨烯的雪崩光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于石墨烯/硅/石墨烯的雪崩光电探测器及其制备方法,所述雪崩光电探测器包括n型硅衬底、二氧化硅隔离层、二氧化硅窗口、二氧化硅绝缘层、顶电极、石墨烯叉指电极薄膜和抗反射层。本发明以石墨烯作为透明叉指电极,与...
徐杨万霞王雪郭宏伟王锋施添锦孟楠俞滨
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基于石墨烯/二氧化硅/硅的雪崩光电探测器及制备方法
本发明公开了一种基于石墨烯/二氧化硅/硅的雪崩光电探测器及制备方法,所述雪崩光电探测器包括n型硅衬底、二氧化硅隔离层、二氧化硅窗口、二氧化硅绝缘层、顶电极、石墨烯薄膜和底电极;本发明雪崩光电探测器可以进行宽光谱探测,解决...
徐杨万霞郭宏伟施添锦王锋阿亚兹陆薇俞滨
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基于二维/三维材料异质结的新型电荷耦合器件及热电子晶体管
随着集成电路制造工艺的不断前进,目前工艺节点已经达到7nm,摩尔定律的步伐逐渐放缓。除了工艺上光刻成本的急剧提升,MOS场效应管的小尺寸效应(如“短沟道效应”)也逐渐需要引起重视。学术界、工业界一方面在发展新的技术(如F...
郭宏伟
关键词:半导体器件热电子晶体管电荷耦合器件
一种氟化石墨烯的制备方法
本发明公开了一种氟化石墨烯的制备方法,主要采用深反应刻蚀的方法,以SF<Sub>6</Sub>气体作为氟化剂制得氟化石墨烯。所制得的氟化石墨烯为单层或多层。本发明方法制备的氟化石墨烯氟化程度高,氟化性质好,该方法可用于大...
徐杨陆薇阿亚兹孟楠万霞程呈郭宏伟周翰铭王雪施添锦王锋马玲玲刘雪梅李炜刘威
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共2页<12>
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