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黄少雄

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第三十八研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇冗余
  • 2篇冗余系统
  • 2篇嫌疑
  • 2篇抗辐射
  • 2篇存储阵列
  • 1篇冗余存储
  • 1篇冗余设计
  • 1篇数据恢复
  • 1篇SRAM

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇张森
  • 2篇庞遵林
  • 2篇洪一
  • 2篇黄少雄
  • 2篇王秋实
  • 2篇陈林林

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于数据可信性判断的抗辐射SRAM多模冗余设计方法
本发明涉及一种基于数据可信性判断的抗辐射SRAM多模冗余设计方法，该方法包括：由多个相同的SRAM存储器和一个冗余系统控制电路组成多模冗余存储系统；在多模冗余存储系统中的SRAM存储器的存储阵列中选择多个数据位作为观察位...
张森洪一王秋实陈林林庞遵林黄少雄
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基于数据可信性判断的抗辐射SRAM多模冗余设计方法
本发明涉及一种基于数据可信性判断的抗辐射SRAM多模冗余设计方法，该方法包括：由多个相同的SRAM存储器和一个冗余系统控制电路组成多模冗余存储系统；在多模冗余存储系统中的SRAM存储器的存储阵列中选择多个数据位作为观察位...
张森洪一王秋实陈林林庞遵林黄少雄
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