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赵丹梅

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇缓冲层
  • 2篇厚度
  • 2篇SI衬底
  • 2篇GAN
  • 2篇衬底
  • 1篇电阻
  • 1篇原子
  • 1篇阈值电流
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇激光器结构
  • 1篇发散角
  • 1篇高电阻

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇赵德刚
  • 4篇赵丹梅
  • 2篇陈平
  • 2篇何晓光
  • 2篇杨静
  • 2篇江德生
  • 2篇乐伶聪
  • 2篇李晓静
  • 2篇刘宗顺
  • 2篇刘炜
  • 2篇李翔

传媒

  • 2篇第十四届全国...

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法
本发明公开了一种在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法，包括：在Si衬底(10)上形成缓冲层(11)；在缓冲层(11)上形成几个原子厚度的Si<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>非晶层(12)；在未被Si<S...
赵丹梅赵德刚江德生刘宗顺陈平
文献传递
一种GaN复合薄膜及在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法
本发明公开了一种在Si衬底上形成GaN复合薄膜的方法，包括：在Si衬底(10)上形成缓冲层(11)；在缓冲层(11)上形成几个原子厚度的Si<Sub>x</Sub>N<Sub>y</Sub>非晶层(12)；在未被Si<S...
赵丹梅赵德刚江德生刘宗顺陈平
文献传递
InGaN/GaN量子阱厚度对局域态效应的影响机制
本文主要研究了高In组分InGaN/GaN多量子阱(MQWs)中阱层厚度的变化对阱内局域态的影响机理。采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术分别制备了不同阱厚的MQWs样品,并利用变温光致发光(PL)测试手段对不同...
刘炜赵德刚乐伶聪杨静何晓光李晓静李翔侍铭赵丹梅
一种降低发散角并同时改善阈值电流的新型激光器结构
本文针对GaAs基激光器，在波导层和限制层之间引入非对称而且掺杂的低折射率插入层，该新型结构不仅能降低发散角而且可以改善阈值电流。为了提高激光器的光束质量和降低激光器的发散角，传统做法是在波导层和覆盖层之间对称插入对称的...
李翔赵德刚乐伶聪杨静何晓光李晓静刘炜侍铭赵丹梅
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