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杜晓峰

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇电容
  • 2篇电容器
  • 2篇电容器材料
  • 2篇烧结剂
  • 2篇施主
  • 2篇施主掺杂
  • 2篇钛酸
  • 2篇钛酸锶
  • 2篇晶界层
  • 2篇晶界层电容器
  • 1篇品性
  • 1篇锶

机构

  • 2篇清华大学

作者

  • 2篇李龙土
  • 2篇周和平
  • 2篇王玲玲
  • 2篇曾剑平
  • 2篇杜晓峰

年份

  • 1篇2000
  • 1篇1995
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
钛酸锶基晶界层电容器材料制造方法
电容器用SrTiO<Sub>3</Sub>基晶界层电容器材料，以前大多用二次高温烧成工艺，烧结温度高，配料方式不尽合理，且性能均一性不尽理想。本发明改进了配料方法，以草酸氧钛锶[SrTiO(C<Sub>2</Sub>O<...
周和平李龙土曾剑平杜晓峰王玲玲
文献传递
钛酸锶基晶界层电容器材料制造方法
电容器用SrTiO<Sub>3</Sub>基晶界层电容器材料，以前大多用二次高温烧成工艺，烧结温度高；配料方式不尽合理，且性能均一性不尽理想。本发明改进了配料方法，以草酸氧钛锶[SrTiO(C<Sub>2</Sub>O<...
周和平李龙土曾剑平杜晓峰王玲玲
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