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孟航

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学深圳研究生院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇双极型
  • 2篇双极型晶体管
  • 2篇晶体管
  • 2篇绝缘栅
  • 2篇绝缘栅双极型...
  • 2篇掺杂
  • 1篇导带
  • 1篇低功耗
  • 1篇势垒
  • 1篇能级
  • 1篇阻挡层
  • 1篇绝缘
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀工艺
  • 1篇集电极
  • 1篇价带
  • 1篇简并
  • 1篇功耗
  • 1篇费米能级
  • 1篇IGBT

机构

  • 3篇北京大学

作者

  • 3篇林信南
  • 3篇孟航
  • 2篇李冰华
  • 2篇江兴川

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种可实现低功耗的绝缘槽势垒LIGBT结构
目前,横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)己成为功率集成电路(PIC)领域最有潜力的器件之一。然而,硅材料功率器件的特性己逐渐达到物理极限。本论文中,我们提出一种绝缘槽势垒(TB)结构,通过在器件漂移区靠近发射极的位置添...
刘美华孟航林信南
关键词：IGBT低功耗
一种逆导型绝缘栅双极型晶体管
本申请公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极、P型集电区、N型隧道掺杂区、N型阻挡层、N型漂移区、MOS区和栅极。P型集电区为简并掺杂区域，费米能级进入价带中；N型隧道掺杂区为掺杂浓度接近简并掺杂的区域，费米能级...
孟航李冰华江兴川林信南
文献传递
一种逆导型绝缘栅双极型晶体管
本申请公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极、P型集电区、N型隧道掺杂区、N型阻挡层、N型漂移区、MOS区和栅极。P型集电区为简并掺杂区域，费米能级进入价带中；N型隧道掺杂区为掺杂浓度接近简并掺杂的区域，费米能级...
孟航李冰华江兴川林信南
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