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孟庆惠

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇临界电流
  • 2篇临界电流密度
  • 2篇扩散
  • 2篇扩散法
  • 2篇超导
  • 2篇超导带
  • 2篇超导技术
  • 1篇汽相外延
  • 1篇接电
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光谱
  • 1篇焊接电极
  • 1篇发光
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇搭接
  • 1篇GAAS

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇孟庆惠
  • 2篇韩翠英
  • 2篇李世恕
  • 1篇吴灵犀
  • 1篇陈廷杰
  • 1篇徐寿定
  • 1篇李永康

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1988
  • 1篇1987
  • 1篇1981
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
超导带(线)材的扩散焊接方法及其装置
超导带（线）材的焊接方法和所用的装置属于超导技术领域。本发明所采用真空高温加压短时扩散法焊接。是将铌三锡等超导带（线）材的要焊接部位经一定处理后互相搭接，置放在焊接夹具中，加压５～１０ｋｇ／ｃｍ<Sup>２</Sup>，...
李世恕孟庆惠韩翠英
文献传递
超导带(线)材的扩散焊接方法及其装置
超导带(线)材的焊接方法和所用的装置属于超导技术领域。;本发明采用真空高温加压短时扩散法焊接。将铌三锡等超导带(线)材的要焊接部位互相搭接，置放在加压焊接电极中，加温950℃左右，在真空度为10<Sup>-4</Sup>...
李世恕孟庆惠韩翠英
文献传递
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的低温光致发光
1981年
砷化镓、磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体已广泛应用于微波、光电等器件中.为了提高材料质量,我们建立了灵敏、非破坏性的检测手段——低温光致发光.它还适合于微区和薄膜的研究,是分析GaAs等Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中杂质和缺陷的有效方法之一.本文将介绍低温光致发光的实验技术和部份实验结果.
于鲲孟庆惠李永康吴灵犀陈廷杰徐寿定
关键词：光致发光谱汽相外延GAAS
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共1页<1>
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