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许应瑛

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：国家纳米科学中心更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 3篇锗量子点
  • 3篇量子
  • 3篇量子点
  • 2篇形貌
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇基底表面
  • 1篇电荷
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇退火
  • 1篇缺陷密度
  • 1篇自组织生长
  • 1篇量子点材料
  • 1篇聚甲基丙烯酸
  • 1篇聚甲基丙烯酸...
  • 1篇均匀性
  • 1篇甲基
  • 1篇甲基丙烯
  • 1篇甲基丙烯酸
  • 1篇甲基丙烯酸甲...

机构

  • 4篇国家纳米科学...

作者

  • 4篇裘晓辉
  • 4篇王小伟
  • 4篇许应瑛
  • 3篇戴庆
  • 3篇李振军
  • 2篇杨晓霞
  • 2篇白冰
  • 2篇程志海
  • 1篇王锐
  • 1篇刘明举

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2015
  • 1篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种石墨烯掺杂的方法及掺杂石墨烯
本发明公开了一种石墨烯掺杂的方法以及由该方法得到的掺杂石墨烯，该方法包括以下步骤：在石墨烯器件的表面石墨烯层上形成聚甲基丙烯酸甲酯薄膜；选择需要掺杂的石墨烯区域；通过原子力显微镜的导电针尖向选定的石墨烯区域导入电荷进行掺...
王小伟王锐姜星宾许应瑛程志海裘晓辉
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一种层状锗量子点材料及其制备方法
本发明提供一种层状锗量子点材料及其制备方法，该方法包括：在基片上交替沉积SiO<Sub>2</Sub>层和Ge层，并且进行退火。采用本发明的方法能够制备层状分布的Ge量子点材料。本发明提供的锗量子点材料的Ge量子点大小不...
许应瑛李振军刘明举王小伟戴庆程志海裘晓辉
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一种锗量子点的生长方法、锗量子点复合材料及其应用
本发明涉及一种锗量子点的生长方法，所述方法为在石墨烯层上生长锗量子点。本发明在常规基底表面引入均匀性极高的石墨烯界面，在界面上实现了Ge量子点的生长，避免了为得到高质量界面对常规基底进行繁杂的清洗程序，简化了工艺流程；且...
李振军白冰杨晓霞王小伟许应瑛戴庆裘晓辉
文献传递
一种锗量子点的生长方法、锗量子点复合材料及其应用
本发明涉及一种锗量子点的生长方法，所述方法为在石墨烯层上生长锗量子点。本发明在常规基底表面引入均匀性极高的石墨烯界面，在界面上实现了Ge量子点的生长，避免了为得到高质量界面对常规基底进行繁杂的清洗程序，简化了工艺流程；且...
李振军白冰杨晓霞王小伟许应瑛戴庆裘晓辉
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