袁浩然
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
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- 发文基金：黑龙江省研究生创新科研项目黑龙江省普通高校骨干教师创新能力资助计划黑龙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 温度对InAlAs/InGaAs量子级联激光器性能的影响
- 2015年
- 设计了基于InAlAs/InGaAs材料体系的垂直跃迁型量子级联激光器有源区,其包括激射区和注入区,并用能级微带注入原理与纵向光学声子散射原理实现了量子级联激射.采用时域有限差分法计算了外加电场下的能级分布及影响激光器的重要参数,如偶极矩阵元、散射时间、增益系数、阈值电流密度、外微分量子效率等.分析了温度对阈值电流密度及激光输出功率的影响.结果表明在300K下输出功率为15m W,外微分量子效率为10%,部分参数优于相关文献.也为室温下工作的量子级联激光器设计奠定了理论基础.
- 袁浩然孙文军姚成宝王炫利王金颖程集
- 关键词：量子级联激光器
- Mg_xZn_(1-x)O薄膜样品制备及其结构与带隙分析被引量：1
- 2015年
- 利用共溅射技术制备了MgxZn1-xO薄膜样品,研究了Mg的掺杂浓度对其晶体结构、光学带隙的影响,退火环境与温度对其晶体结构、表面形貌的影响.通过对XRD图的分析表明,所制MgxZn1-xO薄膜样品为六角纤锌矿结构,且随着x值的增大,样品的晶格常数c逐渐减小;对比真空环境下,氧气中退火温度为500~600℃时更有利于提高样品的结晶质量.对吸收谱的分析表明随着Mg掺杂浓度增大,样品的吸收边向短波方向移动,带隙增大.
- 王炫力王金颖袁浩然姚成宝孙文军
- 关键词：退火蓝移带隙
- 半导体QCL的理论研究与有源区结构设计
- 当前半导体QCL的输出波长已从中红外增加至太赫兹波段，在各科学领域存在着重要的应用前景。论文主要从理论上对半导体QCL有源区结构设计、输出特性及性能评价进行了全面而深入的研究，设计了以 InGaAs/InAlAs以及Ga...
- 袁浩然
- 关键词：MATLAB软件
- 文献传递
- InN纳米薄膜制备及其结构与带隙分析被引量：3
- 2015年
- 以金属铟为靶材,蓝宝石为衬底,氩和氮的混合气体为溅射气体,衬底温度为100℃,溅射功率为100 W,采用射频磁控溅射技术分别制备了溅射压强为0.8、1.0、1.4 Pa的In N薄膜.利用XRD、SEM分析薄膜样品呈六方纤锌矿结构.使用双光束紫外/可见分光光度计测量薄膜的吸收谱,计算得到在溅射压强为0.8、1.0、1.4 Pa下制得的薄膜样品带隙分别为1.825、1.74、1.82 e V.结果表明溅射压强为1.0 Pa时,带隙值最小,结晶质量最好.
- 王金颖王炫力袁浩然姚成宝孙文军
- 关键词：磁控溅射溅射压强INN光学带隙
- 磁控溅射辅助的MOCVD装置及方法
- 磁控溅射辅助的MOCVD装置，涉及多元金属氧化物半导体薄膜生长设备与技术。它是为了解决多元金属氧化物半导体掺杂难的问题。本发明包括生长室、有机源瓶、气路控制系统和尾气处理系统，本发明给出了磁控溅射与MOCVD相结合的技术...
- 牟洪臣孙文军王利利王金颖王炫力袁浩然
- 文献传递
