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陈率

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

主题

  • 5篇半导体
  • 2篇顶面
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结晶体管
  • 2篇栅极
  • 2篇阻挡层
  • 2篇鳍片
  • 2篇介质层
  • 2篇晶体管
  • 2篇刻蚀
  • 2篇记忆效应
  • 2篇沟槽隔离
  • 2篇半导体器件
  • 2篇穿通
  • 2篇存储器
  • 2篇存储器阵列
  • 1篇导体
  • 1篇电极
  • 1篇电阻
  • 1篇栅电极

机构

  • 7篇中国科学院微...

作者

  • 7篇陈率
  • 4篇殷华湘
  • 4篇朱慧珑
  • 3篇骆志炯
  • 3篇朱正勇
  • 2篇罗军
  • 2篇许杰
  • 2篇赵恒亮

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2014
  • 1篇2013
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：多个鳍片，位于衬底上且沿第一方向延伸；浅沟槽隔离，位于多个鳍片之间；穿通阻挡层，位于鳍片与浅沟槽隔离顶部之间的界面处。依照本发明的半导体器件及其制造方法，在鳍片上利用重掺杂牺...
殷华湘陈率朱慧珑
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MOSFET及其制造方法
本发明公开了一种MOSFET及其制造方法，其中该MOSFET包括：半导体衬底；在半导体衬底中形成的源/漏区；在半导体衬底中形成并且夹在源/漏区之间的沟道区；位于沟道区上方和源/漏区的一部分上方的栅极电介质；以及位于栅极电...
朱正勇骆志炯陈率
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半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：多个鳍片，位于衬底上且沿第一方向延伸；浅沟槽隔离，位于多个鳍片之间；穿通阻挡层，位于鳍片与浅沟槽隔离顶部之间的界面处。依照本发明的半导体器件及其制造方法，在鳍片上利用重掺杂牺...
殷华湘陈率朱慧珑
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半导体制造方法
本发明提供了一种FinFET制造方法，在形成具有不同高度顶面的假栅极层之后，形成完全覆盖假栅极层的介质层，通过对介质层进行回刻蚀，暴露出具有较高顶面的部分假栅极层，并通过暴露出的顶面对该部分假栅极层进行各向异性干刻蚀，由...
殷华湘罗军陈率朱慧珑
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半导体存储器阵列及其访问方法
本发明公开了一种半导体存储器阵列及其访问方法，该半导体存储器阵列包括按照多个行和多个列排列的存储单元，其中，每一个存储单元包括氧化物异质结晶体管和开关，所述氧化物异质结晶体管包括源电极、漏电极和栅电极，所述开关连接至所述...
朱正勇骆志炯陈率许杰赵恒亮
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半导体制造方法
本发明提供了一种FinFET制造方法，在形成具有不同高度顶面的假栅极层之后，形成完全覆盖假栅极层的介质层，通过对介质层进行回刻蚀，暴露出具有较高顶面的部分假栅极层，并通过暴露出的顶面对该部分假栅极层进行各向异性干刻蚀，由...
殷华湘罗军陈率朱慧珑
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半导体存储器阵列及其访问方法
公开了一种半导体存储器阵列及其访问方法，该半导体存储器阵列包括按照多个行和多个列排列的存储单元，其中，每一个存储单元包括氧化物异质结晶体管和开关，所述氧化物异质结晶体管包括源电极、漏电极和栅电极，所述开关连接至所述氧化物...
朱正勇骆志炯陈率许杰赵恒亮
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