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李秀源

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：西安交通大学更多>>
相关领域：电子电信兵器科学与技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇兵器科学与技...

主题

  • 8篇引信
  • 6篇锚点
  • 5篇单晶
  • 5篇单晶硅
  • 5篇衬底
  • 4篇热电效应
  • 4篇结构层
  • 3篇硅衬底
  • 2篇电热效应
  • 2篇延时
  • 2篇药剂
  • 2篇直线驱动
  • 2篇执行器
  • 2篇柔性梁
  • 2篇示波器
  • 2篇锁死
  • 2篇起爆
  • 2篇求导
  • 2篇热变形
  • 2篇刻蚀

机构

  • 12篇西安交通大学

作者

  • 12篇赵玉龙
  • 12篇李秀源
  • 8篇白颖伟
  • 8篇任炜
  • 4篇徐文举
  • 4篇赵友
  • 2篇王磊

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2014
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种爆炸箔起爆器驱动飞片的测速方法
一种爆炸箔起爆器驱动飞片的测速方法，先根据待测爆炸箔起爆器的陶瓷片厚度,设计制作多组陶瓷片，每组陶瓷片中心处含相同直径的加速膛，再集成制备上述多组爆炸箔起爆器；取一组爆炸箔起爆器，将爆炸箔起爆器和电源、示波器连接，示波器...
赵玉龙王磊胡腾江赵友李秀源
文献传递
一种基于压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器
一种基于压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器，包括单晶硅衬底，单晶硅衬底上制作有加速膛孔，二氧化硅绝缘层在单晶硅衬底上生长，将单晶硅结构层与生长了二氧化硅绝缘层的单晶硅衬底键合，金属电极层沉积在单晶硅结构层的锚点上...
赵玉龙李秀源胡腾江徐文举白颖伟任炜
一种集成式可变延时MEMS安保装置
一种集成式可变延时MEMS安保装置，包括按顺序相互键合的上药剂层、安保装置层以及下药剂层，安保装置层的传爆孔与上药剂层的上药剂以及下药剂层的下药剂错位放置，安保装置层的离心滑块位于上药剂以及下药剂之间；安保装置层包括硅衬...
赵玉龙胡腾江赵友李秀源任炜
文献传递
一种隔断式MEMS引信
一种隔断式MEMS引信，包括药剂层，药剂层上部和药剂盖板层通过键合的方式连接，药剂层下部和安保装置层上部通过键合的方式连接，安保装置层下部和加速膛层黏贴，安保装置层包括硅衬底层，二氧化硅层以及可动硅结构层依次制作在硅衬底...
赵玉龙胡腾江李秀源白颖伟
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一种集成式可变延时MEMS安保装置
一种集成式可变延时MEMS安保装置，包括按顺序相互键合的上药剂层、安保装置层以及下药剂层，安保装置层的传爆孔与上药剂层的上药剂以及下药剂层的下药剂错位放置，安保装置层的离心滑块位于上药剂以及下药剂之间；安保装置层包括硅衬...
赵玉龙胡腾江赵友李秀源任炜
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一种隔断式MEMS引信
一种隔断式MEMS引信，包括药剂层，药剂层上部和药剂盖板层通过键合的方式连接，药剂层下部和安保装置层上部通过键合的方式连接，安保装置层下部和加速膛层黏贴，安保装置层包括硅衬底层，二氧化硅层以及可动硅结构层依次制作在硅衬底...
赵玉龙胡腾江李秀源白颖伟
一种基于电热效应的直线驱动MEMS引信安保装置
一种基于电热效应的直线驱动MEMS引信安保装置，包括单晶硅衬底，在单晶硅衬底依次制作二氧化硅绝缘层以及单晶硅结构层，单晶硅衬底制作有矩形加速膛孔，在单晶硅结构层中制作两个锁死电热执行器、四个推动电热执行器以及一个隔断机构...
赵玉龙李秀源胡腾江白颖伟任炜
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一种基于二级压曲放大的引信用MEMS执行器
一种基于二级级联压曲放大的引信安保装置用V型MEMS执行器，包括单晶硅衬底，单晶硅衬底上制作有加速膛孔，二氧化硅绝缘层在单晶硅衬底上生长，将单晶硅结构层与生长了二氧化硅绝缘层2的单晶硅衬底键合，金属电极层沉积在单晶硅结构...
赵玉龙李秀源胡腾江徐文举白颖伟任炜
文献传递
一种基于电热效应的直线驱动MEMS引信安保装置
一种基于电热效应的直线驱动MEMS引信安保装置，包括单晶硅衬底，在单晶硅衬底依次制作二氧化硅绝缘层以及单晶硅结构层，单晶硅衬底制作有矩形加速膛孔，在单晶硅结构层中制作两个锁死电热执行器、四个推动电热执行器以及一个隔断机构...
赵玉龙李秀源胡腾江白颖伟任炜
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一种爆炸箔起爆器驱动飞片的测速方法
一种爆炸箔起爆器驱动飞片的测速方法，先根据待测爆炸箔起爆器的陶瓷片厚度,设计制作多组陶瓷片，每组陶瓷片中心处含相同直径的加速膛，再集成制备上述多组爆炸箔起爆器；取一组爆炸箔起爆器，将爆炸箔起爆器和电源、示波器连接，示波器...
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