李晓光
- 作品数:31 被引量:46H指数:4
- 供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:化学工程理学电子电信更多>>
- 非氧化物纤维增强陶瓷基复合材料的纤维表面原位制备(C-SiC)<Sub>n</Sub>或SiC涂层的方法
- 本发明涉及一种非氧化物纤维增强陶瓷基复合材料的纤维表面原位制备(C‑SiC)<Sub>n</Sub>或SiC涂层的方法,所述制备方法包括:采用化学气相渗透在纤维预制体的纤维表面形成一层C层;以Si或SiO为硅源,采用化学...
- 李晓光朱云洲张景贤江东亮姚秀敏陈忠明刘学建黄政仁
- 文献传递
- 一种采用单一烧结助剂常压烧结制备致密氮化硅陶瓷的方法
- 本发明涉及一种采用单一烧结助剂常压烧结制备致密氮化硅陶瓷的方法,包括:以总配料质量100%计,将氮化硅粉体95~70%、烧结助剂5~30%均匀混合,得到混合粉体,所述烧结助剂为MgTiO<Sub>3</Sub>、Mg<S...
- 张景贤段于森李晓光
- 文献传递
- 一种提高氧化铝陶瓷韧性的方法
- 本发明涉及一种提高氧化铝陶瓷韧性的方法。用于提高氧化铝陶瓷韧性的低温烧结助剂体系包括组分A和组分B;其中,所述组分A为TiB<Sub>2</Sub>、ZrB<Sub>2</Sub>和HfB<Sub>2</Sub>中的至少...
- 张景贤余明先李晓光段于森
- 文献传递
- 一种常压烧结制备高热导率氮化硅陶瓷的方法
- 本发明涉及一种常压烧结制备高热导率氮化硅陶瓷的方法,包括:以总配料质量100%计,将氮化硅粉体95~70%、烧结助剂5~30%均匀混合,得到陶瓷混合粉体,所述烧结助剂是以TiO<Sub>2</Sub>为主烧结助剂,以Y<...
- 张景贤段于森李晓光
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- 类碳化硼相-碳化硅或类碳化硼相-碳化硅-碳化硼复相陶瓷材料及其制备方法
- 本发明涉及了类碳化硼相-碳化硅或类碳化硼相-碳化硅-碳化硼复相陶瓷材料及其制备方法,所述复相陶瓷包括由碳化硼和Si粉高温反应形成的类碳化硼相和碳化硅相,所述类碳化硼相的化学组成为B<Sub>12</Sub>(B,C,Si...
- 李晓光余明先张景贤姚秀敏陈忠明刘学建黄政仁江东亮
- 文献传递
- 三元烧结助剂对常压烧结氮化硅陶瓷性能的影响
- 高导热氮化硅陶瓷是大功率电力电子器件散热的关键候选材料.但是目前传统的制备方法工艺复杂,成本很高,低成本制备成为产业化应用的关键.本研究选用高纯Si3N4(SN-E10,α>95 wt%,UBE Industries L...
- 段于森张景贤李晓光白海楠江东亮
- 关键词:氮化硅常压烧结热导率
- 一种C<Sub>f</Sub>/SiC复合材料表面光学涂层的制备方法
- 本发明涉及一种C<Sub>f</Sub>/SiC复合材料表面光学涂层的制备方法,所述光学涂层是以SiC/Si为主相、且厚度达1mm以上的光学致密涂层,所述制备方法包括以下步骤:(a)通过流延成型工艺制备主相为C和SiC的...
- 刘学建宋盛星朱云洲姚秀敏殷杰吴西士李晓光黄政仁
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- 碳化硼粉体的表面处理方法
- 本发明涉及一种碳化硼粉体的表面处理方法,包括:将碳化硼粉体、水和酸充分混合的酸处理工序,其中所述酸的用量配置为使混合物的pH值控制在0.5~3;所述混合物在规定温度下及陈化规定时间内的陈化工序;以及过滤、所得滤饼或粉体水...
- 李晓光江东亮张景贤林庆玲陈忠明黄政仁
- 文献传递
- 原位裂解碳对氮化铝基微波衰减陶瓷性能的影响被引量:4
- 2018年
- 碳材料具有优异的吸波性能,但是难以在陶瓷基体中均匀分散。本研究通过酚醛树脂裂解的方法在氮化铝陶瓷基体中引入碳,研究了酚醛树脂的添加量对氮化铝陶瓷烧结性能、微观形貌、导热性能和介电性能的影响。研究发现,酚醛裂解形成的碳能够有效促进氮化铝陶瓷的致密化进程,降低烧结温度。当酚醛树脂含量为3wt%,1700℃烧结后陶瓷的致密度达到99.26%。此外,裂解碳的引入能够显著提高材料的导热性能,并在材料的气孔中和氮化铝的晶界处形成碳膜,从而显著提高材料的介电性能。当酚醛树脂含量为6wt%时,材料热导率达135.1W/(m·K),在X波段的介电损耗为0.3,表明材料具有良好的微波衰减能力,有望应用于大功率的微波电真空器件中。
- 何永钦李晓云张景贤李晓光
- 关键词:酚醛树脂氮化铝热导率介电损耗
- 一种高热导微波体衰减陶瓷材料及其制备方法
- 本发明涉及一种高热导微波体衰减陶瓷材料及其制备方法,所述微波体衰减陶瓷材料包括80~95wt.%的氮化铝和1~15wt.%的酚醛树脂,其中,所述氮化铝为陶瓷介质相,所述酚醛树脂为微波衰减相。本发明的微波体衰减陶瓷材料能够...
- 张景贤何永钦李晓光李晓云杨建丘泰