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彭晶晶

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇一般工业技术

主题

  • 2篇氮化铝
  • 2篇氮化铝薄膜
  • 2篇信息存储
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇氧化锌
  • 2篇摇摆曲线
  • 2篇刃型位错
  • 2篇位错
  • 2篇介质层
  • 2篇金属
  • 2篇机电耦合系数
  • 2篇溅射
  • 2篇过渡金属
  • 2篇反应溅射
  • 2篇磁性强弱
  • 2篇存储器
  • 1篇电学
  • 1篇电子轨道
  • 1篇氧化物
  • 1篇锰氧化物

机构

  • 5篇清华大学

作者

  • 5篇彭晶晶
  • 4篇潘峰
  • 2篇曾飞
  • 2篇陈光
  • 2篇宋成
  • 2篇李起

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2014
  • 1篇2012
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种可调控介质层磁性的阻变存储器
本发明公开了一种可调控介质层磁性的阻变存储器。该阻变存储其包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和顶电极之间的介质层；其中，所述底电极和顶电极均为铂电极或者金电极；所述介质层为过渡金属Co、Fe和Ni等掺杂的氧化锌高阻态稀...
宋成潘峰陈光彭晶晶
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一种可调控介质层磁性的阻变存储器
本发明公开了一种可调控介质层磁性的阻变存储器。该阻变存储其包括底电极、顶电极以及位于所述底电极和顶电极之间的介质层；其中，所述底电极和顶电极均为铂电极或者金电极；所述介质层为过渡金属Co、Fe和Ni等掺杂的氧化锌高阻态稀...
宋成潘峰陈光彭晶晶
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高质量a面氮化铝薄膜及其制备方法与应用
本发明公开了高质量a面氮化铝薄膜及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤：(1)在衬底表面制备二硫化钼涂层，得到二硫化钼覆盖的衬底；(2)在所述二硫化钼覆盖的衬底上沉积氧化锌，得到氧化锌缓冲层薄膜覆盖的衬底；(3)利用反应...
曾飞傅肃磊李起潘峰彭晶晶
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高质量a面氮化铝薄膜及其制备方法与应用
本发明公开了高质量a面氮化铝薄膜及其制备方法与应用。该方法包括如下步骤：(1)在衬底表面制备二硫化钼涂层，得到二硫化钼覆盖的衬底；(2)在所述二硫化钼覆盖的衬底上沉积氧化锌，得到氧化锌缓冲层薄膜覆盖的衬底；(3)利用反应...
曾飞傅肃磊李起潘峰彭晶晶
钙钛矿氧化物薄膜电子轨道相关的磁学和电学性能研究
钙钛矿氧化物,因其丰富的轨道相关物理现象和优良的性能,有望应用于下一代高速、高密度、低功耗信息存储器件。钙钛矿氧化物3d轨道赋予了其丰富的性能,有效调控3d轨道相关的磁学和电学性能是钙钛矿氧化物电子学器件实用化的关键。本...
彭晶晶
关键词：锰氧化物
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