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文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇冗余
  • 2篇时钟
  • 2篇时钟树
  • 2篇物理设计
  • 2篇抗辐射
  • 2篇寄存器
  • 1篇三模冗余
  • 1篇数据准备
  • 1篇网表
  • 1篇芯片
  • 1篇触发器

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇孟少鹏
  • 3篇刘冠男
  • 3篇王秋实
  • 2篇李寅寅
  • 2篇金林

传媒

  • 1篇中国集成电路

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2015
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
基于后端物理流程的触发器加固设计及验证
2019年
在太空等辐射环境条件下,数字集成电路内部的触发器受到辐射效应影响,易发生单粒子翻转错误。本文提出了一种数字电路触发器自动冗余加固方案,基于后端物理平台实现触发器的自动冗余及判决功能。利用寄存器堆网表进行试验评估,评估表明加固后的网表满足加固要求,并且通过逻辑一致性检查,保证了加固后网表的功能正确性。
孟少鹏王秋实刘冠男惠惠
关键词:触发器三模冗余网表
适用于纳米级工艺的抗辐射SRAM芯片后端物理设计方法
一种适用于纳米级工艺的抗辐射SRAM芯片物理设计方法,包括:步骤1:数据准备;步骤2:布局;步骤3:标准单元放置;步骤4:时钟树综合;步骤5:绕线;步骤6:物理设计检查;步骤7:流片,步骤2中,存储器IP模块布局的原则是...
王秋实金林李寅寅孟少鹏刘冠男
文献传递
适用于纳米级工艺的抗辐射SRAM芯片后端物理设计方法
一种适用于纳米级工艺的抗辐射SRAM芯片物理设计方法,包括:步骤1:数据准备;步骤2:布局;步骤3:标准单元放置;步骤4:时钟树综合;步骤5:绕线;步骤6:物理设计检查;步骤7:流片,步骤2中,存储器IP模块布局的原则是...
王秋实金林李寅寅孟少鹏刘冠男
文献传递
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