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韩志高

作品数:4 被引量:5H指数:2
供职机构:山东农业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金山东省科技发展计划项目更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺理学更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇铝箔
  • 2篇电子铝箔
  • 2篇铝箔腐蚀
  • 1篇电化学
  • 1篇电极
  • 1篇电解
  • 1篇电解槽
  • 1篇电容
  • 1篇预处理
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨电极
  • 1篇碳化硅
  • 1篇物化特性
  • 1篇小样
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体结构
  • 1篇扩面
  • 1篇化学吸附

机构

  • 4篇山东农业大学
  • 1篇山东交通职业...
  • 1篇南通南辉电子...

作者

  • 4篇韩志高
  • 2篇宋月鹏
  • 2篇许令峰
  • 1篇高东升
  • 1篇郭晶
  • 1篇张飞飞
  • 1篇刘自平
  • 1篇孙亚楠

传媒

  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇表面技术

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
酸碱预处理对高压电子铝箔腐蚀扩面的影响被引量:3
2015年
目的研究高压电子铝箔在Na OH和HCl溶液中的电化学行为,分析酸、碱预处理对铝箔电化学腐蚀扩面效果的影响。方法比较铝箔在不同浓度Na OH,HCl溶液中的预处理效果。采用极化曲线获得铝箔在各预处理溶液中的电化学参数,研究其腐蚀行为。利用扫描电子显微镜观察预处理后铝箔的表面形貌,分析预处理对铝箔表面形貌的影响。观察铝箔腐蚀扩面后的蚀孔形貌及蚀孔分布,分析预处理对蚀孔的影响。结果预处理减弱了铝箔制造过程中形成的表面不均匀,提高了表面活性,使得铝箔在电化学腐蚀处理中蚀孔密度增加,分布均匀。对未预处理铝箔及经HCl和Na OH预处理的铝箔进行电化学扩面处理,发现相对于未预处理的铝箔(比电容为0.56μF/cm2),经HCl溶液预处理的铝箔比电容提高了4%~8%,Na OH溶液预处理的铝箔比电容提高更为明显,约为13%~16%。铝箔在HCl溶液中的自腐蚀电位约为-820 m V,在Na OH溶液中的自腐蚀电位约为-1720 m V,并且经计算得知,铝箔在Na OH溶液中比在HCl溶液中自腐蚀速率快。结论铝箔在Na OH溶液中腐蚀均匀,用Na OH溶液对铝箔进行预处理,可以消除铝箔轧制缺陷,提高铝箔的比电容。
韩志高许令峰吴卫东宋月鹏郭晶
关键词:预处理电子铝箔比电容电化学扩面
高压电子铝箔腐蚀机理及计算机模拟仿真研究
在铝电解电容器产业中,增大阳极铝箔的真实表面积是提高电容器电容的有效途径之一,采用合理的腐蚀方法可以有效的在铝箔表面形成隧道型蚀孔,从而扩大其有效面积。本文通过化学和电化学腐蚀的方法,研究了高压电子铝箔腐蚀工艺的预处理、...
韩志高
关键词:电子铝箔计算机模拟
循环式自动恒温铝箔小样腐蚀电解槽
本实用新型涉及一种循环式自动恒温铝箔小样腐蚀电解槽,包括溶液循环装置、温度控制系统和铝箔腐蚀架;所述的磁力驱动循环泵的出水端和进水端分别连接在电解槽相对的两侧壁上;所述的温度控制系统包括温度传感器、U型石英加热管和51单...
许令峰张飞飞韩志高于新攀
文献传递
碳化硅量子点表面物化特性的计算模拟被引量:2
2016年
采用化学腐蚀法制备碳化硅(SiC)量子点荧光材料,对其进行Fourier变换红外光谱分析及X射线粉末衍射结构解析,研究了SiC量子点的晶体结构,而后基于密度泛函理论的CASTEP平面波模守恒赝势对SiC量子点表面不同功能团的吸附机制进行计算模拟。结果表明:SiC量子点属于面心立方晶系,修正后的点阵参数为:a=b=c=0.434 8 nm,α=β=γ=90°,空间群为F-43m,晶型为3C-SiC,每单胞含化学式Z=4。Rietveld精修的2个主要可靠因子分别为:R_p=10.82%,R_(wp)=14.72%。–COOH、–OH功能团能够在SiC量子点表面形成稳定的化学键结合,键能分别为2.65、5.09 eV,并对吸附后构型的态密度、电子密度分布及其成键机理进行了分析探讨。
朱彦敏宋月鹏孙亚楠韩志高高东升刘自平孙丰飞
关键词:X射线粉末衍射晶体结构化学吸附
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