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郇正利

作品数:9 被引量:3H指数:1
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程化学工程电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇压电
  • 3篇压电陶瓷
  • 3篇陶瓷
  • 2篇电性能
  • 2篇压电陶瓷材料
  • 2篇压电性
  • 2篇压电性能
  • 2篇陶瓷材料
  • 2篇陀螺
  • 2篇居里
  • 2篇居里温度
  • 2篇激光
  • 2篇激光陀螺
  • 2篇NACE
  • 1篇大位移
  • 1篇大应变
  • 1篇压电系数
  • 1篇烧结温度
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电体

机构

  • 4篇中国电子科技...
  • 1篇山东大学

作者

  • 4篇闫锋
  • 4篇郇正利
  • 3篇王文林
  • 1篇王春明

传媒

  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇压电与声光
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2015
9 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
大位移量、高弹性模量压电陶瓷材料的制备与研究被引量:1
2015年
本文主要采用固相反应制备了0.7PZT-(0.3-x)PNN-xPZN多元系压电陶瓷材料。通过X射线衍射法(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和电子色散谱仪(EDS)研究了该体系压电陶瓷的晶体结构、断面形貌和成分组成。采用准静态d33/d31测量仪和阻抗分析仪测量压电陶瓷片的压电应变常数d33和d31、弹性柔顺系数SE11以及其它的性能参数。同时,研究了硬性掺杂、碱金属掺杂及Ti/Zr比值变化对压电陶瓷材料性能的影响规律,摸索制备大位移量、高弹性模量压电陶瓷材料的方法。
闫锋郇正利王文林
关键词:激光陀螺压电陶瓷大位移压电性能
烧结温度对Ca_(0.9)(NaCe)_(0.05)Bi_2Nb_2O_9无铅压电陶瓷性能的影响被引量:1
2018年
采用传统固相反应法制备了Ca_(0. 9)(Na Ce)_(0. 05)Bi_2Nb_2O_9铋层状无铅压电陶瓷。采用XRD、SEM、EDS及相关电学性能测试系统表征了样品的晶体结构、断面形貌、元素组成以及介电、压电、铁电等性能,探究不同烧结温度对于陶瓷性能的影响。结果表明:当烧结温度为1150℃时,样品的晶体结构单一均匀,呈现片层状结构,致密性较好,压电常数高达17 p C/N,介电损耗仅为0. 42%,居里温度为908℃,并且具有很好的温度稳定性,说明固相反应法制备的Ca0. 9(Na Ce)0. 05Bi2Nb2O9压电陶瓷最佳烧结温度为1150℃。
张飞洋闫锋郇正利杨声帅张楠赵晨
关键词:烧结温度压电性能居里温度
激光陀螺用压电陶瓷材料的制备与研究被引量:1
2015年
通过文献调研设计了压电陶瓷配方,使用传统固相法制备目标压电陶瓷以达到大应变要求,以应用于激光陀螺激光稳频器中,通过r(Zr)/r(Ti)系列实验可得r(Zr)/r(Ti)=46/54组成在1 180℃烧结时获得最佳的压电介电性能,即压电常数d33≈640pC/N,弹性刚度系数cE11=60.61GPa,相对介电常数εT33/ε0≈3 300,介电损耗tanδ≈1.85%,机电耦合系数kp=0.655,居里温度TC=272℃。X线衍射(XRD)分析确认相界组成为r(Zr)/r(Ti)=46/54,扫描电镜(SEM)表明烧结温度对陶瓷晶粒尺寸有显著影响,在1 180~1 200℃之间晶粒尺寸显著增大。
郇正利闫锋王文林
关键词:大应变居里温度晶粒尺寸
复合离子(NaCe)取代SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷的介电、铁电、压电特性研究
2019年
利用普通陶瓷工艺制备了A位复合离子(NaCe)取代的Sr_(1-)_x(NaCe)_x_(/2)Bi_4Ti_4O_(15)(x=0.00~0.20)压电陶瓷,研究了(NaCe)对SrBi_4Ti_4O_(15)(SBT)陶瓷的介电、铁电和压电特性的影响。研究表明,复合离子(NaCe)的取代降低了SBT陶瓷的介电损耗tanδ,降低了SBT陶瓷的矫顽电场E_c,提高了SBT陶瓷的压电系数d_(33)。纯的SBT压电陶瓷的矫顽场E_c=94 kV/cm,复合离子(NaCe)取代的SBT-NaCe(x=0.10)陶瓷的矫顽场E_c=70 kV/cm。随着复合离子(NaCe)含量的增加,SBT的压电性能先增加,然后减小。在x=0.10组分处,SBT-NaCe(x=0.10)陶瓷具有最大的压电系数d_(33)=28 pC/N,约为纯的SBT陶瓷压电系数(d_(33)约15 pC/N)的两倍,其居里温度T_C为510℃。复合离子(NaCe)取代SBT陶瓷压电性能的提高归因于复合离子(NaCe)的取代降低了SBT压电陶瓷的矫顽电场,使得SBT压电陶瓷更容易极化,从而发挥其潜在的压电性能。同时,压电性能的提高还归因于复合离子(NaCe)的取代降低了SBT压电陶瓷的介电损耗和漏电流。材料的退火实验表明:复合离子(NaCe)取代的SrBi_4Ti_4O_(15)压电陶瓷在400℃以下具有较好的压电性能温度稳定性。
郇正利闫锋王文林陆宏婷王春明
关键词:铁电体压电系数
共1页<1>
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