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王国英

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学深圳研究生院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇晶体管
  • 2篇刻蚀
  • 2篇沟道
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇薄膜晶体管
  • 1篇钝化层
  • 1篇有源
  • 1篇源区
  • 1篇栅电极
  • 1篇接触电极
  • 1篇介质层

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇肖祥
  • 2篇邵阳
  • 2篇贺鑫
  • 2篇王国英
  • 2篇邓伟
  • 2篇宋振
  • 2篇张盛东

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种背沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制备方法
本发明涉及一种背沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制备方法，其特征在于：采用本发明的制备方法制备的背沟道刻蚀型薄膜晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、有源区、源区、漏区、钝化层、源区接触电极和漏区接触电极；栅电极设置在衬底上，栅介质...
张盛东肖祥邵阳邓伟王国英宋振贺鑫
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一种背沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制备方法
本发明涉及一种背沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制备方法，其特征在于：采用本发明的制备方法制备的背沟道刻蚀型薄膜晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、有源区、源区、漏区、钝化层、源区接触电极和漏区接触电极；栅电极设置在衬底上，栅介质...
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