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领域

  • 3篇电子电信

主题

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机构

  • 5篇中国电子科技...
  • 1篇无锡天和电子...
  • 1篇江苏省宜兴电...

作者

  • 5篇陈桂芳
  • 3篇丁荣峥
  • 2篇吉勇
  • 2篇李欣燕
  • 1篇明雪飞
  • 1篇陈波
  • 1篇燕英强

传媒

  • 2篇电子与封装
  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2017
  • 4篇2014
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
Ni-Co合金+Au镀覆陶瓷外壳的引线键合可靠性研究
2014年
为了提高陶瓷外壳镀层耐高温变色、耐腐蚀以及长期贮存的能力,带金属零件的陶瓷外壳需采用Co含量在20%~40%的Ni-Co+Au镀覆结构,镀层经退火处理。研究分析了Ni+Au镀覆和NiCo+Au镀覆结构对铝丝楔焊和金丝球焊可靠性的影响,通过常温、300℃高温贮存1 h、300℃高温贮存24 h后引线键合强度变化、键合面的元素面分布进行量化比较。试验表明Ni+Au和Ni-Co+Au镀覆结构对引线键合强度和可靠性无明显影响;两种镀覆结构的外壳在键合时,键合工艺参数也不需要进行较大的调整;铝丝在Ni-Co+Au镀覆结构与Ni+Au镀覆结构上键合,在键合界面均会生成金铝金属间化合物,但只要金层厚度受控,均不会产生"Kirkendall"失效,相对来讲Ni-Co+Au镀覆结构的缺陷密度较低,生成金铝金属间化合物进程会慢些。
丁荣峥马国荣李杰陈桂芳史丽英
关键词:陶瓷外壳键合强度
高深宽比硅通孔检测技术研究
2014年
由于SEM显微镜、FIB显微镜检测高深宽比硅通孔耗时、费用高,研究了垂直扫描白光干涉技术检测硅通孔的可行性。设定刻蚀/钝化时间比率,改变深硅刻蚀功率和刻蚀时间,获得不同深度和侧壁粗糙度的硅通孔,并用垂直扫描白光干涉技术进行检测。研究结果表明垂直扫描白光干涉技术可以观察硅通孔的形状、测量侧壁粗糙度、精确无损测量硅通孔深度,可以替代SEM、FIB检测方法。
燕英强吉勇明雪飞陈波陈桂芳
关键词:白光干涉无损检测
系统级封装的气密性密封结构及其制造方法
本发明涉及一种系统级封装的气密性密封结构及其制造方法,本发明属于集成电路封装技术领域。气密性密封结构包括基板、预成型焊料片一和盖板,基板上具有绝缘层,绝缘层上覆盖有金属化密封环,盖板包括盖板本体和位于盖板本体四周边缘的凸...
李欣燕丁荣峥陈桂芳
文献传递
组合薄膜在封装级抗干扰中的应用
陈桂芳吉勇
关键词:抗电磁干扰抗辐照
系统级封装的气密性密封结构及其制造方法
本发明涉及一种系统级封装的气密性密封结构及其制造方法,本发明属于集成电路封装技术领域。气密性密封结构包括基板、预成型焊料片一和盖板,基板上具有绝缘层,绝缘层上覆盖有金属化密封环,盖板包括盖板本体和位于盖板本体四周边缘的凸...
李欣燕丁荣峥陈桂芳
文献传递
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