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a-SiN_x:H薄膜的热丝化学气相沉积及微结构研究被引量：1: 2016年; 为了研究热丝温度对a－SiNx：H薄膜性能的影响，采用热丝化学气相沉积法，以SiH4，NH3，H2为反应气源，改变热丝温度沉积薄膜。通过紫外－可见光吸收谱、傅里叶红外透射光谱、光致发光光谱等测试手段对薄膜发光特性、微观结构及键合情况进行表征与分析。从测试情况可知，当热丝温度为1645℃时，H含量最大，N含量最小，同时其折射率最高，薄膜材料的有序度增大；当热丝温度为1713℃时，H含量减少，N含量达到最大，且随着热丝温度增大，薄膜中N含量又开始下降，内部缺陷态密度增加。结果表明，热丝法制备a－SiNx ：H薄膜的热丝温度最佳值在1596℃～1680℃之间，此时所制备的薄膜折射率为2．0，适合应用于硅基太阳能电池减反射膜层，且具有较充分的氮、氢含量，薄膜结构、性能稳定。; 张娜周炳卿张林睿路晓翠; 关键词：光致发光光谱热丝化学气相沉积

氮流量在高氢氛围中对富硅氮化硅薄膜材料结构及其发光特性的影响被引量：2: 2016年; 采用等离子体增强化学气相沉积技术,以N_2掺入到SiH_4和H_2的沉积方式,分别在玻璃和N型单晶硅片(100)衬底上制备富硅氮化硅薄膜。通过紫外-可见光吸收光谱、傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR光谱)、拉曼光谱和光致发光谱(PL谱)分别表征掺氮硅薄膜材料的带隙、结构及其发光特性的变化。结果表明:在氢气的氛围中,随着氮气流量的增加,氢原子能够对薄膜缺陷起到抑制作用,并使较低的SiH_4/N_2流量比下呈现富硅态,但却不利于硅团簇的形成。随着氮原子的掺入,Si-N键的含量增大,带隙增大,薄膜内微结构的无序度也增大,薄膜出现了硅与氮缺陷相关的缺陷态发光;随着氮原子进一步增加,出现了带尾态发光,进一步讨论了发光与结构之间的关联。这些结果有助于采用PEXVD制备富硅氮化硅对材料发光与结构特性的优化。; 张林睿周炳卿张娜路晓翠乌仁图雅高爱明; 关键词：等离子体化学气相沉积光致发光

PECVD沉积硅薄膜退火性质的分析被引量：2: 2014年; 利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备硅薄膜,对硅薄膜进行退火处理。通过X射线衍射谱,拉曼光谱以及傅里叶变换红外吸收光谱,研究了退火温度在550~700℃范围内,硅薄膜退火过程中的生长特性。实验表明：多晶硅的晶粒尺寸并不随着退火温度的提高而持续增大,当退火温度在550~650℃范围内,硅薄膜始终表现出（111）方向的择优生长取向。当退火温度高于650℃时,氧原子活性增强,硅-氧键增加。对于存在应变、已结晶的薄膜,由于内部应力的累积,薄膜更容易随着退火温度的升高而脱落。; 张林睿周炳卿高玉伟张龙龙张娜路小翠; 关键词：等离子体增强化学气相沉积硅薄膜退火

射频功率和沉积气压对非晶硅薄膜材料性能的影响被引量：1: 2015年; 采用等离子体增强化学气相沉积技术,通过改变射频功率与沉积气压两个参数来沉积非晶硅薄膜材料,并研究了变化参数对薄膜沉积速率、晶化情况、氢含量、光电学性质以及材料表面形貌等的影响.结果表明:射频功率在较低的范围内变化时,对薄膜的沉积速度影响很大,对材料的光电特性比较敏感;沉积气压升高达到一定值后,沉积速率变化不太明显,光电影响比较缓和;在低气压、小功率条件下,薄膜中出现小晶粒生长.; 张娜李海泉周炳卿张林睿张丽丽; 关键词：氢化非晶硅薄膜射频功率光电特性

氢流量对富硅-氮化硅薄膜键结构及光学性质的影响被引量：4: 2015年; 采用等离子体增强化学气相沉积法,以SiH_4、NH_3和H_2为反应气体,通过改变氢流量来制备富硅-氮化硅薄膜。利用傅里叶变换红外吸收光谱、紫外-可见光透射光谱、X射线衍射谱和光致发光谱对薄膜的结构与性质进行表征。实验发现,适当地增加H2流量,可以提高反应过程中H离子与Si、N悬挂键的键合几率,从而起到钝化薄膜悬键的作用。当H_2流量从10 sccm变化到20 sccm时,H主要起到钝化薄膜悬挂键作用,因而缺陷态减少,缺陷态发光减弱,薄膜的光学带隙缓慢展宽。继续增加H_2流量,薄膜中的氮原子持续增加,伴随着缺陷态再次增多,辐射加强,并导致光学带隙迅速展宽。当H_2流量达到30 sccm时,薄膜中的氮化硅晶粒增大,数目增多,缺陷态发光消失,出现了氮化硅中由非晶硅量子点团簇引起的发光现象,说明薄膜中出现了非晶硅量子点团簇。因此,适量的增加氢流量能够对薄膜起到钝化的作用,并实现从富硅-氮化硅向Si_3N_4相转变的过程中形成氮化硅基质包埋的非晶硅量子点团簇结构。; 乌仁图雅周炳卿张林睿高爱明张娜; 关键词：等离子增强化学气相沉积光致发光

衬底和退火温度对多晶硅薄膜结构及光学性质影响被引量：3: 2015年; 通过射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术与退火处理制备多晶硅薄膜,研究了衬底和退火温度对所制薄膜的结构及光学性质的影响。本次试验最大的晶粒尺寸是在衬底温度为250℃获得,考虑薄膜表面的质量,最佳的退火温度为635℃,衬底温度为225℃,在玻璃衬底形成的晶粒大于50 nm,光学带隙为1.5 e V。结果表明:衬底温度影响着薄膜中氢含量以及相关的缺陷。随着退火温度的升高,晶化率的提高,光学带隙先减小后增大。; 路晓翠周炳卿张林睿张娜; 关键词：等离子体增强化学气相沉积多晶硅薄膜衬底温度退火温度结构和光学性质

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张娜