漆世锴
- 作品数:23 被引量:28H指数:4
- 供职机构:中国科学院电子学研究所更多>>
- 发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域:理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 浸渍式钨酸钡锶阴极的蒸发特性研究被引量:5
- 2016年
- 采用飞行时间质谱法检测了浸渍式钨酸钡锶阴极(未覆膜)激活时在不同工作温度下的蒸发物成分,并采用石英晶体振荡动态测试法测量了阴极在不同温度下的动态蒸发率。结果表明:浸渍式钨酸钡锶阴极在1100℃左右能够充分激活,且平均蒸发率约为未覆膜612铝酸盐阴极的50%,这有利于发射电流密度提高及阴极寿命延长。
- 胡明玮王小霞罗积润漆世锴李云张琪
- 关键词:蒸发率
- 新型锯齿结构微带天线在整流天线中的应用被引量:1
- 2013年
- 提出了一种新型带有V形锯齿结构的圆形微带天线,相比于传统的圆形微带天线,该结构微带天线在2GHz的S11值能够达到-26.9dB,二次谐波S11值能够达到-0.2 dB,三次谐波S11值能够达到-3 dB。由于这种良好的抑制高次谐波的作用,在组成整流天线时,可以省掉结构复杂、体积较大的滤波器。并且采用这种结构的天线,具有采用分形技术设计微带天线所获得的缩小天线尺寸的效果。对由该结构组成的整流天线进行仿真和实验测试,获得了超过2.7 V的DC电压,证明了其应用到整流天线中的可行性。
- 张瑜王慧孜漆世锴
- 关键词:微带天线分型技术滤波器
- Re掺杂对W丝阴极二次电子发射的影响被引量:5
- 2015年
- 为了提高纯W丝阴极的二次电子发射系数(δ),在W粉中掺杂不同比例的Re粉。将混合好的W-Re粉制备在W片表面,经高温烧结后测量其二次电子发射系数。实验结果显示Re掺杂合金阴极能够提高纯钨丝阴极的δ。不同掺杂Re的W-Re合金阴极对提高二次电子发射系数的能力不同,掺杂5(质量比)%Re的W-Re合金阴极的二次电子发射系数最大,其最大二次电子发射系数(δm)值为1.8,相比于未掺杂的纯钨粉烧结阴极的δm,能够提高80%。
- 漆世锴王小霞罗积润赵世柯李云赵青兰
- 关键词:二次电子发射掺杂
- 一种浸渍式钨酸钡锶阴极及其制备方法
- 本发明公开了一种浸渍式钨酸钡锶阴极及其制备方法。该方法包括步骤:(1)将BaCO<Sub>3</Sub>、SrCO<Sub>3</Sub>及WO<Sub>6</Sub>按摩尔比(4.8~5.2):(0.9~1.1):(1...
- 胡明炜王小霞罗积润漆世锴李云张琪
- 文献传递
- 钨铼合金阴极的研究及其在15kW连续波磁控管中的应用
- 磁控管作为一种电子器件已被证明是最高效和经济的工业用微波发生器[1,2].阴极是磁控管的关键部件之一,它的品质直接影响磁控管的输出功率和寿命.在连续波大功率磁控管中,通常采用直热式纯钨丝阴极,纯钨丝阴极具有发射稳定性好、...
- 王小霞漆世锴张兆传高冬平李云周健勇
- 一种浸渍式钨酸盐阴极的制备与发射性能被引量:5
- 2016年
- 本文开展了活性物质为钨酸钡锶的浸渍式钨酸盐钡钨阴极的研究,主要包括钨酸钡锶盐的合成,浸渍式钨酸钡锶阴极的制备及其发射性能的测试。实验结果表明:在1400℃空气气氛中合成了主要相为Ba_3WO_6及Ba_2SrWO_6的钨酸钡锶盐。在1800℃浸渍该钨酸盐与氢化锆的混合物成功制备了浸渍式钨酸盐阴极,阴极发射性能测试结果表明在1050℃_(br)和1000℃_(br)时直流发射电流密度分别为7.54和4.30 A/cm^2。
- 胡明玮王小霞罗积润漆世锴李云
- 关键词:钨酸盐阴极X射线衍射分析
- 基于分形理论的方形锯齿结构微带天线研究被引量:4
- 2013年
- 构建了一种类似于Koch分形的带有方形锯齿结构的微带贴片天线,通过在微带贴片天线两侧加方形锯齿来研究微带贴片天线的辐射特性。随着分形阶数及所加方形锯齿数的增加,微带贴片天线表现出各种不同的特性。当所加方形锯齿达到一定数量时,微带天线可抑制高次谐波的干扰。通过Hfss13.0软件仿真得到了分形天线的反射系数s11参数、电压驻波比及辐射方向图等,这些参数表明,当分形阶数为1,2时,天线具有倍频作用,当分形阶数为10~20时,天线具有明显的抑制高次谐波的能力。最后,对10阶分形天线进行了实物加工与测量,实验结果与仿真结果吻合较好。
- 张瑜漆世锴李莎
- 关键词:分形天线KOCH曲线微带贴片天线
- 一种连续波磁控管用铼掺杂钨基合金阴极研究
- 了一种铼掺杂钨基合金阴极,并对铼掺杂比例进行了优化,发现铼掺杂重量百分比为5wt%时,该合金阴极拥有最大的二次电子发射系数,其值为1.8,相比于纯钨粉烧结阴极能够提高80%.对5wt%铼掺杂钨基合金阴极的热发射进行了研究...
- 漆世锴王小霞罗积润胡明炜赵青兰李云张琪
- 关键词:磁控管使用寿命
- Y_2O_3-Gd_2O_3-HfO_2掺杂W基直热式阴极的热发射及耐电子轰击特性被引量:1
- 2018年
- 为了提高大功率磁控管阴极的耐电子轰击性能,首次采用Y_2O_3-Gd_2O_3-HfO_2(Y-Gd-Hf-O)掺杂金属W粉制备大功率磁控管用直热式阴极。对不同质量分数Y-Gd-Hf-O掺杂W基直热式阴极的热发射及耐电子轰击特性进行了研究。实验结果显示,50%Y-Gd-Hf-O掺杂W基直热式阴极具有较大的热发射能力,1500℃工作温度下即可提供1.0A/cm^2的拐点发射电流密度。10%Y-Gd-Hf-O掺杂W基直热式阴极具有较好的耐电子轰击性能,经过14 W/cm^2电子连续轰击200 h后,热发射电流密度仅下降0.1 A/cm^2。最后,对Y-Gd-Hf-O掺杂W基直热式阴极热发射及耐电子轰击机理进行了有益的探讨。
- 漆世锴王小霞王小霞罗积润李云
- 关键词:直热式阴极磁控管
- 钨基合金阴极二次电子发射系数研究
- 欲提高大功率(大于10KW)连续波磁控管的使用寿命和输出功率,需提高磁控管用阴极的耐电子、离子轰击能力和二次电子发射系数(σ)。合金阴极因具有良好的耐电子、离子轰击能力,同时具有相对较高的σ,在大功率连续波磁控管中拥有强...
- 漆世锴王小霞罗积润赵世柯李云赵青兰
- 关键词:磁控管掺杂
- 文献传递