卢峰
- 作品数：14 被引量：0H指数：0
- 供职机构：南开大学电子信息与光学工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 一种Fe/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及制备
- 本发明涉及一种Fe/P3HT颗粒薄膜磁电阻器件及其制备方法。该新型磁电阻器件在制备过程中采用旋涂与离子束沉积相结合的方法，该方法灵活简便、成本低，与现有薄膜工艺兼容性好，获得的薄膜质量较高，制得的磁电阻器件具有较高的室温...
- 程雅慧贺婕刘晖刘孟寅王卫超王维华卢峰
- 文献传递
- 一种Ni-Ni<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米复合材料及制备
- 本发明涉及一种Ni-Ni<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米复合材料，特别是一种铁磁性的Ni-Ni<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>纳米复合材料及水热一步合成该材料的方法。其中Ni为纳米...
- 程雅慧刘晖贺婕胡啸宇王卫超王维华卢峰
- 文献传递
- 金属卤化物为保护层的金属电极保护方法
- 金属卤化物为保护层的金属电极保护方法，所述的金属卤化物为MX<Sub>3</Sub>，所述的金属电极为碱金属电极或碱土金属电极，其特征在于，用二维材料MX<Sub>3</Sub>为保护层，对金属电极进行保护，所述保护层嵌...
- 王维华吴茂坤卢峰刘晖程雅慧王卫超董红
- 一种基于弹幕和标题分析的有监督视频分类方法
- 弹幕视频是近几年来兴起的一种全新视频模式，这类视频广泛受到青少年喜欢。在观看传统类型的视频时，浏览者只能在视频外部固定的地方留言，而在观看弹幕视频时，浏览者不仅可以在视频画面上发表实时评论弹幕，也可以与其他浏览者发表的弹...
- 卢峰胡泽宇王维华
- 文献传递
- 卤化物为缓冲层的金属硫属化合物半导体材料的掺杂方法
- 卤化物为缓冲层的金属硫属化合物半导体材料的掺杂方法，所述的金属硫属化合物为过渡金属硫族化物，所述金属卤化物为MX<Sub>3</Sub>(M为金属，X为卤族元素)，用二维材料MX<Sub>3</Sub>为缓冲层，以卤族元...
- 王维华吴茂坤卢峰刘晖程雅慧王卫超董红解新建
- 文献传递
- ZnO和铪锆氧化物(Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_(2))堆栈能带对准研究
- 2024年
- 铪锆氧化物(HZO)克服了传统铁电材料的缺陷,能够与CMOS工艺兼容,并且可以微缩,在高端芯片领域有很大的发展潜力。而其瓶颈在于循环寿命低,主流研究试图通过界面工程、介质掺杂等工艺改善其铁电性能并提高其寿命。本工作提出了以ZnO作为HZO与上电极的过渡层,制备HZO/ZnO堆栈,并通过X射线光电子能谱研究了ZnO过渡层与HZO的基本物理问题,即二者的能带结构和退火对能带对准的影响。结果表明,退火过程中界面处发生了元素扩散和偶极子的改变,使HZO/ZnO的能带偏移发生变化,异质结由type-Ⅱ型变为type-Ⅰ型。本工作将为HZO存储器的改善寿命的ZnO过渡层提供基础物理学依据。
- 郑旭孙垚鑫刘澳冯泽井美艺单一洋刘晖王维华卢峰程雅慧董红
- 关键词：ZNOXPS
- 金属卤化物为保护层的金属电极保护方法
- 金属卤化物为保护层的金属电极保护方法，所述的金属卤化物为MX<Sub>3</Sub>，所述的金属电极为碱金属电极或碱土金属电极，其特征在于，用二维材料MX<Sub>3</Sub>为保护层，对金属电极进行保护，所述保护层嵌...
- 王维华吴茂坤卢峰刘晖程雅慧王卫超董红
- 文献传递
- 缺氧钙钛矿Ca2Mn2O5的第一性原理研究
- 由于汽车尾气等大气污染物的排放，节能、环保受到人们的高度重视，高效催化剂的研究成为热点.目前，实验上发现缺氧钙钛矿Ca2Mn2O5具有较高的OER催化活性.我们也在实验上合成了纯相的Ca2Mn2O5材料，并在室温下测得C...
- 刘盼卢峰
- 关键词：第一性原理基态
- 原子层沉积的TiN/HZO堆栈界面元素的扩散研究
- 2023年
- 传统钙钛矿材料微缩后难以保存铁电性,并且与CMOS的兼容性差,而薄至10 nm以内的铪锆氧化物(HZO)材料仍然具有铁电性且与CMOS兼容性好,这弥补了传统钙钛矿的本征短板,备受学界和产业界关注,有望替代动态随机存储器应用于非易失性铁电存储器(FERAM)和铁电晶体管基集成电路中。基于目前应用最广泛的TiN/HZO/TiN堆栈,采用具有高端应用前景的原位ALD技术生长TiN电极,很好地控制了电极层的生长速度及其纳米级的膜厚。研究了堆栈界面元素扩散问题,通过飞行时间二次离子质谱技术发现了界面元素的外扩散现象,采用角分辨X射线光电子能谱研究了外扩散行为的机制,提出了一个可能的理论解释,即由于TiN和HZO之间发生了氧化还原反应引发表面活性剂效应,导致界面元素外扩散。本研究将为HZO基FERAM的应用奠定基础。
- 刘澳郑旭冯泽井美艺单一洋孙垚鑫刘晖王维华卢峰程雅慧董红
- 关键词：扩散XPS
- 卤化物为缓冲层的金属硫属化合物半导体材料的掺杂方法
- 卤化物为缓冲层的金属硫属化合物半导体材料的掺杂方法，所述的金属硫属化合物为过渡金属硫族化物，所述金属卤化物为MX<Sub>3</Sub>(M为金属，X为卤族元素)，用二维材料MX<Sub>3</Sub>为缓冲层，以卤族元...
- 王维华吴茂坤卢峰刘晖程雅慧王卫超董红解新建
- 文献传递
