沈志华
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 一种新型真空场发射晶体管的研究
- 本文提出了一种新型的真空场发射晶体管(VFET)，这种新型真空晶体管具有纳米尺度的真空沟道，以真空为载流子传输介质，器件工作时电子以弹道方式通过真空媒介，且工作电压低，功耗小，兼具了传统真空管和固态电子器件的优点。纳米尺...
- 王晓吴胜利沈志华
- 关键词：场发射
- 真空沟道MOS二极管电子发射性能的数值模拟研究
- 真空沟道金属-氧化物-半导体(MOS)二极管是一种电子在真空沟道中的弹道传输与固态电子器件结构相结合的产物,兼具了真空电子器件和固态电子器件的优点。本文提出一种圆形真空沟道MOS二极管结构,并对其电子发射性能开展基于有限...
- 沈志华王晓吴胜利田进寿
- 关键词：数值模拟
- 文献传递
- 一种表面传导电子发射源结构及其制作方法
- 本发明公开了一种表面传导电子发射源结构及其制作方法，属于平板显示器制造技术领域。表面传导电子发射源结构包括沉积在基板上的一对对称的器件电极，在器件电极上沉积有电子发射薄膜，电子发射薄膜上开设有纳米裂缝；在对称的器件电极之...
- 吴胜利王晓张劲涛沈志华胡文波
- 文献传递
- 纳米裂缝位置可控的表面传导电子发射薄膜被引量：1
- 2014年
- 提出一种新型结构的表面传导电子发射导电薄膜,该导电薄膜在中间位置向内有凹陷,基于电形成过程中焦耳热引起薄膜龟裂的原理,会在凹陷附近诱导纳米级裂缝形成,控制纳米裂缝形成位置。分析了此结构导电薄膜对裂缝产生位置的影响及2种不同电形成方法对裂缝形貌的影响,测试了电子发射性能,得到了发射电流特性曲线和发光图像。实验结果表明,这种新型导电薄膜能一定程度上控制纳米裂缝的形成位置,有利于改进表面传导电子发射的均匀性,在阳极高压2.0kV、阴极板电子发射单元施加的器件电压14V时,新型结构导电薄膜实现了均匀发光,发射电流最大为18μA。
- 杨小艳沈志华吴胜利
- 一种表面传导电子发射源结构及其制作方法
- 本发明公开了一种表面传导电子发射源结构及其制作方法，属于平板显示器制造技术领域。表面传导电子发射源结构包括沉积在基板上的一对对称的器件电极，在器件电极上沉积有电子发射薄膜，电子发射薄膜上开设有纳米裂缝；在对称的器件电极之...
- 吴胜利王晓张劲涛沈志华胡文波
- 一种具有垂直结构圆柱形导电沟道的场发射晶体管
- 本发明公开了一种具有垂直结构圆柱形真空沟道的场发射晶体管，垂直结构圆柱形真空沟道场发射晶体管由三层电极和两层介质层构成，在各层薄膜中央位置的真空沟道可以由刻蚀得到，沟道的长度通过控制各层电极及介质层的厚度来精确控制；当沟...
- 吴胜利沈志华王晓张劲涛
- 文献传递
- 表面传导电子发射电子源电形成过程分析
- 本文针对表面传导电子发射显示器件制备中,在导电膜上加电形成纳米级裂缝的这一过程从电压、电流变化方面进行分析。实验中发现在形成裂缝过程中,由于焦耳热效应作用,导电膜结构发生变化,电流电压特性上表现出明显的负阻效应。在整个形...
- 沈志华王晓刘婷吴胜利
- 关键词：表面传导电子发射显示器负阻效应
- 文献传递
- 一种具有垂直结构圆柱形导电沟道的场发射晶体管
- 本发明公开了一种具有垂直结构圆柱形真空沟道的场发射晶体管，垂直结构圆柱形真空沟道场发射晶体管由三层电极和两层介质层构成，在各层薄膜中央位置的真空沟道可以由刻蚀得到，沟道的长度通过控制各层电极及介质层的厚度来精确控制；当沟...
- 吴胜利沈志华王晓张劲涛
