您的位置： 专家智库 > >

李成栋

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：南京大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

主题

  • 5篇金属
  • 4篇金属膜
  • 3篇非晶
  • 3篇非晶硅
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇导电玻璃
  • 2篇等离子体处理
  • 2篇电池
  • 2篇有机金属
  • 2篇太阳电池
  • 2篇透明导电玻璃
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇金属颗粒
  • 2篇光电
  • 2篇钙钛矿
  • 2篇背接触
  • 2篇衬底
  • 1篇导电

机构

  • 8篇南京大学

作者

  • 8篇余林蔚
  • 8篇李成栋
  • 5篇许明坤
  • 2篇徐岭
  • 2篇徐骏
  • 2篇王军转
  • 1篇于忠卫
  • 1篇王鸿祥
  • 1篇时荣荣

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
共 8 条 记 录，以下是 1-8
全选 清除 导出
排序方式：
一种制备珠串形单晶硅纳米线的方法
本发明公开了一种制备平面珠串形单晶硅纳米线的方法，1)在平整的衬底上，在定位区域蒸镀In、Sn或Bi诱导金属膜，即为纳米线生长的初始位置；2)将上述衬底放入PECVD系统腔内，在温度200℃‑500℃，氢气等离子体处理样...
余林蔚薛兆国许明坤李成栋
文献传递
一种制备高质量柔性单晶硅纳米线的方法
一种制备高质量柔性平面zigzag单晶硅纳米线的方法，1)、在平整的衬底上，利用光刻或其他图案选择定位技术，在选位区域蒸镀Sn或In等诱导金属膜，作为纳米线生长的初始位置；2)在PECVD系统中利用等离子体处理技术，在温...
余林蔚薛兆国许明坤李成栋
文献传递
一种外延定向生长、转移和集成平面半导体纳米线的方法
外延定向生长、转移和集成平面半导体纳米线的方法，步骤如下：1)对晶体衬底处理，去掉表面氧化层；2)蒸镀In、Sn诱导金属膜，生长出金属膜图案，膜厚度在几个纳米到几十个纳米；3)在PECVD系统中利用等离子体处理技术，在温...
余林蔚许明坤薛兆国王吉米李成栋
文献传递
一种背接触钙钛矿太阳电池
本发明公开了一种背接触钙钛矿太阳电池，包括从下至上结构：1)导电型衬底；2)均匀电子传输层；3)介电层；4)金属层；5)钙钛矿层且具有若干孔道穿过介电层和金属层接触到电子传输层；6)钙钛矿层的保护层；导电型衬底采用各种T...
余林蔚李成栋童国庆王军转徐骏徐岭
文献传递
一种柔性高效晶体硅太阳电池及其制造方法
本发明公开了一种柔性高效晶体硅太阳电池及其制造方法，先在晶体硅衬底上制作至适宜的正面结构，制作保护层将正面结构保护好，用化学刻蚀方法从背面将衬底减薄至呈现柔性，去除保护层，再制作背面结构及完善正面结构；衬底为晶体硅；完整...
余林蔚李成栋
文献传递
一种检测甲烷的PMMA-二氧化锡基薄膜气敏传感器
本发明公开了一种以甲烷为被测气体的PMMA-SnO2基薄膜气敏传感器，采用绝缘基底/PMMA-SnO2薄膜/电极结构，其中PMMA作为粘合剂，与带有SnO2量子点的有机溶剂混合形成旋涂液，通过旋涂形成PMMA-SnO2薄...
余林蔚时荣荣许明坤于忠卫钱晟一薛兆国李成栋王鸿祥
文献传递
一种背接触钙钛矿太阳电池
本发明公开了一种背接触钙钛矿太阳电池，包括从下至上结构：1)导电型衬底；2)均匀电子传输层；3)介电层；4)金属层；5)钙钛矿层且具有若干孔道穿过介电层和金属层接触到电子传输层；6)钙钛矿层的保护层；导电型衬底采用各种T...
余林蔚李成栋童国庆王军转徐骏徐岭
文献传递
一种制备珠串形单晶硅纳米线的方法
本发明公开了一种制备平面珠串形单晶硅纳米线的方法，1)在平整的衬底上，在定位区域蒸镀In、Sn或Bi诱导金属膜，即为纳米线生长的初始位置；2)将上述衬底放入PECVD系统腔内，在温度200℃-500℃，氢气等离子体处理样...
余林蔚薛兆国许明坤李成栋
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0