公共文化服务平台

共 6 条记录，以下是 1-6

全选清除导出

排序方式：

InGaZnO-TFT和InTiZnO-TFT的制备及其性能研究: 薄膜晶体管/(Thin film transistors, TFT/)是一种绝缘栅型场效应晶体管。近年来,对氧化物TFT的研究异军突起并取得了很大的进展,这主要是因为氧化物TFT具有较高的载流子迁移率、较好的均匀性和较高...; 张倩; 关键词：脉冲激光沉积; 文献传递网络资源链接

溅射功率对磁控共溅射法制备的InTiZnO薄膜的影响被引量：1: 2013年; 采用射频磁控共溅射法,以In2O3和Zn2TiO4陶瓷靶为共溅射靶材,在玻璃衬底上制备了InTiZnO薄膜。在薄膜制备过程中,固定In2O3靶材的溅射功率,研究了Zn2TiO4靶材溅射功率对薄膜的沉积速率、结晶质量、表面形貌以及薄膜透过率的影响。发现随着Zn2TiO4靶材的溅射功率的增大,薄膜的沉积速率增加。随着Zn2TiO4靶材的溅射功率的增大,薄膜中In2O3的峰逐渐减小。当溅射功率为90W时,In2O3峰消失,薄膜结构转变为非晶结构。薄膜的晶粒尺寸随着溅射功率的增大而减小,粗糙度随溅射功率的增大先增大后减小。InTiZnO薄膜在可见光区的透过率受溅射功率的影响变化不大,可见光范围内的透过率大于85%;在320nm～410nm波长附近薄膜透过率急剧下降,呈现了明显的紫外吸收边;薄膜的光学禁带宽度随着Zn2TiO4靶材的溅射功率的增大而减小。; 张倩单福凯耿广州刘国侠Shin B.C.Lee W.J.Kim I.S.; 关键词：透过率功率

温度对磁控溅射法制备的NiO薄膜的影响被引量：1: 2013年; 采用射频磁控溅射法,以NiO靶材为溅射靶材,在不同温度玻璃衬底上制备了NiO薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计以及四探针测试系统研究了温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。结果分析表明所有NiO薄膜都具有(111)方向的择优取向,并且晶格常数随温度升高而减小。NiO薄膜的晶粒尺寸和粗糙度也随着温度的升高而增大。由于NiO薄膜中镍空位和间隙氧的减少,薄膜的透过率、禁带宽度以及电阻率都随温度的升高而增大。; 耿广州单福凯张倩刘国侠Shin B.C.Lee W.J.Kim I.S.; 关键词：NIO 磁控溅射

激光退火对InTiZnO薄膜晶体管的影响: 非晶金属氧化物薄膜晶体管由于其优异的特性,在平板显示器领域拥有广阔的应用前景.本文采用脉冲激光沉积技术在热氧氧化后的p型Si衬底上制备InTiZnO半导体薄膜作为薄膜晶体管的有源层,进而成功制备了底栅顶接触的InTiZn...; 张倩刘国侠单福凯耿广州谭惠月刘奥B.C.Shin

Rijndael算法的分支数分析: 2008年; 文献[1]中曾经断言Rijndael算法的差分分支数和线性分支数达到最大均为5,本文对此以及相关结论给出详细证明.; 徐克舰张倩范修斌; 关键词：AES 线性码

Fly算法基本代数分析被引量：1: 2007年; 借鉴对Rijndael进行代数分析时写方程的方法,对Fly算法进行了基本的代数分析,给出GF(24)上的一个明密对的高次方程的代数次数,同时给出了GF(2)上的二次方程组的形式代数项数和线性独立方程的个数,并分析了它们之间的联系与区别。; 张倩徐克舰范修斌; 关键词：代数次数

全选清除导出

共1页<1>

张倩