蒋剑锋
- 作品数：8 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 基于BIST的3D SRAM中TSV开路测试方法
- 本发明公开了一种基于BIST的3D SRAM中TSV开路测试方法，步骤包括：确定每一种TSV开路故障的March元素；生成包含每一种TSV开路故障对应March元素的测试向量；通过BIST电路基于测试向量对3D SRAM...
- 赵振宇蒋剑锋马驰远马卓余金山何小威乐大珩冯超超王耀吴铁彬窦强
- 文献传递
- 引入电流变化率的电源分布网络最差噪声分析算法被引量：1
- 2016年
- 随着时钟频率的增加以及电源电压的降低,电源完整性问题日益凸显。将电流变化率加入到最差噪声算法的电流约束中,能够在任意电流变化率的情况下分析电源分布网络的最差噪声,从而获得更加真实的最差噪声。另外,利用改进的Knuth-Yao四边形不等式法对基于动态规划的最差噪声算法进行加速,加速后算法的时间复杂度从O(n^2m)降为O(mnlogn)。
- 赵振宇孙浩邓全蒋剑锋
- 关键词：动态规划时域分析
- 基于故障原语的3D SRAM中TSV开路测试算法研究与实现
- 基于3D-IC技术实现的3D SRAM，其电路中使用了大量的硅通孔TSV。目前TSV制造工艺尚未成熟，使得TSV容易出现开路或短路故障，从而给3D SRAM的测试带来新的挑战。一方面，现有的2D MBIST测试方式能够探...
- 蒋剑锋
- 关键词：故障检测
- 一种低功耗时钟树的设计方法
- 本发明公开了一种低功耗时钟树的设计方法，实施步骤包括：准备时钟树以及定制单元，定制单元包括针对各种指定尺寸以及子类型的反相器、缓冲器以及钟控单元定制下拉或上拉驱动降低的定制单元，且定制单元不改变单元输出引脚的位置，不改变...
- 黄鹏程赵振宇何小威马驰远乐大珩冯超超蒋剑锋余金山
- 一种低功耗时钟树的设计方法
- 本发明公开了一种低功耗时钟树的设计方法，实施步骤包括：准备时钟树以及定制单元，定制单元包括针对各种指定尺寸以及子类型的反相器、缓冲器以及钟控单元定制下拉或上拉驱动降低的定制单元，且定制单元不改变单元输出引脚的位置，不改变...
- 黄鹏程赵振宇何小威马驰远乐大珩冯超超蒋剑锋余金山
- 文献传递
- 3D SRAM中的TSV开路故障模型研究被引量：2
- 2014年
- 基于3D-IC技术的3DSRAM,由于硅通孔TSV制造工艺尚未成熟,使得TSV容易出现开路故障。而现有的TSV测试方式均需要通过特定的电路来实现,增加了额外的面积开销。通过对2D Memory BIST的研究,针对3DSRAM中的TSV全开路故障进行建模,根据TSV之间的耦合效应进行广泛的模拟研究,分析并验证在读写操作下由于TSV的开路故障对SRAM存储单元里所存值的影响,将TSV开路故障所引起的物理故障映射为SRAM的功能故障。该故障模型可以在不增加额外测试电路的情况下,为有效测试和解决这种TSV开路故障提供基础。
- 蒋剑锋赵振宇邓全朱文峰周康
- 关键词：TSV开路故障
- 基于BIST的3D SRAM中TSV开路测试方法
- 本发明公开了一种基于BIST的3D？SRAM中TSV开路测试方法，步骤包括：确定每一种TSV开路故障的March元素；生成包含每一种TSV开路故障对应March元素的测试向量；通过BIST电路基于测试向量对3D？SRAM...
- 赵振宇蒋剑锋马驰远马卓余金山何小威乐大珩冯超超王耀吴铁彬窦强
- 3D SRAM中TSV开路测试算法研究与实现
- 2016年
- 基于三维集成电路技术实现的三维静态随机存储器,其电路中使用了大量的过硅通孔。目前过硅通孔制造工艺尚未成熟,使得过硅通孔容易出现开路或短路故障,从而给三维静态随机存储器的测试带来新的挑战。现有的过硅通孔专用测试方式虽然能够探测出过硅通孔的故障,但需要特定的测试电路来实现,这就增加了额外的面积开销,同时加大了电路设计的复杂度。因此,提出一种使用测试算法来探测过硅通孔开路故障的方法。在不增加额外面积开销的情况下,通过内建自测试电路解决三维静态随机存储器中过硅通孔的开路故障检测问题。结果显示,该过硅通孔测试算法功能正确,能够准确探测到过硅通孔的开路故障,并快速定位过硅通孔的开路位置。
- 赵振宇邓全李鹏蒋剑锋曲连华唐皓月
- 关键词：三维集成电路开路故障
