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张俊

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：华东师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇结构和光学性...
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇AL
  • 1篇CU
  • 1篇SE

机构

  • 1篇华东师范大学
  • 1篇上海大学
  • 1篇绥化学院

作者

  • 1篇杨平雄
  • 1篇邓红梅
  • 1篇孙琳
  • 1篇崔金玉
  • 1篇褚君浩
  • 1篇张俊

传媒

  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硒化温度对Cu(In,Al)Se_2薄膜结构和光学性质的影响被引量：1
2015年
采用了磁控溅射制备Cu-In-Al金属前驱体薄膜,后硒化快速退火得到铜铟铝硒(Cu(In,Al)Se2,CIAS)薄膜.研究了硒化温度对CIAS薄膜晶体结构和光学性质的影响.研究发现CIAS薄膜的晶体结构依赖于硒化温度,其禁带宽度随硒化温度升高发生红移.研究结果表明,CIAS薄膜的最佳硒化温度为540℃,其晶体结构为纯黄铜矿结构,禁带宽度为.34 eV。
曹辉义邓红梅崔金玉孟宪宽张俊孙琳杨平雄褚君浩
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共1页<1>
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