毛宇
- 作品数：10 被引量：2H指数：1
- 供职机构：厦门大学材料学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省科技计划重点项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- 一种主链芳基共轭有机发光材料及其制备方法
- 一种主链芳基共轭有机发光材料及其制备方法，涉及有机发光材料。将镁粉加入有机溶剂中，在惰性气体保护下，磁子搅拌下升温激活，然后加入溴代芳香类单体，用冰水将反应系统温度降至室温，在惰性气体保护下，磁子搅拌反应，得到格氏溶液；...
- 姚荣迁符长平毛宇郑鸿飞冯祖德
- 一种侧链芳基共轭有机发光材料及其制备方法
- 一种侧链芳基共轭有机发光材料及其制备方法，涉及有机发光材料。聚碳硅烷的合成；聚碳硅烷的小分子脱除；侧链芳基共轭聚碳硅烷的合成。以聚二甲基硅氧烷为原料，通过在高压反应釜内反应获得聚碳硅烷，再进行聚碳硅烷小分子脱泡，然后将少...
- 姚荣迁符长平毛宇郑鸿飞冯祖德
- 文献传递
- 一种主链芳基共轭有机发光材料及其制备方法
- 一种主链芳基共轭有机发光材料及其制备方法，涉及有机发光材料。将镁粉加入有机溶剂中，在惰性气体保护下，磁子搅拌下升温激活，然后加入溴代芳香类单体，用冰水将反应系统温度降至室温，在惰性气体保护下，磁子搅拌反应，得到格氏溶液；...
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- 文献传递
- 固态超支化芳基共轭的含铝聚碳硅烷及其制备方法与应用
- 固态超支化芳基共轭的含铝聚碳硅烷及其制备方法与应用，涉及一种有机发光材料。先合成聚碳硅烷，再合成含铝聚碳硅烷，最后合成固态超支化芳基共轭的含铝聚碳硅烷。所述固态超支化芳基共轭的含铝聚碳硅烷可在制备有机发光材料中应用。以聚...
- 姚荣迁符长平毛宇廖亮冯祖德
- 文献传递
- 固态超支化芳基共轭的含铝聚碳硅烷及其制备方法与应用
- 固态超支化芳基共轭的含铝聚碳硅烷及其制备方法与应用，涉及一种有机发光材料。先合成聚碳硅烷，再合成含铝聚碳硅烷，最后合成固态超支化芳基共轭的含铝聚碳硅烷。所述固态超支化芳基共轭的含铝聚碳硅烷可在制备有机发光材料中应用。以聚...
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- 自支撑硅氧碳纳米镶嵌复合薄膜基板的制备及导热性能研究被引量：1
- 2014年
- 利用先驱体熔融纺膜法,经熔融纺膜、氧化交联及900-1200 ℃不同裂解温度制得系列自支撑硅氧碳纳米镶嵌复合薄膜.利用红外光谱（FT-IR）分析氧化交联后及高温裂解薄膜的结构变化,通过X 射线衍射（XRD）、拉曼光谱（Raman）与扫描电镜（SEM）对薄膜微观结构及形貌进行分析,采用电阻测试仪和激光热导仪对其进行电阻率与热导率进行表征.结果表明,硅氧碳纳米镶嵌复合薄膜具有较好的绝缘性能与热传导能力,随着裂解温度升高,薄膜电阻率减小,热导率大幅度增大.1200 ℃制备的样品具有合适电阻率和最佳热导率（46.8 W/（m·K））,薄膜以非晶态相SiOxCy 和游离碳为基体,细小等轴β-SiC晶弥散分布在基体中,其表面平整度高通过丝网印刷可获得两条平行的均匀致密高温银浆电路层,有望大规模应用于大功率LED封装散热基板.
- 姚荣迁符长平张帅丰毛宇冯祖德
- 关键词：先驱体法热导率
- 一种大功率曲面LED散热基板及其封装方法
- 一种大功率曲面LED散热基板及其封装方法，涉及LED散热基板。所述大功率曲面LED散热基板设有基底，在基底上表面设有SiO<Sub>2</Sub>绝缘层，在SiO<Sub>2</Sub>绝缘层上设有电路层，LED芯片固定...
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- 文献传递
- 先驱体法制备自支撑硅氧碳复合薄膜散热基板及其改性与LED封装应用
- LED作为第四代光源，因其尺寸小、响应快、亮度高、节能环保等诸多优点展现出较广阔的应用前景。LED向着高功率、高密度封装的方向发展，散热问题至关重要，散热效果差导致芯片结温过高、荧光粉量子产率降低、发光波长偏移及器件老化...
- 毛宇
- 关键词：封装材料散热基板先驱体法
- 一种侧链芳基共轭有机发光材料及其制备方法
- 一种侧链芳基共轭有机发光材料及其制备方法，涉及有机发光材料。聚碳硅烷的合成；聚碳硅烷的小分子脱除；侧链芳基共轭聚碳硅烷的合成。以聚二甲基硅氧烷为原料，通过在高压反应釜内反应获得聚碳硅烷，再进行聚碳硅烷小分子脱泡，然后将少...
- 姚荣迁符长平毛宇郑鸿飞冯祖德
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- 硅氧碳纳米镶嵌复合薄膜的氧空位形成与散热基板封装被引量：1
- 2017年
- 自支撑硅氧碳纳米镶嵌复合薄膜具有细小等轴β-SiC纳米晶弥散分布在非晶态相SiO_xC_y和游离碳基体的复合结构。利用电子顺磁共振谱(EPR)仪对900~1 200℃终烧薄膜复合结构中的氧空位形成进行分析;采用丝网印刷法在薄膜表面获得两条平行高温银浆电路层,并以其为散热基板进行LED器件板上芯片封装(COB)。通过扫描电镜(SEM)与光学显微镜对薄膜微观形貌及封装结构进行观察,并通过LED热光参数测试仪对其结温进行探究。结果表明,终烧温度升高,薄膜氧空位浓度增大,g因子接近自由电子值2.0023。高温银浆导电层均匀致密保证良好电导效果。1 200℃终烧薄膜作为散热基板具有较好热传导与绝缘特性,其封装LED结温约为33.7℃,低于120℃限制,有望规模应用于大功率LED器件领域。
- 杨敏毛宇陈奋周瑞廖亮陈增刘乐雨姚荣迁
- 关键词：氧空位基板结温
