钱轩
- 作品数：20 被引量：10H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划王宽诚教育基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程电子电信一般工业技术更多>>
- 从对称性角度分析GaAs量子阱的自旋动力学性质
- 闪锌矿结构的GaAs量子阱是当今自旋电子学领域最为重要和研究最为广泛的材料之一.一方面由于GaAs量子阱生长工艺相对成熟,另一方面由于这种材料具有中心反演不对称性,其自旋-轨道场会引起导带电子能量的劈裂.
- 钱轩姬扬
- GaAs/AlGaAs(110)量子阱中电子g因子的各向异性
- 钱轩谷晓芳倪海桥牛智川姬扬
- 高迁移率二维电子体系中光学诱导的核磁共振
- 钱轩姬扬V. Umansky
- 一种泵浦探测显微成像系统
- 尚雅轩王然马健钱轩姬扬
- (Ga,Mn)As中电流诱导自旋极化的磁光Kerr测量
- 2012年
- 在GaAs吸收带边附近,利用磁光Kerr效应测量了(Ga,Mn)As和p-GaAs样品的电流诱导Kerr旋转谱和反射谱,两者都呈现出Lorentz曲线形状.电流诱导Kerr旋转角和反射率随着电流的增大而增大,Kerr角与电流的大小成正比关系,反射率与电流的平方成正比关系.(Ga,Mn)As的Kerr旋转角比p-GaAs的大了一个数量级,这说明Mn原子的掺杂使得电流诱导的自旋极化增强.另外,还测量了温度和入射光偏振方向对电流诱导Kerr旋转谱和反射谱的影响.发现随着温度的升高,Kerr谱和反射谱均向长波方向移动,这与GaAs带边随温度的变化是一致的.
- 谷晓芳钱轩姬扬陈林赵建华
- 关键词：自旋电子学稀磁半导体
- 超快光脉冲照射GaAs晶体产生的干涉环被引量：1
- 2020年
- 用飞秒脉冲激光照射砷化镓(gallium arsenide,GaAs)晶体,透射光出现了多级的干涉环.利用透射式Z-扫描光路,改变飞秒脉冲激光入射到GaAs晶体表面时的功率密度,观察到干涉环有规律地收缩(或扩张):功率密度越大,出现的干涉环越多,张角也越大.高强度飞秒脉冲激光的非线性效应局部地改变了GaAs晶体的折射率,从而导致光程差的出现,这是一种非线性效应(克尔透镜).超快光脉冲在GaAs晶体里产生的克尔透镜不能像理想的薄透镜那样把光束聚焦,而是让透镜光束形成了干涉环.通过分析干涉环的变化,可以得到GaAs晶体的非线性吸收系数和非线性折射率.
- 尚玲玲钱轩孙天娇姬扬
- 关键词：非线性光学克尔透镜
- 液体和固体中的空间自相位调制
- 2023年
- 本文简要介绍了非线性光学的起源与发展,重点关注非线性折射中的空间自相位调制.强激光照射非线性介质时,在远场可以观察到明显的明暗相间的条纹,称为相干环.本文从液体(以水为例)、液晶、低维材料悬浊液依次展开,阐述了不同物质形成相干环的机制.对于大部分液体,形成相干环的主要原因是热透镜效应.由于激光光强呈高斯分布,不同位置的液体被不同程度地加热,因此局部液体的折射率不再相同,从而产生了光程差(热透镜效应).相干环中蕴含了材料丰富的物理特性,但同时热效应会影响光学仪器的性能.深入了解空间自相位调制机制将有助于更好地利用或消除热透镜效应.
- 施婷婷钱轩王开友王开友
- 关键词：非线性光学热透镜效应
- 铷原子气体自旋噪声谱的测量与改进
- 2018年
- 利用自主设计并制作的基于现场可编程门阵列的实时傅里叶变换采集卡(FFTsDAC),采用线偏振光检测碱金属铷原子气样品中的自旋随机涨落(即自旋噪声谱).详细讨论了背景噪声以及自旋噪声随探测光光强的变化关系,证实了自旋噪声来自于系统中自旋的随机涨落.对比了两种FFTsDAC(8 bit采样的FFTsDACl和12 bit采样的FFTsDAC2)的测量性能,分析了影响实验信噪比的因素.FFTsDAC2具有更高的测量效率和采样深度以及更长的单次采样时间,因而具有更高的信噪比和更好的频率分辨率,与数值模拟的结果一致.
- 尚雅轩马健马健钱轩史平姬扬
- 关键词：背景噪声法拉第旋转
- 清水出彩虹被引量：5
- 2018年
- 利用白光脉冲光纤激光器发出的高强度、高定向性的白光,聚焦地照射水,可以产生定向的、多级的彩色干涉环,这就是"相干彩虹".脉冲激光加热在水里产生了大小相仿的气泡,每个气泡成为散射源.强光导致了空间自相位调制效应,从而产生了相干彩虹.已经在多种液体中观测到了这种现象.
- 孙天娇尚雅轩钱轩钱轩
- 关键词：彩虹气泡
- GaAs/AlGaAs异质结的微波调制反射谱(英文)
- 2011年
- 基于搭建的微波调制反射谱测量系统(MMRS),确定了GaAs/AlGaAs异质结构中价带空穴到二维电子系统(2DES)电子基态(GS)的跃迁.微波调制反射谱与温度的依赖关系表明,随着测量温度的升高,能带带隙发生了蓝移现象;而其与磁场的依赖关系表明,随着测量磁场的增大,能带带隙则发生了红移现象;它们均与GaAs/AlGaAs异质结构中价带空穴的带填充效应有关.基于Kramers-Kronig关系的理论模拟给出了和实验测量相似的结果.
- 钱轩谷晓芳姬扬
- 关键词：二维电子系统
