邓屹
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
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- 碲镉汞红外探测芯片中碲化镉钝化膜的金属化开口方法
- 本发明公开了一种碲镉汞红外探测芯片中碲化镉钝化膜的金属化开口方法。该方法涉及碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面探测器的制备工艺，具体包括HgCdTe探测芯片碲化镉(CdTe)钝化膜选择性腐蚀液的配制以及利用该腐蚀液进行探测...
- 邓屹陈新强陈兴国林春叶振华胡晓宁
- 文献传递
- 碲镉汞焦平面光伏器件的实时γ辐照效应研究被引量：2
- 2008年
- 对碲镉汞长波和中波焦平面光伏器件进行了实时γ射线辐照效应研究,通过辐照过程中实时测试器件的电流-电压特性,发现随着辐照剂量的增加,中波器件比长波器件表现出更好的抗辐照能力.对于长波器件,随着辐照剂量的增大,能够反映器件性能的零偏电阻逐渐降低;对于中波器件,零偏电阻随着辐照剂量的增加无固定变化趋势,辐照效应主要表现在电阻-电压曲线随着辐照剂量增加出现越来越明显的扰动.根据光伏器件的暗电流机理,对长波器件的电阻-电压曲线进行数值拟合,发现辐照引起少子产生-复合寿命逐渐降低,缺陷密度逐渐增大,主要影响的电流机理为产生-复合电流.由于中波器件材料的载流子迁移率比长波器件低,掺杂浓度比长波器件高,禁带宽度几乎是长波器件的两倍,导致中波器件的辐照效应弱于长波器件,但辐照引起的电阻-电压曲线扰动说明辐照会引起中波器件噪声的增加.
- 乔辉廖毅胡伟达邓屹袁永刚张勤耀李向阳龚海梅
- 关键词：Γ辐照辐照效应光伏器件碲镉汞
- 砷掺杂基区n-on-p长波光伏碲镉汞探测器的光电特性被引量：1
- 2009年
- 报道了砷掺杂基区n-on-p长波碲镉汞平面结器件的电流电压特性、光谱响应特性,并同p型汞空位n-on-p长波碲镉汞平面结器件进行对比分析,发现砷掺杂基区长波器件的很多性能如优值R0A、电流响应率、黑体探测率都要优于汞空位基区长波器件。
- 刘斌周文洪李海滨邓屹胡晓宁
- 关键词：碲镉汞光伏探测器暗电流
- 不同钝化层结构的长波碲镉汞光伏探测器的γ辐照效应被引量：2
- 2010年
- 对采用单层ZnS和双层CdTe/ZnS两种钝化层结构的长波碲镉汞光伏器件进行了实时γ辐照效应研究.通过辐照过程中实时测试器件的电流-电压特性,发现随着辐照剂量的增加,两种器件表现出不同的辐照效应.结合光伏器件的电流机制分析,对器件的电阻-电压曲线进行数值拟合,发现器件的主要电流机制在偏压较大时为间接隧道电流,在偏压较小及零偏压附近时为产生-复合电流.对辐照前后器件的电阻-电压曲线进行对比分析,认为CdTe/ZnS双层钝化结构有助于降低辐照位移效应的影响,使得器件间接隧道电流随辐照剂量无明显的增加;同时发现辐照电离效应的影响与器件材料的初始性能参数密切相关,拟合得到ZnS单层钝化结构的器件具有较高的少子产生-复合寿命,受电离效应的影响较大,导致其产生-复合电流随着辐照剂量增加持续增大.
- 乔辉邓屹胡伟达胡晓宁张勤耀李向阳龚海梅
- 关键词：辐照效应钝化光伏探测器碲镉汞
- γ辐射对碲镉汞光伏探测器的暂态损伤与永久损伤
- 2009年
- 利用60Coγ源对碲镉汞光伏探测器进行了辐射损伤研究,通过电流-电压测试方法对器件的辐射效应进行了表征。利用数值微分方法得到器件较大反向偏压下的暗电流与缺陷中心密度的关系更为明显。通过研究辐射停止后器件的暗电流随着时间延长的变化,认为碲镉汞光伏探测器的γ辐射损伤存在暂态损伤和永久损伤。将这一现象进行实际应用,可以延长工作于辐射环境中的红外探测器的使用寿命。
- 乔辉廖毅邓屹张勤耀胡晓宁李向阳龚海梅
- 关键词：Γ辐射光伏探测器碲镉汞
