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赵春红

作品数:8 被引量:5H指数:1
供职机构:吉林大学材料科学与工程学院超硬材料国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇场发射
  • 7篇场发射特性
  • 6篇氮化硼薄膜
  • 6篇发射电流
  • 3篇等离子体处理
  • 3篇氧等离子体处...
  • 2篇表面处理
  • 1篇电子能
  • 1篇电子能谱
  • 1篇增透
  • 1篇增透膜
  • 1篇碳氮薄膜
  • 1篇透过率
  • 1篇硼碳氮薄膜
  • 1篇光电子能谱
  • 1篇XN
  • 1篇X射线
  • 1篇X射线光电子...
  • 1篇BC
  • 1篇CVD法

机构

  • 8篇吉林大学
  • 1篇长春理工大学

作者

  • 8篇赵春红
  • 7篇赵永年
  • 7篇刘丽华
  • 7篇李卫青
  • 7篇李英爱
  • 6篇顾广瑞
  • 6篇冯伟
  • 6篇何志
  • 1篇冯克成
  • 1篇王玉新

传媒

  • 2篇功能材料
  • 2篇第五届中国功...
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 6篇2004
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明氢等离子体使BN薄膜表面NEA增加...
李卫青顾广瑞李英爱何志冯伟刘丽华赵春红赵永年
关键词:氮化硼薄膜场发射表面处理发射电流
文献传递
氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响(作者:李卫青)
用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明氢等离子体使BN薄膜表面NEA增加...
李卫青顾广瑞李英爱何志冯伟刘丽华赵春红赵永年
关键词:氮化硼薄膜场发射发射电流等离子体处理
文献传递
BC_xN薄膜的紫外透过光谱研究被引量:4
2006年
利用射频磁控溅射方法以不同的溅射功率(80~130W)制备出具备紫外增透性能的BCN,BC2N和BC3N薄膜。傅里叶红外吸收光谱和X射线光电子能谱测量发现样品的组成原子之间均实现了原子级化合。溅射功率对薄膜的组分和紫外增透性能有很大影响,其通过改变薄膜组分而影响紫外增透性能,且碳原子数小的样品紫外增透性能好。以110W条件下制备的BCN薄膜中碳原子数最小,它的紫外增透性能最好,在200~350nm波段附近平均透过率比玻璃提高了将近40%。
王玉新冯克成李英爱李卫青刘丽华赵春红赵永年
关键词:硼碳氮薄膜透过率增透膜X射线光电子能谱
表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响被引量:1
2004年
用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10-4Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火温度的场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明表面热处理对BN薄膜的表面形貌没有明显影响,样品场发射特性的变化可能与表面负电子亲和势有关,未进行热处理的样品阈值电场较低,可能归因于表面负电子亲和势效应,阈值电场为8V/μm,发射电流为80μA,热处理温度为800℃时,负电子亲和势仍然存在,直到热处理温度达到1000℃时,表面负电子亲和势才消失.
李卫青顾广瑞李英爱何志冯伟刘丽华赵春红赵永年
关键词:氮化硼薄膜场发射发射电流
氢、氧等离子体处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
2004年
用RF磁控溅射的方法在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后分别用氢、氧等离子体对薄膜表面进行了处理,用红外光谱、原子力显微镜、光电子能谱以及场发射试验对薄膜进行了研究,结果表明氢等离子体使BN薄膜表面NEA增加,阈值电场降低,发射电流明显增大.氧等离子体处理对BN薄膜的场发射特性影响不大,只是发射电流略有降低,这只能是由于氧化层存在的原因.
李卫青顾广瑞李英爱何志冯伟刘丽华赵春红赵永年
关键词:氮化硼薄膜场发射表面处理发射电流
磁增强弧光等离子体CVD法沉积c-BN薄膜及其场发射特性
本论文工作主要是采用一种新的自行设计的磁增强弧光等离子体化学气相沉积法(Magnetron enhanced arc plasma chemical vapor deposition)制备立方氮化硼(c-BN)薄膜及其场...
赵春红
关键词:场发射
文献传递
表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10-4pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火温度的...
李卫青顾广瑞李英爱何志冯伟刘丽华赵春红赵永年
关键词:氮化硼薄膜场发射发射电流
文献传递
表面热处理对氮化硼薄膜场发射特性的影响
用RF磁控溅射的方法在最佳沉积条件下在Si(100)基底上沉积了纳米氮化硼薄膜,然后对薄膜在真空度低于5×10<'-4>Pa、温度分别为800℃和1000℃条件下进行了表面热处理,分别用红外光谱、原子力显微镜以及不同退火...
李卫青顾广瑞李英爱何志冯伟刘丽华赵春红赵永年
关键词:氮化硼薄膜场发射发射电流
文献传递
共1页<1>
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