许波
- 作品数：40 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 一种电子型高温超导体镧铈铜氧薄膜的制备方法
- 本发明提供的制备电子型高温超导体La<Sub>2－x</Sub>Ce<Sub>x</Sub>CuO<Sub>4</Sub>薄膜的方法，使用直流磁控溅射设备，包括以下步骤：1.按照La<Sub>2－x</Sub>Ce<Su...
- 赵柏儒赵力金魁吴昊袁洁许波
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- 一种多元组合薄膜的制备方法
- 本发明提供一种利用组合激光分子束外延技术制备多元组合薄膜的方法，包括：提供衬底；提供具有掩模图案的掩模板；提供对应于多元组合薄膜中的各个组分的多个不同组分的前驱靶材；顺时针旋转多个不同组分的前驱靶材，使各个不同组分的前驱...
- 金魁袁洁许波
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- 一种制备具有有序表面结构的镧钙锰氧薄膜的方法
- 本发明涉及超大磁电阻材料制备领域。利用镧钙锰氧薄膜与钛酸锶基片热膨胀系数的差异，通过对激光溅射参数、沉积温度及热处理温度等因素的调控，使镧钙锰氧薄膜表面形成有序微裂纹结构，从而在薄膜表面诱导纳米尺度颗粒的有序分布，并实现...
- 赵柏儒彭海兵龚伟志谢中林媛郝昭许波
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- 一种在硅基片上生长单一取向的锆钛酸铅薄膜的方法
- 本发明涉及铁电－半导体异质结领域。本发明以超薄氧化硅作缓冲层,通过对其厚度、激光沉积参数及沉积温度等因素的控制,用脉冲激光沉积设备实现PZT薄膜在硅基片上的取向生长。本发明工艺简单可靠,样品重复性好,获得的取向生长PZT...
- 赵柏儒林媛彭海兵郝昭许波
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- 外延铁基超导薄膜制备方法及制备的外延铁基超导薄膜
- 本发明提供一种外延铁基超导薄膜的制备方法，其包括以下步骤：a)制备外延铁基超导薄膜所需的靶材，将所述靶材放入脉冲激光沉积系统的真空腔体中，其中所述靶材是FeSe<Sub>x</Sub>或FeSe<Sub>(1-y)</S...
- 曹立新李位勇韩烨张帅许波赵柏儒
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- 复合薄膜制备系统
- 本发明提供了一种薄膜制备系统，包括：用于取出和放入样品的样品室，包括样品存储台；磁控溅射装置，包括磁控室、磁控室样品台和用于在真空中在磁控室样品台和样品室的样品存储台之间传送样品的磁控室样品传递机构；以及激光分子束外延装...
- 赵柏儒许波赵崇凌吴昊杨浩袁浩曹立新苗君赵力张福昌钟建平
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- 铁电体/高温超导体集成薄膜的制备与性质
- 1996年
- 高温超导体的载流子浓度比常规超导体的低(对YBa_2Cu_3Q_(7-6)而言,n≌5×10^(21/cm^3)其载流子间的Coulomb屏蔽长度大,因而高温超导体中的载流子浓度易受外加电场的影响,或者说,能够由外场来调制.1991年,文献[1～3]研究了以SrTiO_3为门电极的金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)型的三端器件(three terminal devices),即超导场效应晶体管(superconducing field-effect transistor,SuFET).但实际的增益只达到0.9.通过采用高介电系数的门电极可以对这种超寻场效应晶体管加以改进.
- 曹立新徐阳赵柏儒许波吴非李林赵忠贤
- 关键词：超导体铁电体高TC
- 隧道效应磁电阻器件及制备方法
- 本发明涉及一种隧道效应磁电阻器件及制备方法。它包括一衬底，其上有一底电极层、势垒层和一顶电极层，势垒层位于底电极层之上和顶电极层之下；一位于衬底之上底电极层之下的反铁磁性的钙钛矿型锰氧化合物的钉扎层；底电极层呈条状，两端...
- 赵柏儒蔡纯龚伟志许波张福昌
- 文献传递
- 一种晶体管器件及其制造方法
- 本发明提供一种叠层钙钛矿结构氧化物p-i-n结和一种叠层钙钛矿结构氧化物双极型晶体管及其制造方法，该晶体管包括：氧化物单晶衬底；在衬底上形成的第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层；在第一导电类型的钙钛矿结构氧化物层的至少一部...
- 赵柏儒付跃举袁洁许波朱北沂李俊杰金爱子曹立新邱祥冈
- 铜氧化物高温超导体和相关氧化物多层集成、界面输运和应用
- 赵柏儒夏丰金付跃举许波朱北沂李俊杰曹立新邱祥冈
