蒋雪梅
- 作品数：2 被引量：8H指数：2
- 供职机构：广东工业大学轻工化工学院更多>>
- 发文基金：广东省绿色化学产品技术重点实验室开放基金国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 图案化ZnO纳米线阵列制备与应用的研究进展被引量：4
- 2013年
- 综述了多种图案化制备ZnO纳米线阵列的技术,包括电子束光刻技术、纳米球蚀刻技术、激光干涉光刻技术、纳米压印技术和嵌段共聚物蚀刻技术等。介绍了图案化ZnO纳米线阵列在传感器、太阳能电池和UV检测器等功能器件中的应用进展,分析了图案化ZnO纳米线阵列制备与应用中的优点、意义及存在的问题,并展望了其未来发展趋势。
- 蒋雪梅俎喜红张政黄海亮易国斌
- 关键词：ZNO纳米线阵列
- 高密度聚苯胺纳米线阵列的制备及在紫外探测器中的应用研究被引量：4
- 2015年
- 基于p型半导体与n型半导体间的特殊p-n结效应可有效提高紫外探测器的紫外光敏性能,研究了高密度p型聚苯胺(PANI)纳米线阵列的制备方法,及其与n型单晶硅片组装为具有p-n结效应的高性能紫外探测器的方法.采用旋涂煅烧法在单晶硅片表面制备了二氧化锰层,研究了以其为种子层制备高密度聚苯胺纳米线阵列的方法,并考察了不同制备条件对聚苯胺形貌的影响,揭示了聚苯胺纳米线阵列的形成机理.结果表明,利用二氧化锰种子层对溶液中苯胺的氧化作用,可优先在二氧化锰层表面形成聚苯胺纳米粒子,然后再向溶液中加入另一氧化剂过硫酸铵(APS),可使聚苯胺纳米粒子沿垂直于衬底方向进一步生长,从而制得了分布均匀的高密度p型聚苯胺纳米线阵列.利用p型聚苯胺纳米线阵列与n型单晶硅片间特殊的p-n结效应,构筑了性能优良的紫外探测器,对紫外光响应速度快、恢复时间短、稳定性好.当外置偏压为0 V时,光电流可达9.2×10-8A;且随外置偏压提高,光电流强度大大增强,当外置偏压提高至5 V时,光电流可达3.2×10-5A,比0 V时提高了约1000倍.
- 俎喜红张政蒋雪梅王欢罗洪盛王翠易国斌
- 关键词：二氧化锰阵列P-N结紫外探测器
