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胡炜

作品数:12 被引量:45H指数:5
供职机构:中南大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家民口配套科研项目国家科技支撑计划广东省教育部产学研结合项目更多>>
相关领域:金属学及工艺化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇金属学及工艺
  • 3篇化学工程
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 4篇电沉积
  • 4篇电结晶
  • 3篇循环伏安
  • 3篇
  • 2篇电沉积行为
  • 2篇电化学
  • 2篇形核
  • 2篇热型连铸
  • 2篇阻抗谱
  • 2篇纳米
  • 2篇可焊性
  • 2篇共沉积
  • 2篇NI
  • 1篇电化学阻抗
  • 1篇电化学阻抗谱
  • 1篇电极
  • 1篇定向凝固
  • 1篇镀层
  • 1篇断口形貌
  • 1篇英文

机构

  • 12篇中南大学

作者

  • 12篇胡炜
  • 7篇谭澄宇
  • 6篇崔航
  • 5篇刘宇
  • 3篇郑子樵
  • 3篇肖来荣
  • 2篇王彦红
  • 2篇赵小军
  • 2篇饶博
  • 1篇贺甜
  • 1篇宋宇峰
  • 1篇贾志强
  • 1篇蔡圳阳
  • 1篇黄裕金
  • 1篇陈志国
  • 1篇章玮
  • 1篇曾德露
  • 1篇周娴
  • 1篇刘峤
  • 1篇杨文玲

传媒

  • 2篇稀有金属材料...
  • 2篇材料保护
  • 2篇中国有色金属...
  • 2篇中南大学学报...
  • 1篇电化学
  • 1篇特种铸造及有...
  • 1篇兵器材料科学...

年份

  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 4篇2009
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Sn-Cu合金的电沉积行为及添加剂的影响被引量:6
2010年
利用循环伏安和计时安培研究Sn-Cu合金体系在玻碳电极上的电沉积行为,通过阴极极化曲线、SEM观察及EDS分析讨论柠檬酸和硫脲对Sn-Cu共沉积的影响。结果表明,Sn-Cu共沉积过程为扩散控制的不可逆过程;在沉积电位-600~-750mV的范围内Sn-Cu共沉积初期结晶行为满足三维Scharifker-Hills瞬时成核模型,随着过电位的增大,形核活性点增多,形核弛豫时间缩短;当沉积过电位大于-700mV时,Sn2+的扩散系数约为6.435×10-6cm2/s;柠檬酸和硫脲的加入细化了镀层晶粒,使镀层表面更加平整和致密。此外,硫脲的加入降低了镀层中铜的含量,使合金镀层中铜的含量维持在0.5%~2.0%(质量分数)。
胡炜谭澄宇崔航郑子樵
关键词:形核循环伏安电沉积
水平热型连铸定向凝固设备研究被引量:5
2014年
设计制造了氩气气氛保护下的水平热型连铸定向凝固设备,该设备将水平连续铸造与定向凝固技术结合起来,集熔炼、保温、净化、凝固于一体,可制备出表面光洁、质量优异的定向凝固线材。介绍了该设备的结构组成、工作原理。
王彦红肖来荣胡炜曾德露宋宇峰刘峤
关键词:定向凝固线材
Sn-Cu薄膜的沉积行为及其微观形貌分析被引量:1
2011年
利用电沉积法,在酸性镀液中制得Sn-Cu薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)及能谱仪(EDS)研究镀液中主盐浓度、电镀工艺条件及添加剂对薄膜形貌的影响,并借助循环伏安曲线研究不同条件对Sn-Cu沉积行为的影响。研究结果表明:镀液中主盐浓度的增大促进了Sn-Cu的还原沉积;添加剂的引入对金属离子具有较强的螯合作用,限制了镀液中自由金属离子的浓度,使得合金沉积电位负移;此外,镀液中Sn2+浓度变化对镀层晶粒粒度影响较大,改变Cu2+浓度对镀层的平整度影响较大;电流密度增加、温度降低及加入添加剂,都能细化镀层晶粒。
胡炜谭澄宇崔航郑子樵贺甜
关键词:电沉积可焊性镀层循环伏安
纳米-Al_2O_3颗粒对镍电结晶初期阶段的影响(英文)被引量:5
2010年
利用循环伏安(CV)、计时安培(CA)和电化学阻抗(EIS)研究了纳米Al2O3颗粒在不同电位(vs.SCE)下对Ni自硫酸盐镀液在铜基体上电沉积的影响。结果表明,Ni-Al2O3体系共沉积的起始电位为:–740mV左右;在不同的电位下,纳米-Al2O3颗粒对镍沉积过程的影响有所差别;在电位–740~–830mV范围,与纯Ni沉积相比较,Ni-Al2O3体系沉积的峰电流所对应的孕育期tm明显缩短,反映Al2O3颗粒在阴极表面有利于镍沉积成核,且促进了电结晶成核。Al2O3颗粒吸附在阴极表面可能会阻碍部分离子电荷放电和物质传输过程,尤其在电位–250~–650mV范围,致使Ni-Al2O3体系沉积阻抗增加。在较高的过电位下,Al2O3颗粒的促进作用有所减弱,许多颗粒堆积在电极表面上还可能减小Ni-Al2O3沉积的还原反应电流。在电位–890mV,Ni-Al2O3体系电沉积初期阶段的成核过程基本遵循三维的Scharifker-Hill瞬时成核模式。
谭澄宇崔航胡炜刘宇郑子樵
关键词:共沉积
Ni-SiC电结晶沉积层的阻抗谱及SiC颗粒对Ni沉积的影响被引量:2
2009年
前期研究发现,SiC颗粒在阴极有利于Ni结晶形核,为此研究了在电位-250~-1 050 mV(vs SCE)下,Ni-SiC复合体系电沉积阻抗谱特征,利用扫描电镜(附能谱仪)观察了Ni-SiC体系复合沉积初期的表面形貌。结果表明:Ni-SiC体系Nyquist谱主要表现为一个压扁的容抗半圆,随着电位负移,Ni-SiC沉积的电化学阻抗值基本呈下降趋势。在电位-750~-1050 mV,Nyquist谱低频段还伴随一个感抗弧,Ni-SiC沉积的阻抗显著减小,反映Ni在铜基体上开始电结晶形核/生长;在低过电位(-250~-650 mV)下,SiC颗粒明显降低了Ni-SiC体系Ni沉积还原反应的电荷转移电阻;分析认为:SiC微粒在阴极表面上对镍的中间产物生成起到了活化作用。
谭澄宇刘宇胡炜崔航
关键词:共沉积电化学阻抗谱
Sn-Cu焊料薄膜的制备及其电沉积行为的研究
钎焊镀层无铅化是当前研究的热点,也是电子行业发展的必然趋势。本文通过表观状态分析,确定了Sn-Cu合金电镀酸性镀液的组成,并给出了适宜的工艺条件;借助SEM(附EDS)探讨了镀液组成及各工艺因素对Sn-Cu合金镀层微观形...
胡炜
关键词:无铅焊料电沉积可焊性电化学
文献传递
热型连铸铝线的制备及其显微组织和性能被引量:3
2015年
采用自制的热型连铸设备制备铝线材料,研究铸型温度和拉铸速度等工艺参数对材料表面质量、显微组织及力学性能的影响,通过对最佳工艺条件下制备的铸锭断口形貌进行观察和分析,探讨其相关机理。结果表明:当铸型温度为675-685℃、拉铸速度为90-120 mm/min时,可以制备出表面质量较佳的铸锭;同时,工艺参数会对晶体的择优取向产生一定影响,当铸型温度和拉铸速度分别为680℃和90 mm/min时,晶体的取向更倾向于沿?100?方向生长,铸型温度越高,铸锭力学性能越优异。当拉铸速度为90 mm/min时,制备的热型连铸铝线具有最佳的塑性加工能力。相比于普通多晶铝线,热型连铸铝线具有更好的塑性。
胡炜王彦红赵小军肖来荣饶博章玮
关键词:热型连铸晶体取向力学性能断口形貌
Ni-SiC复合梯度镀层的耐腐蚀性能被引量:7
2009年
Ni-SiC复合梯度镀层比普通复合镀层性能要优,应用要广,但过去对其耐蚀性研究不多。通过对电流密度、搅拌强度和镀液中SiC浓度等电镀工艺条件的优化,制备了新型Ni-SiC复合梯度镀层。采用扫描电镜对其表面和断面形貌进行了观察,并借助电化学手段研究了Ni-SiC复合镀层在3.5%NaCl腐蚀液和3.5%NaCl+0.3%H2O2腐蚀液中的耐蚀性能。结果表明:在复合镀层中,SiC微粒沿镀层生长的方向呈梯度分布,在镀层表面呈均匀弥散分布;在3.5%NaCl腐蚀液中纯镍镀层的耐腐蚀能力与复合镀层相当;在3.5%NaCl+0.3%H2O2腐蚀液中,由于SiC微粒包裹在Ni-SiC复合镀层内,彻底改变了镀层的表面形貌和组织结构,细化了镀层晶粒,所以改善了Ni-SiC复合镀层的耐蚀性能。
胡炜谭澄宇崔航刘宇
关键词:电沉积阻抗谱耐蚀性
铜离子对镍在玻碳电极上电结晶行为的影响被引量:11
2010年
利用循环伏安法和恒电位阶跃技术,研究浓度为0.01mol/L铜离子对镍在玻碳电极上电结晶行为的影响。研究结果表明:在含0.01mol/L铜离子的Watts镀液中,电位在-0.3V左右出现铜的还原反应峰,当电位负移到-0.75V时,镍开始结晶沉积;与纯Watts镀液(电位约-0.85V)相比,铜离子的引入促进了镍的电结晶形核和生长,这是因为铜离子的存在降低了镍电结晶形核过电位;在含0.01mol/L铜离子的Watts镀液中,电结晶过程仍基本遵循Scharifker-Hill模型,铜离子的引入并没有改变镍电结晶行为;高负电位下,金属离子的结晶成核方式遵循瞬时成核机制,低负电位下则趋向遵循连续成核机制。
刘宇谭澄宇贾志强胡炜
关键词:电结晶形核循环伏安
纳米Al_2O_3颗粒对镍电结晶过程的影响
2009年
借助循环伏安(CV)和计时安培(CA)研究了在不同电位下,纳米Al2O3微粒对镍由硫酸盐混合溶液在铜基底上电结晶沉积的影响.结果表明,Ni-Al2O3镀液体系电沉积的起始电位约为-740 mV.随着阶跃电位负移,Ni-Al2O3镀液体系电沉积成核时间tm逐渐缩短.与纯Ni镀液体系电沉积的tm相比,在-740^-830mV较低阶跃电位下,Ni-Al2O3镀液体系电沉积的成核时间tm明显缩短,表明Al2O3微粒有助于镍的电结晶成核.在-890 mV阶跃电位下,Ni-Al2O3镀液体系电沉积初始阶段的成核过程满足Scharifker-Hills三维瞬时成核模型.
谭澄宇胡炜崔航刘宇
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