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胡夏融

作品数:9 被引量:2H指数:1
供职机构:西华大学更多>>
发文基金:四川省教育厅科学研究项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 2篇电荷
  • 2篇电荷平衡
  • 2篇电阻
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子浓度
  • 2篇数据采集
  • 2篇欧式距离
  • 2篇终端
  • 2篇环境参数
  • 2篇计算量
  • 2篇功率MOSF...
  • 2篇功率MOSF...
  • 2篇功率器件
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体功率器...
  • 2篇串联电阻
  • 1篇电路
  • 1篇电子式
  • 1篇电子式互感器
  • 1篇调理电路

机构

  • 5篇西华大学
  • 4篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 9篇胡夏融
  • 4篇王维博
  • 4篇叶凯
  • 4篇余本富
  • 4篇郑永康
  • 3篇林竞力
  • 2篇张波
  • 2篇李泽宏
  • 2篇雷天飞
  • 2篇邓小川
  • 2篇姚国亮
  • 2篇罗小蓉
  • 2篇王元刚
  • 1篇黄文刚
  • 1篇刘伦才
  • 1篇冯灏
  • 1篇张栋
  • 1篇钟灿
  • 1篇宋庆文

传媒

  • 2篇微电子学

年份

  • 1篇2019
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 1篇2011
  • 1篇2009
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
电子式互感器的数据同步装置
本实用新型涉及电子式互感器的数据同步技术领域,具体涉及一种电子式互感器的数据同步装置,包括ARM处理器、FPGA和光电模块RJ45;ARM处理器分别连接双口RAM、FPGA,ARM处理器与WiFi连接;所述的双口RAM另...
王维博叶凯张栋胡夏融郑永康余本富孙敬欢
文献传递
高压SOI器件耐压模型与槽型新结构
SOI(Silicon On Insulator)高压集成电路因其高速、低漏电、易隔离、抗辐照等优势得到了广泛的应用,并已成为功率集成电路(Power Integrated Circuit, PIC)重要的发展方向。作为...
胡夏融
关键词:高压集成电路耐压模型绝缘体上硅
室内停车场定位方法
本发明涉及一种汽车定位方法,尤其是室内停车场定位方法,包括如下步骤:步骤一,对定位场景设置参考节点,采集参考节点的RSSI,建立由参考节点的坐标和参考节点的RSSI组成的Radio Map;步骤二,利用终端所采集到的RS...
王维博林竞力叶凯胡夏融郑永康孙敬欢余本富
一种幅频稳定的正弦信号发生器被引量:1
2009年
提出了一种简易的正弦信号发生器结构,电路前级为一个频率稳定的张弛振荡器,后级为一个三角-正弦信号转换器,利用一种新颖的两级温度系数互补原理,获得了不随温度变化的稳定的输出幅度。该信号发生器工作在±15V电源电压下,频率稳定性为98×10-6/℃,幅度稳定性0.05μA/℃。该振荡器已成功集成到线性可变差动变压器(LVDT)的信号调理芯片中。
胡夏融刘伦才黄文刚
关键词:振荡器正弦信号发生器信号调理电路
多功能门禁系统控制器
本实用新型涉及门禁监控领域,特别是多功能门禁系统控制器,路由器分别与主服务器、终端、消防信号接口板和基板连接,基板分别与接口板和扩展板连接;该多功能门禁系统控制器可独立通信或冗余备份通信,采用更加安全、可靠的加密方法进行...
王维博林竞力钟灿叶凯胡夏融郑永康余本富孙敬欢
文献传递
一种槽型功率MOSFET器件
本发明公开了一种槽型功率MOSFET器件,涉及半导体功率器件和射频功率器件技术领域。通过N+槽区纵向穿过衬底直到器件底部,将表面N+源区、源极金属场板和底部N+源接触区连通形成等势体,源极从器件底部引出。这不仅消除了源极...
张波胡夏融罗小蓉李泽宏邓小川雷天飞姚国亮王元刚
文献传递
埋层深度对Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响被引量:1
2015年
研究了P埋层深度对体硅Triple-RESURF LDMOS纵向电场和击穿电压的影响。分析表明,当P型埋层靠近器件表面时,纵向电场平均值较小,击穿电压较低;当P型埋层靠近衬底时,优化漂移区浓度较低,器件比导通电阻较大;当P型埋层位于漂移区中部时,器件的BV2/Rs,on设计优值最大。指出了P型埋层在漂移区不同区域时击穿点的位置,以及对应的漂移区浓度取值范围,为横向高压Triple-RESURF LDMOS的设计提供了参考。
宋庆文胡夏融冯灏
关键词:击穿电压LDMOS纵向电场
一种槽型功率MOSFET器件
本发明公开了一种槽型功率MOSFET器件,涉及半导体功率器件和射频功率器件技术领域。通过N+槽区纵向穿过衬底直到器件底部,将表面N+源区、源极金属场板和底部N+源接触区连通形成等势体,源极从器件底部引出。这不仅消除了源极...
张波胡夏融罗小蓉李泽宏邓小川雷天飞姚国亮王元刚
室内停车场定位方法
本发明涉及一种汽车定位方法,尤其是室内停车场定位方法,包括如下步骤:步骤一,对定位场景设置参考节点,采集参考节点的RSSI,建立由参考节点的坐标和参考节点的RSSI组成的Radio Map;步骤二,利用终端所采集到的RS...
王维博林竞力叶凯胡夏融郑永康孙敬欢余本富
文献传递
共1页<1>
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