罗文
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西安交通大学电子与信息工程学院电子物理与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 多孔硅的微结构及其冷阴极的电子发射特性研究被引量：3
- 2012年
- 采用电化学腐蚀法在n型单晶Si基底上制备多孔硅(PS)膜,利用场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)分析其微结构特征,研究了硅基底材料、腐蚀电流密度和腐蚀时间等制备条件和工艺参数对PS微结构的影响。实验结果表明,轻掺杂n型Si基底上形成的PS膜(n--PS)中的孔较深且孔径较大,而重掺杂n型Si基底上的PS膜(n+-PS)中的孔分布较为密集,而且呈多分枝结构;腐蚀电流密度相同时,PS的膜厚和腐蚀时间成正比,而在较高的腐蚀电流密度下制备得到的PS膜在结构上更为疏松。制作了基于n+型硅基底的PS阴极,此阴极的阈值电压约为14 V,高于该电压后发射电流随着二极管电压提高而呈指数性增加趋势,而且发射电流对环境气压不敏感,即使在0.1 Pa的低真空中也没有明显的衰减。
- 罗文胡文波郑宇宋忠孝吴汇炎
- 关键词：多孔硅电化学腐蚀冷阴极电子发射
- 多孔硅场发射阴极研究进展
- 2012年
- 多孔硅(Porous Silicon,PS)平面阴极的场发射电子能量高、发散角小、对真空度不敏感、响应快,尤其适合用作场发射显示的电子源,基于PS阴极的无放电气体激发发光也为新型环保的高效平面光源技术带来了希望。本文介绍了PS阴极的电子发射原理及其研究进展,展望了其在显示技术、无放电气体激发发光技术、金属线沉积、电子束刻蚀以及其他领域的应用前景。
- 罗文胡文波
- 关键词：多孔硅冷阴极平板显示器件
