龚政
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 新奇半导体低维结构的自组织生长被引量：6
- 2006年
- 文章介绍了自组织生长半导体量子线、量子点和量子环的进展,同时介绍了这些低维半导体材料在光电子和通信等领域应用情况.此外,对这些材料的一些测试方法也进行了介绍.
- 牛智川黄社松龚政方志丹倪海桥孙宝权李树深夏建白
- 关键词：自组织量子线量子环
- In_(0.2)Ga_(0.8)As-GaAs复合应力缓冲层上的1.3μm InAs/GaAs自组织量子点
- 2005年
- 用光荧光谱和原子力显微镜测试技术系统研究了在2 nm In0.2Ga0.8As和xML GaAs的复合应力缓冲层上生长的InAs/GaAs自组织量子点的发光特性和表面形貌.采用In0.2Ga0.8As与薄层GaAs复合的应力缓冲层,由于减少了晶格失配度致使量子点密度从约1.7×109cm-2显著增加到约3.8×109cm-2.同时,复合层也有利于提高量子点中In的组份,使量子点的高宽比增加,促进量子点发光峰红移.对于x=10 ML的样品室温下基态发光峰达到1350 nm.
- 方志丹龚政苗振华牛智川沈光地
- 关键词：INAS/GAAS量子点光荧光原子力显微镜
- 分子束外延生长的InAs/GaAs自组织量子点发光特性被引量：1
- 2005年
- 研究了分子束外延生长的覆盖了1nm的InxAl1 xAs(x=0. 2, 0. 3 )和3nm的In0. 2Ga0. 8As复合应力缓冲层InAs/GaAs自组织量子点(QD)光致发光(PL)特性。加InAlAs层后PL谱红移到1. 33μm,室温下基态和第一激发态间的跃迁能级差增加到86meV。高In组份的InAlAs有利于获得较长波长和较窄的半高宽(FWHM)。对于覆盖复合应力缓冲层的QD不会使波长和FWHM发生显著变化,但可以使基态和第一激发态间的能级差进一步增大。这些结果归因于InAlAs能够有效的抑制In的偏析,减少应力,使QD保持较高的高度。同时,由于InAlAs具有较高的限制势垒,可以增加基态和第一激发态间的能级差。
- 孙彦方志丹龚政苗振华牛智川
- 关键词：分子束INASGAAS发光特性量子点
- 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法
- 一种1.3微米高密度量子点结构，其特征在于，包括：一砷化镓过渡层；一第一砷化镓势垒层，该第一砷化镓势垒层制作在砷化镓过渡层上；一砷化铟自组织量子点，该砷化铟自组织量子点制作在第一砷化镓势垒层上；一铟镓砷覆盖层，该铟镓砷覆...
- 牛智川方志丹倪海桥韩勤龚政张石勇佟存柱彭红玲吴东海赵欢吴荣汉
- 文献传递
- 1·3μm自组织InGaAs/InAs/GaAs量子点激光器分子束外延生长(英文)被引量：2
- 2006年
- 报道了分子束外延生长的1．3μm多层InGaAs／InAs／GaAs自组织量子点及其室温连续激射激光器．室温带边发射峰的半高宽小于35meV，表明量子点大小比较均匀．原子力显微镜图像显示，量子点密度可以控制在（1～7）×10^10cm^-2范围之内，而面密度处于4×10^10cm^-2时有良好的光致发光谱性能．含有三到五层1．3μm量子点的激光器成功实现了室温连续激射．
- 牛智川倪海桥方志丹龚政张石勇吴东海孙征赵欢彭红玲韩勤吴荣汉
- 关键词：量子点砷化铟激光器
- GaAs(331)A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制
- 2004年
- 采用分子束外延方法在GaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs量子线(QWR)或者三维(3D)岛状结构。InAs量子线(QWR)选择性生长在GaAs层的台阶边缘。通过原子力显微镜(AFM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件如衬底温度、生长速率和InAs层厚度等,对InAs表面形貌有很大的影响。低温更容易导致线状纳米微结构的形成,而高温更利于3D岛状结构形成。表面形貌的转变归结于表面能同应变能之间的竞争。
- 苗振华龚政方志丹倪海侨牛智川
- 关键词：分子束外延砷化镓砷化铟
