齐春华
- 作品数：39 被引量：3H指数：1
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- 倒置四结(IMM4J)太阳电池中InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)子电池高能电子辐照退火效应
- 2020年
- 本文为研究1 MeV电子辐照倒置四结(IMM4J)太阳电池InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)关键子电池的退火效应,将辐照后的两种子电池在60—180℃温度范围累计退火180 min,并对不同退火温度、退火时间下的两种子电池进行了光IV测试、暗IV测试和光谱响应测试.实验结果表明两种子电池的开路电压Voc、短路电流Isc和最大输出功率Pmax随着退火时间的延长逐渐恢复,温度越高,恢复程度越大.在相同的退火条件下,InGaAs(1.0 eV)子电池的恢复程度比InGaAs(0.7 eV)子电池小.本文通过对暗特性曲线进行双指数模型拟合,得到不同退火条件下两种子电池的串联电阻Rs、并联电阻Rsh、扩散电流Is1、复合电流Is2.结果表明在退火过程中两种子电池的Rsh逐渐增大,Rs,Is1和Is2逐渐减小.温度越高,退火时间越长,恢复程度越大.在退火60 min后两种子电池的Voc,Isc和Pmax恢复程度均可达到整体恢复程度的85%以上.InGaAs(1.0 eV)子电池的Is1和Is2的恢复程度远大于InGaAs(0.7 eV).本文建立了短路电流密度Jsc和缺陷浓度N的等效模型,以此计算得到InGaAs(1.0 eV)和InGaAs(0.7 eV)两种子电池的热退火激活能分别为0.38 eV和0.26 eV.
- 张延清齐春华周佳明刘超铭马国亮蔡勖升王天琦霍明学
- 关键词：电子辐照退火效应
- 基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法
- 基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法，属于微电子技术领域，本发明为解决现有倒置四结太阳电池在空间带电粒子的辐照下抗位移辐照能力差，易产生位移辐射损伤，从而严重地影响太阳电池的性能参数的问题。本发明向倒...
- 张延清齐春华王天琦马国亮刘超铭陈肇宇王新胜李何依周佳明霍明学
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- 基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法
- 本发明的基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件的制造或处理领域，目的是为了克服肖特基二极管受到位移辐射造成的缺陷导致正向特性退化的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深...
- 刘超铭王天琦张延青齐春华马国亮霍明学李何依魏轶聃
- 文献传递
- 1.2Gbps串行通信中的时钟与数据恢复电路设计
- 在如今的高速数据传输领域中,串行链路通信系统已经逐渐取代了并行链路通信系统。串行通信技术的迅猛发展,使得人们对串行通信系统中的时钟与数据恢复电路越来越关注。时钟与数据恢复电路作为串行通信系统的核心部件,对整个串行系统的接...
- 齐春华
- 关键词：高速数据传输串行通信数据恢复电路
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- 一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法
- 一种功率场效应晶体管的可靠性预测方法，属于功率MOSFET可靠性建模技术领域，本发明为解决现有采用深度学习模型对功率器件进行可靠性预测中存在手动调整模型超参数，导致工作效率低的问题。它包括：S1、采集传感器的数据作为初始...
- 刘超铭高乐王天琦霍明学张延清齐春华马国亮
- 抗多节点翻转的存储单元
- 抗多节点翻转的存储单元，涉及集成电路技术领域。为了解决现有存储单元在辐射环境下不具备抵抗单粒子多节点翻转的能力，从而引起存储单元的存储状态改变的问题。该存储单元包括一号PMOS晶体管、二号PMOS晶体管、三号PMOS晶体...
- 肖立伊齐春华李安龙王天琦柳姗姗
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- 一种肖特基势垒二极管可靠性的预测方法
- 本发明的一种肖特基势垒二极管可靠性的预测方法，涉及肖特基势垒二极管可靠性建模并通过建模获得可靠性预测的方法。目的是为了克服现有肖特基势垒二极管的可靠性预测方法复杂度高，计算效率低，模型可解释性也较差的问题，具体步骤如下：...
- 刘超铭高乐王天琦张延清齐春华马国亮霍明学
- 一种功率MOSFET可靠性的建模方法
- 本发明的一种功率MOSFET可靠性的建模方法，涉及功率MOSFET可靠性建模并通过建模获得可靠性预测的方法。目的是为了克服现有MOSFET可靠性建模方法复杂度高，计算效率低，模型可解释性也较差的问题，具体步骤如下：步骤一...
- 刘超铭高乐王天琦霍明学张延清齐春华马国亮
- 一种监测触发器是否发生翻转的边沿检测电路及触发器
- 一种监测触发器是否发生翻转的边沿检测电路及触发器，它涉及一种边沿检测电路及触发器。本发明要解决SETTOFF触发器对SEU软错误的在线监测和修正以及检测SET和TE错误过程中，SETTOFF触发器中原沿检测(TD)电路中...
- 王天琦刘超铭齐春华马国亮张延清霍明学肖立伊
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- 一种SRAM存储器空间服役故障分类失效检测方法
- 本发明提出一种SRAM存储器空间服役故障分类失效检测方法，本发明采用故障特征检测诊断空间服役失效故障，通过分析特定核心器件在太空环境或异常环境中的特征参数电源电流的变化，依托神经网络进行故障状态的判断和分类。本发明可用于...
- 霍明学齐春华张延清王天琦王新胜刘超铭马国亮
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